一. 应用背景
- E" b- w$ f; o2 E6 E当客户遇到存储小量的数据，同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置 EEPROM，STM32 提供了 Backup SRAM(4K)和 Flash 模拟 EEPROM 两种方案来解决该问题。但是，BackupSRAM 需要提供备用电源，Flash 模拟 EEPROM 又比较浪费空间（存放复杂的结构体数据也不方便）。如果数据擦鞋频率较低（Flash 擦写次数有限），可以考虑直接将数据存放在 Flash 中。本文提供了如何在 IAR6.5 实现该操作。
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二. IAR 下的实现
/ p8 V- }% N# _1. icf 文件的配置
7 `$ ], H& f  h) o1 n   在 IAR 的 linker，config file editer 中设置中断向量表位置保持不变 0x0800 0000，代码的存放地址设置为 0x0800 8000 ~ 0x080F FFFF。我们将数据保存在 0x0800 4000 ~ 0x0800 7FFF 中。

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' v( l7 ^/ y: T0 ~
   同时在.icf 文件中做添加脚本：
   define symbol __ICFEDIT_region_DATAROM_start__ = 0x0800 4000;
   define symbol __ICFEDIT_region_DATAROM_end__ = 0x0800 7FFF;
   define region DATA_region = mem:[from __ICFEDIT_region_DATAROM_start__ to
   __ICFEDIT_region_DATAROM_end__];
* \) G+ v& y' n: m$ e: Q) Y2 ]   place in DATA_region { readonly section .rom_data };
& C( B8 w" R* c/ }! p' r3 N% i
2. 预编译的处理
   #define DATA_ROM _Pragma("location=\".rom_data\"")
   DATA_ROM const uint32_t test_data[] = {32,33,34};
7 H5 f& A! i; V* t, t" a   DATA_ROM const uint32_t test_data2[] = {33,33,34};
# ]) w  _2 V& }, _0 m   编译后的.map 文件中
) Q  J2 h+ e1 L9 t+ D& H
2 x$ K* ?0 y) S2 @9 z

) q- V6 u) ]' I, u4 J% B   可以看到 test_data 已经放在了我们希望存储的地址。
   用户可以通过调用标准外设库提供的 flash 函数对该数据进行修改。

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