一、MT29F4G08A概述" d8 Y5 \$ j7 B+ f2 j2 T, Y
MT29F4G08是一颗 512MB 的 NAND FLASH 芯片相对于 SPI FLASH( W25Q256)和 SD 卡等存储设备,NAND FLASH 采用 8 位并口访问,具有访问速度快的优势。 A7 |6 m% B$ N% o
1、NAND FLASH信号线
) G9 t8 M3 D9 H8 e: f2 i# u9 c' j. ~4 t9 }9 j
6 h' h; t6 ~6 n+ D/ O& A- {. A
- y& A8 _ W E G2、NAND FLASH 存储阵列
3 q* R- ~% d a' u$ ~- p' b
, f; I- l$ o" O7 Q4 s# m: E1 `/ j. K5 @; ~
由图可知: MT29F4G08 由 2 个 plane 组成,每个 plane 有 2048 个 block,每个 block 由 64个 page 组成,每个 page 有 2K+64 字节( 2112 字节)的存储容量。所以, MT29F4G08 的总容量为: 2204864*( 2K+64) = 553648128 字节( 512MB)。其中, plane、 block、 page 等的个数根据 NAND FLASH 型号的不同,会有所区别,大家注意查看对应 NAND FLASH 芯片的数据
: u9 I& L5 t. m手册。! J# Y2 l& g2 Z, H
NAND FLASH 的最小擦除单位是 block,对 MT29F4G08 来说,是( 128+4) K 字节, NANDFLASH 的写操作具有只可以写 0,不能写 1 的特性,所以,在写数据的时候,必须先擦除 block(擦除后, block 数据全部为 1),才可以写入。NAND FLASH 的 page 由 2 部分组成:数据存储区( data area)和备用区域( spare area),对 MT29F4G08 来说,数据存储区大小为 2K 字节,备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效数据,一般都是存储在数据存储区( data area)。备用区域( spare area),一般用来存放 ECC( ErrorChecking and Correcting)校验值,在工程中,我们将利用这个区域,来实现 NAND FLASH 坏块管理和磨损均衡。2 I9 k4 k5 K7 K5 l
NAND FLASH 的地址分为三类:块地址( Block Address)、页地址( Page Address)和列地址( Column Address)。以 MT29F4G08 为例,这三个地址,通过 5 个周期发送。: v. A3 f8 D5 U+ E) b- c
: d8 A. A* i9 ]2 y# Z; W" ?9 q! j二、部分参考代码
# c: h% ]6 T$ \1 {" g( v( ]' U+ ? z8 L/ w: Y
- FSMC_NANDInitTypeDef NAND_Handler; //NAND FLASH句柄
& F- M; J2 Y _3 k$ I4 }4 v - nand_attriute nand_dev; //nand重要参数结构体# k5 J# W* S6 r
- - x: j6 Q1 D8 X! P P) u
- //初始化NAND FLASH
$ J3 r) E: N, T' F - u8 NAND_Init(void)
6 x# f/ z% m G - {3 g9 Y$ V/ g4 l) _
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;/ m) D" h3 O# x( m- w8 [! B5 }( w
- FSMC_NAND_PCCARDTimingInitTypeDef ComSpaceTiming,AttSpaceTiming;
0 D0 L% H( W2 z: u - 6 E4 ]0 T5 D# {" x! J! [; }
-
5 T4 S% F3 Q7 v$ u2 c) ~) t0 ~ - ; G" G# R& w3 e% b& U2 G
- RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOD|RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD,PE,PF,PG时钟
& |% _" H) f$ A2 D# m - RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟
% u, ~1 v, p, h3 u - RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);+ i) ?) Z o' b3 ^% ^& D
+ X9 h) e- F7 C b
/ v: @2 D2 k1 v* o- p- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0|GPIO_Pin_1|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_5|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15;
$ v% ^8 R5 g/ ^" E# t; I - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
4 `6 L/ y* Q+ u# P - GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
8 G8 j$ M, k: ?; g - GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
( ~8 } `7 G: W& r6 i - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉* ~+ @: p2 p+ u' n4 F
- GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化 ' b4 Y; ~+ ?. h; ^* Q2 `
- ; J4 Z) C+ u( V$ O3 x7 S6 ~
- / Q5 X1 R1 l1 z: I
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_3|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10;
: r) J& ^: ~& N* F% Q9 L9 Y - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出* c7 J* A- E7 }6 S2 v: x
- GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出- L! q3 c5 K# _: i
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
+ ~4 q& }" {5 f) U I6 q - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉& v9 ~9 b7 D, ~9 k
- GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);//初始化- U3 U) O. c7 G) Z" g3 i4 r& J" A
+ W+ o7 ]' E; v* T N, G" T- ; x0 ]- l! K% I0 B2 p
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;
1 n) S6 ^# K' N' z+ v2 w - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
$ Y. p( e: }% v - GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出 [0 D8 L# V0 n5 w0 Z
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz) B7 ]. H/ W! _+ U. w" u
- GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉+ q- T7 k. @" A
- GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);//初始化# n& C6 A1 M4 H; F" x6 `
-
* e+ x2 @, p1 r- h. { - 4 [' }$ L5 t0 w6 x0 u
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_6; " p5 z4 G2 u9 z. w0 ~) F4 U' v
- GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN;: D9 ]" ]3 Y$ w+ z6 ^3 L2 Y: |; V
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;1 t/ {1 E; t$ ]( i" |# |8 @- |
- GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;
/ _5 N$ \: K9 P - GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
; n: e& Q. I0 @% M - ! M& |3 E# |8 O* u" P) r
-
7 Z: I) P% N p - GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_2;
1 w+ ?& y+ Y- r - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;
7 b$ ?3 \) w t# ]: [3 G - GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;6 b8 a% ]& N6 V$ t# q
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;
|; S @' L. ~" F; _4 R - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;
: C: L' ?6 R* H) [+ o! v( j - GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
0 \0 ^) ?) k/ W/ k" h! U' u" {* n" Z - GPIO_SetBits(GPIOD,GPIO_Pin_2);3 w6 j; |+ h' R& s
- 0 ^+ i" X5 k, v( V: ^9 t
- GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12! e9 l7 d6 n1 d1 y$ i8 q: |8 l2 T
- GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12" ^0 G3 C+ a! z' q: c; S
- GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
* { M. e, d+ b8 K) [2 J6 _, r3 ? - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12
( r3 s; g2 [2 S; S - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
# o1 f8 s: W, R/ \! `9 F - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PD15,AF12
7 [9 K! ^& B) |/ s0 \ - 6 w5 u# a! q* y- a6 I$ h4 p4 i3 v- k3 ^
- GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12" ~/ D7 x$ l% @+ m* B- R) I e6 [
- GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);: B7 a$ Y, j2 {: }& X" ^
- GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource7,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
, p6 N, O7 @ i - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC);
$ R3 \+ c4 r1 Z6 L8 P - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
2 s2 z' g$ Z1 f! h+ J2 k$ i - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
1 w$ z5 f0 ]- ]" ^ - / h c6 L7 |0 |, V
- GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
1 V5 a, k, @9 l; p- ]. c+ Q - 1 m3 h" A# ^) _* F
-
6 C4 O) M0 f( ~. z% d2 u) |5 k! G - 6 ~5 R6 X3 g% M* \
-
( k/ V2 S- y% \# |7 S8 a - ComSpaceTiming.FSMC_SetupTime=2; //建立时间
) [& `) T1 p4 W7 f2 O, x [ - ComSpaceTiming.FSMC_WaitSetupTime=3; //等待时间
) C& F2 W% w N* B( F - ComSpaceTiming.FSMC_HoldSetupTime=2; //保持时间; V) @3 ?2 j. R$ h
