一. 应用背景
9 s+ b# t3 S5 I) m' a- C" p7 N当客户遇到存储小量的数据，同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置 EEPROM，STM32 提供了 Backup SRAM(4K)和 Flash 模拟 EEPROM 两种方案来解决该问题。但是，BackupSRAM 需要提供备用电源，Flash 模拟 EEPROM 又比较浪费空间（存放复杂的结构体数据也不方便）。如果数据擦鞋频率较低（Flash 擦写次数有限），可以考虑直接将数据存放在 Flash 中。本文提供了如何在 IAR6.5 实现该操作。

二. IAR 下的实现
1. icf 文件的配置
, y8 C/ w) L8 b3 @* [3 l   在 IAR 的 linker，config file editer 中设置中断向量表位置保持不变 0x0800 0000，代码的存放地址设置为 0x0800 8000 ~ 0x080F FFFF。我们将数据保存在 0x0800 4000 ~ 0x0800 7FFF 中。
4 r6 N* X/ k% t( d5 R
+ Q9 j' U* }' t3 f
$ e! w: ]# o1 F2 z: j6 E5 X- Z! x
   同时在.icf 文件中做添加脚本：
   define symbol __ICFEDIT_region_DATAROM_start__ = 0x0800 4000;
   define symbol __ICFEDIT_region_DATAROM_end__ = 0x0800 7FFF;
   define region DATA_region = mem:[from __ICFEDIT_region_DATAROM_start__ to
3 m' O5 `: E  @   __ICFEDIT_region_DATAROM_end__];
   place in DATA_region { readonly section .rom_data };

4 P5 ]% @2 U4 O- P3 u1 X2. 预编译的处理
   #define DATA_ROM _Pragma("location=\".rom_data\"")
   DATA_ROM const uint32_t test_data[] = {32,33,34};
   DATA_ROM const uint32_t test_data2[] = {33,33,34};
. m+ B/ J, \. q, K+ i1 l   编译后的.map 文件中
! N% T; r1 ~# p1 Z/ ]  j
4 L! I9 x# w9 n4 L& x  y1 e

   可以看到 test_data 已经放在了我们希望存储的地址。
, v  F9 O, s1 G0 x% S6 ~   用户可以通过调用标准外设库提供的 flash 函数对该数据进行修改。
# E% h# ~+ u: o