目前F0系列的MCU，我只用过F030和F051(F031)两者各有自己的Reference Manual 以及 DataSheet
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我发现ST的文档还是比较坑的，就如何利用内部CH17通道ADC采样求得VCC电压，F030的参考手册里面并没有
解释得很清楚，网上的帖子也是一大堆，不过没有一个准确的，至少我没找到。

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今天就这个问题，作一个笔记，方便以后查阅：
首先，我们翻开F030的DataSheet来看看（F030的DataSheet：DS9773）

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" U2 Y; f2 u% ?看看这段英文，大概的意思就是MCU有一个内部参考电压，是和ADC通道17相连的。ST公司在MCU
生产过程中，会在这样一个环境下对MCU作一个校准：
温度30度，为MCU加上较为精确的3.3V电压时，获取ADC CH17的AD值Vrefint_cal，并且把此AD值记录
6 N6 q6 H4 _( ?3 o3 J) n# r到MCU的内部存储器里面作为一个只读的数据，作为参考。此数据地址为0x1ffff7ba，长度2字节
0 w# v5 {$ {$ j2 W; _3 w& G9 ]
然后呢？怎么用呢？datasheet就没下文了，好吧，那我们再去查查Reference Manual
找到STM32F030的[RM0360]，找到ADC这一章，204页（我这个是Rev3的）

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我想说：然并卵！！！
file:///C:/Users/Administrator/AppData/Local/YNote/data/qq64CFFFD5BCF5D79E15E658E5AFC24512/e77d702919e9404aafe723892f30752b/clipboard.png

看到这里我突然无语了，只讲了内部温度如何求得，居然没讲内部参考电压的用法！！！
+ k/ [6 Y6 P/ t: p) Q! b0 v5 L# I: o所以我说ST的文档坑呢。。。


0 X, b+ X: p6 A+ s, U# }* b不过还好，我发现虽然这个RM0360里面没有提及VREFINT的用法，但是另一款MCU
STM32F051的参考手册里面有说到：

4 h! w3 t( T1 V& f  U) f( {/ @打开[RM0091]
8 A5 ^3 y( X" tfile:///C:/Users/Administrator/AppData/Local/YNote/data/qq64CFFFD5BCF5D79E15E658E5AFC24512/b7f2c021c1b1452b8ee1cf39f729f6f9/clipboard.png
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' S4 g$ V& z& k: U6 {& x终于找到了用法，这段英文大概的意思是这样的：
+ B4 f: E8 i* gVDDA提供电压给MCU（MCU能工作的前提条件），但是VDDA的值可能是波动的，或者我们不能知道
9 _, P$ b8 }* Q7 u# O: Y+ }9 U其精确值，那么内部的参考电压VREFINT和记录在MCU里的参考值会帮助我们求得当前VDDA的精确值
# {6 {6 O0 P5 v" E并且给了一个很简单的公式。
VREFINT_CAL 就是前面提到的生产时记录到MCU内部的一个数据
VREFINT_DATA 则为ADC CH17采集到的AD值

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自此，我们终于知道这个内部参考电压是怎么用的了，简单的讲，就是：
当我们无法知道当前VDD的值到底是多少时，可以利用ADC CH17采样值
* }" {6 g, ~# A* I; E以及MCU内部的参考值去求得
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此方法，我已经做过实验了，F030和F051上都试过，并且应用于实际产品（估算电池电量），准确性还是挺高的。
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PS：
: \5 V# l6 S5 Z) J6 D        从公式来看，VDD越高，CH17的值越小；VDD越低，CH17的值反而越大
$ E0 {) X0 H1 n' W" o( _那么，内部的原理图到底是怎样的呢？很好奇。
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准确性还是挺高

按理说，电源电压变了，这时候量化值应该也会变，如果同比例减小，那么采到的数据应该不会变化。
就是不知道他的量化值是否由一个与电源无关的恒压参考源提供

学习

                     

学习了  

楼主的探索精神赞一个

楼主好人  最近内部测温测出来70多度 正在困扰

为毛我总是搞不定

谢谢分享！

非常好的资料，非常感谢分享

这帖讲得透彻

感谢分享

按理说，电源电压变了，这时候量化值应该也会变，如果同比例减小，那么采到的数据应该不会变化

问题是，，怎么读取这个  第17通道？需要打开什么吗？