- ComSpaceTiming.FSMC_HiZSetupTime=1; //高阻态时间/ O( q# e+ r8 @1 G% i7 O
/ j9 `' a3 `- q. A3 G4 p: g" z' n- AttSpaceTiming.FSMC_SetupTime=2; //建立时间# q5 e8 |1 V; l
- AttSpaceTiming.FSMC_WaitSetupTime=3; //等待时间
3 [4 a" K$ P# E5 P1 v9 a - AttSpaceTiming.FSMC_HoldSetupTime=2; //保持时间$ I0 q w9 Q t; ]- G+ z
- AttSpaceTiming.FSMC_HiZSetupTime=1; //高阻态时间
# L0 \8 ?% f7 t2 D& U9 | - - D( L3 M6 y$ s D2 M7 J9 W
-
/ S- y& J5 L2 Y - NAND_Handler.FSMC_Bank=FSMC_Bank3_NAND; //NAND挂在BANK3上1 s) ]' V' `% U. K
- NAND_Handler.FSMC_Waitfeature=FSMC_Waitfeature_Disable; //关闭等待特性3 P" _7 }' A. W2 n9 h0 B2 n1 R
- NAND_Handler.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_8b; //8位数据宽度
1 y- a! v- n( o - NAND_Handler.FSMC_ECC=FSMC_ECC_Disable; //不使用ECC' `5 I) j+ R, m) \. u
- NAND_Handler.FSMC_ECCPageSize=FSMC_ECCPageSize_2048Bytes; //ECC页大小为2k: H: A6 h, v& t \3 u* \
- NAND_Handler.FSMC_TCLRSetupTime=0; //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5ns1 W& E9 J" h9 y9 |# u
- NAND_Handler.FSMC_TARSetupTime=1; //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5n。
7 p* z! s! ~2 ^% V( }! L - NAND_Handler.FSMC_CommonSpaceTimingStruct=&ComSpaceTiming;
2 P" F2 Z& j, i; Z4 j8 ? U - NAND_Handler.FSMC_AttributeSpaceTimingStruct=&AttSpaceTiming;
1 {: t2 ^% Y" w( ^1 i1 A6 Y1 R c k - $ e' @$ X; x9 y
-
/ j/ ~) |: C! q( r2 ^& g+ s" J# X -
3 `/ A k2 R; f5 x - FSMC_NANDInit(&NAND_Handler);0 Y5 N0 y( [/ z
- FSMC_NANDCmd(FSMC_Bank3_NAND,ENABLE);
$ g- M+ _. C% W9 K - ) A- I7 t8 `- M% x* f0 m5 e4 O/ F
- NAND_Reset(); //复位NAND X" ^. j8 L$ x" `/ @$ Z
- delay_ms(100);
Q: F" q$ M! o5 ]2 R - nand_dev.id=NAND_ReadID(); //读取ID( k, Y+ L2 v( I" Z1 C: ?2 q
- NAND_ModeSet(4); //设置为MODE4,高速模式 7 r% ~" Y0 T5 A) [3 x# K+ Y) o2 M
- if(nand_dev.id==MT29F4G08ABADA)//NAND为MT29F4G08ABADA
l0 P3 a/ j. ^# i j8 q5 ~' F - {' y; \ e. a8 G& g
- nand_dev.page_totalsize=2112; //nand一个page的总大小(包括spare区)# C, l q* N4 U+ M: Z0 `
- nand_dev.page_mainsize=2048; //nand一个page的有效数据区大小
5 y' U" e7 T: z; o( ^; T! L - nand_dev.page_sparesize=64; //nand一个page的spare区大小
S! b+ Q$ y# J. m3 p7 ~ - nand_dev.block_pagenum=64; //nand一个block所包含的page数目3 ?: O7 w7 x9 o* E+ X' H( m5 L
- nand_dev.plane_blocknum=2048; //nand一个plane所包含的block数目! C# C% p4 Z2 x$ p- z
- nand_dev.block_totalnum=4096; //nand的总block数目/ U8 p" f1 c/ o `5 D/ Z. i
- }else return 1; //错误,返回
1 L% ? K. p4 @# x- t - return 0;: A; U8 ]0 Q K3 w
- }
& \/ g2 [5 @; U
5 ? \3 M6 b* N9 v8 W
U6 j( d- i1 G* U0 ^1 t- //读取NAND FLASH的ID
" O+ |1 U( V) {% h9 d! i - //返回值:0,成功;
R( A4 [$ S- k% d. D) m4 Z1 W - // 其他,失败
& Q! n7 ^ k1 e9 p: ~8 _8 X - u8 NAND_ModeSet(u8 mode)- J* f5 |8 c- B( b
- { / K. H2 y( F' _1 [! {! R
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_FEATURE;//发送设置特性命令) a% i8 |0 ~" x$ U+ F
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=0X01; //地址为0X01,设置mode
( z- Y; F. v! y+ ?5 F6 `! | - *(vu8*)NAND_ADDRESS=mode; //P1参数,设置mode1 I7 Y0 e8 o4 M; a0 }
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=0;, [8 p& L+ ^$ d5 u
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=0;
. n8 z2 e% ^( m/ X- M - *(vu8*)NAND_ADDRESS=0; / O/ ^; Q9 D- k9 n5 i; O8 u* ]
- if(NAND_WaitForReady()==NSTA_READY)return 0;//成功
& n" P$ @) H( I; G - else return 1; //失败
; ^5 p9 v+ H1 f8 i# k! ~2 _: c - }: S& ^# `8 V& s1 |+ D0 a8 |' T0 ?
- 0 ?9 @" a9 g9 N
- //读取NAND FLASH的ID u! J6 a+ j* C3 X- w
- //不同的NAND略有不同,请根据自己所使用的NAND FALSH数据手册来编写函数
+ R* P" s8 w. I8 y, g - //返回值:NAND FLASH的ID值
0 `& |" H G5 p: Y6 T - u32 NAND_ReadID(void)5 U3 }$ p+ y! `$ h+ X
- {
0 R: b) c: n* d7 O) f9 J1 p$ x. | - u8 deviceid[5];
[0 ?& v) E" v4 W7 u# x - u32 id;
: i+ s( U; _: B7 _. f! g3 v - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_READID; //发送读取ID命令7 S3 x. U) h% {* q! i9 b- Y
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=0X00;2 k e! Z7 o8 `" d, [
- //ID一共有5个字节- F/ w4 `$ e' q2 \) W
- deviceid[0]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; # T# b. N9 L1 O9 @# L4 H. @
- deviceid[1]=*(vu8*)NAND_ADDRESS;
* g& E1 y7 X! K' K! m* g - deviceid[2]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; % b0 w2 F/ N g
- deviceid[3]=*(vu8*)NAND_ADDRESS;
5 k# C* d v P! }- W9 p - deviceid[4]=*(vu8*)NAND_ADDRESS;
" Q- l+ s7 W" J( d, J; C6 f; S+ Q - //镁光的NAND FLASH的ID一共5个字节,但是为了方便我们只取4个字节组成一个32位的ID值
# k( I2 F: d% `8 W1 q - //根据NAND FLASH的数据手册,只要是镁光的NAND FLASH,那么一个字节ID的第一个字节都是0X2C
# l/ T' F3 |" z1 ?+ c6 z5 [- L - //所以我们就可以抛弃这个0X2C,只取后面四字节的ID值。
7 Z% g7 i, t' r. } - id=((u32)deviceid[1])<<24|((u32)deviceid[2])<<16|((u32)deviceid[3])<<8|deviceid[4];
" X6 j+ z% @, q5 a. G6 M - return id;' C/ M2 j1 @3 L- y' z8 F
- }
5 b6 u% x @& I9 e - //读NAND状态
6 w* K% X& L/ I, k/ @5 s - //返回值:NAND状态值( t- @6 y7 G1 @5 s2 b" V
- //bit0:0,成功;1,错误(编程/擦除/READ)/ C! }, l+ x1 j2 ]; a
- //bit6:0,Busy;1,Ready! ^, D* @3 p/ `/ j" d
- u8 NAND_ReadStatus(void)
* S( c! ^4 V7 L - {* W! T* N& K, S3 \
- vu8 data=0; $ j9 @' b7 K2 O1 }0 }6 E
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_READSTA;//发送读状态命令
/ K+ ]* D. g/ B ^9 ?2 ]3 p - NAND_Delay(NAND_TWHR_DELAY); //等待tWHR,再读取状态寄存器
/ \7 q# H! t% o0 e - data=*(vu8*)NAND_ADDRESS; //读取状态值
! W% R6 b% W4 q7 x5 a! y. ^ \ - return data;( u4 |$ z' d" k. Z! I
- }1 O6 Z, K2 t6 `" z
- //等待NAND准备好2 T5 i! b+ S3 i- C* m1 p) l; U
- //返回值:NSTA_TIMEOUT 等待超时了
6 r: Y B0 D% L3 c' X/ w- c; _- e - // NSTA_READY 已经准备好8 d, ]1 _. m5 t% W
- u8 NAND_WaitForReady(void)1 ~: F: [" {( S+ r y/ g
- {
5 S4 c: @8 ^, x# F3 | - u8 status=0;
( L7 d& n( \& D0 J( z& t) n" m. x - vu32 time=0; 7 r3 l0 t( A& N- Q+ {7 p+ B
- while(1) //等待ready
3 q8 d6 A0 P! ~ - {! h5 Q/ R1 y# \' ?, f( \% [* y0 O. ]
- status=NAND_ReadStatus(); //获取状态值
3 d& O) N# J) F! Z' L: {/ g" D - if(status&NSTA_READY)break;
1 e# N4 @: Y1 p7 G* p2 p - time++;2 [& I! U8 p. h
- if(time>=0X1FFFFFFF)return NSTA_TIMEOUT;//超时
1 ]# t- d0 z$ ]" f u0 ^ - } % L& e8 J+ H2 Q+ K' b3 h; C
- return NSTA_READY;//准备好) D& K. g5 o) ]
- }
! C* r. w2 i7 C, b8 U2 K - //复位NAND
$ R& `+ h( `" L" P - //返回值:0,成功;
8 f9 q& [0 C0 U - // 其他,失败
& \# G; [5 o4 y) D4 ]! f6 R0 s - u8 NAND_Reset(void)
. I- C! p" u1 u - {
( C# I5 Z5 H, Q- F0 r) Z( r9 ] - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_RESET; //复位NAND" f8 u/ x0 ^+ j. B6 |9 T
- if(NAND_WaitForReady()==NSTA_READY)return 0;//复位成功
2 _1 S) a2 O% U* c2 s - else return 1; //复位失败5 I4 {# w* ^1 G1 Y# z3 s! z
- }
0 Z* m6 T: {) p5 z - //等待RB信号为某个电平; k" a+ J+ Y3 y3 o0 R" S. k5 `, A
- //rb:0,等待RB==0
" Z/ ]8 [/ N+ @2 A" i4 U - // 1,等待RB==1! W+ J' }2 C# B' P8 Q% F* z
- //返回值:0,成功( c+ f) T3 E' Y
- // 1,超时
# t0 n) _- e, p1 i, ?, d - u8 NAND_WaitRB(vu8 rb)7 w4 Z G7 g8 L3 Q
- {
4 _% N L1 a! T) l - vu32 time=0;
8 l1 ~8 }( F1 X) E4 R B - while(time<0X1FFFFFF)
4 [* J" @8 H5 U" R7 Z1 q - {
8 q9 S& r8 o* K - time++;# s) V; ?' U) J
- if(NAND_RB==rb)return 0;
, Y- m- D5 _ G k: r5 y - }
& R! y7 e7 i) ^3 y - return 1;
- t* X: h+ p: C2 [2 g. ]# T - }4 Q) y! v* L1 N
- //NAND延时
2 ~0 U0 @& {" x3 j- Q9 l9 M - //一个i++至少需要4ns3 z4 g& _6 P# E! u) A. }6 C
- void NAND_Delay(vu32 i)
' S/ R, M1 Y( j$ y& t! \0 q8 r - {
1 m/ x6 F; t3 @) O& ?1 t# y' C$ Z: E - while(i>0)i--;5 d9 n8 l& X- k& A6 N
- }# r6 x& w' Q* q+ O* ]. Y
- //读取NAND Flash的指定页指定列的数据(main区和spare区都可以使用此函数)
! n7 v4 L: f! l3 D) F - //PageNum:要读取的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
7 v: {9 }, ]( a' E: {" j% w - //ColNum:要读取的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)4 h g9 ]$ `# v6 D7 r
- //*pBuffer:指向数据存储区+ J9 b1 s; {/ |& a
- //NumByteToRead:读取字节数(不能跨页读)
6 u u* d; r+ `$ w X. Y: n$ C - //返回值:0,成功
# x# t1 `% E h! K8 I2 e - // 其他,错误代码
9 \4 f" K" P- y - u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)6 z/ @+ w& x0 N& H
- { G# ]" G! D$ Z$ z* M
- vu16 i=0;
0 J2 f( Z" S: r% s7 p3 y/ D7 [ - u8 res=0;
. n) P; D+ p7 a7 q/ t, _ - u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc. b; ? W2 b: L- ]8 _9 V6 H
- u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围. i ?6 H" J8 e* w6 ?
- u8 errsta=0;
w, e- f# f! {6 B7 D6 G - u8 *p;
6 e5 z4 ~; D( D1 i - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_A;
. [3 F' z3 k- X( P. Z* s& v S6 ^ - //发送地址
, M, o3 |2 W$ V - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;; A- I3 ? ]6 f" v3 o t. d! M( a* I
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);' ?, X3 Y* h) L0 L
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;# M7 s; |7 U) J; X; U/ `( T
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);
5 M7 l9 }4 J1 C+ I# G! a5 { - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);
$ w/ X" Z* m: j/ x7 K. `: W# D - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_TRUE1;9 v2 P; Y* S! I5 O
- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过0 i0 A$ S# C0 H# f- v
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备. }" ^: W7 d) u9 m9 n
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
+ }0 U" q! h: S2 z2 U4 w7 [ - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行: o, N) i: {3 m2 r3 T7 H2 S
- //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。 S+ ?! Q9 e( D
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0 $ n3 p& Q1 h( U9 q
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出, Z, c2 q" O. |2 t6 a2 a
- //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
% o+ M C; H2 S& n+ U - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 # n8 y( P. s6 i* n/ c/ P4 U
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出8 `/ ], R* j8 D3 M" J
- if(NumByteToRead%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验. `% ~3 L* a) P2 U) G2 q5 C$ T
- { 5 `- K; L2 l' Q
- //读取NAND FLASH中的值2 g, Q: t& G' o ^. ]6 A
- for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
; m* h2 V) O% ^: x6 D - {
* c& M% ]4 Y- P* ` u9 n! p& f/ z - *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
' X, M* I( L3 Q0 c9 I- @ - }
~3 [% D9 l- w# M7 I, g( R - }else
- [+ y; e. p7 Q4 r# a1 d; E - {
" j- s/ }7 c" J6 [- n0 P, _ - eccnum=NumByteToRead/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数( d2 A. w7 [! C
- eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;! B, ~# a2 ]3 F. N
- p=pBuffer;
9 U3 d7 X' h3 {! _ - for(res=0;res<eccnum;res++)
3 w' k+ b5 p6 F - {2 n! Q6 z; y% k) a% d( B% k: @
- FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验
+ I& f* p' M. i/ e6 U( U - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //读取NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据7 T, x+ \* H! l0 F
- {, _4 l# P' s3 c/ c( r
- *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
8 e3 B+ [! Q$ n J - }
; q( D3 Z6 b4 L3 f - while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空
8 P3 [* Z% u* a: q. j/ {& r4 X - nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3;//读取硬件计算后的ECC值& c4 t9 x! v' D) M3 o8 H B) Y/ B, v
- FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验0 P) a% o- |+ X) s' I- ~
- }
7 p% ~0 v" `+ v6 t) ? X - i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值
4 s- }; g5 Q4 y! v+ b2 Z6 Q - NAND_Delay(NAND_TRHW_DELAY);//等待tRHW , U" C4 C. m9 Y& v2 m( m* q* n B
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X05; //随机读指令4 x, a" \0 y- Y& D
- //发送地址+ b' w# l) E% g0 Y9 v( j' a
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;8 i. ~: P& k8 L% A7 a
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);
9 y7 Q- Y! S' y$ A% t7 u0 P+ ] - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0XE0; //开始读数据
' E; D+ S* v+ y - NAND_Delay(NAND_TWHR_DELAY);//等待tWHR
Z8 R0 [4 j# q) A - pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf[eccstart];* h y; y0 U* x
- for(i=0;i<4*eccnum;i++) //读取保存的ECC值' b2 A$ z, i( M% l! T5 X
- {1 w @ x3 Z3 f
- *(vu8*)pBuffer++= *(vu8*)NAND_ADDRESS;+ w6 U+ j- S$ S3 U8 r, O
- } # c; l; ^: h9 S3 V' l, r
- for(i=0;i<eccnum;i++) //检验ECC
! C: `* X; ~9 j% F - {
8 z& u4 ~3 k* h/ K5 N4 k S1 v - if(nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]!=nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart])//不相等,需要校正
* k: F4 l9 s( C7 B - {, Z6 M0 S/ E* }6 \( e3 E
- printf("err hd,rd:0x%x,0x%x\r\n",nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]);
- T* f0 f! M) }1 L* {, m# T& u - printf("eccnum,eccstart:%d,%d\r\n",eccnum,eccstart); 8 Q) e4 O9 w% x t$ |
- printf("PageNum,ColNum:%d,%d\r\n",PageNum,ColNum);
# o) r ^# w( Y - res=NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart]);//ECC校验; N' W, F X: o! g
- if(res)errsta=NSTA_ECC2BITERR; //标记2BIT及以上ECC错误" g V, E& a9 o7 S) }& ?
- else errsta=NSTA_ECC1BITERR; //标记1BIT ECC错误
4 |9 i0 w5 X2 p$ o1 p/ K - }
. U/ r/ q% i7 B* ~ - } ; c3 `! v" r0 X" l" H
- }) P& T; t g8 ~1 q
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)errsta=NSTA_ERROR; //失败
: i. D6 ]9 N+ V0 z* R' S - return errsta; //成功 / w) m0 K/ u- t' N5 h& s
- }
; D. F1 Y' w6 |, m: P0 U$ m# u - //读取NAND Flash的指定页指定列的数据(main区和spare区都可以使用此函数),并对比(FTL管理时需要)
; ]+ I7 V" k5 Y# a- u) T3 ` - //PageNum:要读取的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
6 y# E% Y: ~0 @8 ~" \; z4 f+ N8 ` - //ColNum:要读取的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)' S$ H% u) k2 X$ p) U
- //CmpVal:要对比的值,以u32为单位
6 \, ^% S1 @' y$ K; p* a - //NumByteToRead:读取字数(以4字节为单位,不能跨页读)6 ?1 `# @) p& e; k
- //NumByteEqual:从初始位置持续与CmpVal值相同的数据个数
5 x" S* Y V$ e8 I - //返回值:0,成功2 g8 v4 D- |1 \& D2 l
- // 其他,错误代码
2 a: X4 q( ~! D6 U - u8 NAND_ReadPageComp(u32 PageNum,u16 ColNum,u32 CmpVal,u16 NumByteToRead,u16 *NumByteEqual)
- k2 g& k7 J8 y. ]2 ~ - {
+ H6 m8 D6 d5 l! f8 l: v - u16 i=0;
9 ]% a6 j; `; Z - u8 res=0;
9 t) E m2 P1 n3 x) T" S - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_A;
6 u, S( v9 u8 l. h: F - //发送地址
$ j; r* \; W7 J" C+ e - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
" |- f, n' u) \4 X# R% e - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
8 p! ?$ D' X& R% G9 U( V, \# ~ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;
7 ?* Y1 F1 |' I* E, j - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);" z$ o* P& l% B( q) H- r( u
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);& Q+ C; L( C! `4 ^5 s
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_TRUE1;3 U1 r) L' l& U" X/ u5 n
- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过- G4 V- m1 _ i$ x0 b7 e
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备9 d T4 J% ~' V
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙, V& p5 }* i5 y
- //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
! W" \1 K5 I3 z9 Z - //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。
! `$ b$ p6 F1 v% O. u7 Z - res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0 + W' r G" u% f4 j/ q
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出& |! l! O; Z* ~
- //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的3 \" a9 @& q. {5 ^& s5 T, c4 ?4 k
- res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1
( n. F% j8 W1 W( F - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
3 U4 o! m# t. ], v0 k - for(i=0;i<NumByteToRead;i++)//读取数据,每次读4字节; m% d4 v- d* w# u& m# f6 C, u) P
- {
. I8 p5 q0 N- \- L - if(*(vu32*)NAND_ADDRESS!=CmpVal)break; //如果有任何一个值,与CmpVal不相等,则退出.
! Q4 K9 c6 {: g( {- v( r$ d, ]" A - }8 ]3 ?1 c* r9 w2 v. w
- *NumByteEqual=i; //与CmpVal值相同的个数; H9 N" d9 G4 @5 E" a
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
: s* M: t* k+ Q4 d* e - return 0; //成功 1 h, r# t t* f5 h% `; [/ H5 t
- } ( ~* P5 {7 I+ D2 n5 j8 i' a& w
- //在NAND一页中写入指定个字节的数据(main区和spare区都可以使用此函数)
8 Z/ W0 w# t2 K- a, Z" X2 D+ c! M/ v - //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
% ?3 n7 j! \, B/ g, s( j, I: n4 v# g - //ColNum:要写入的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)( a9 x. ]6 _) l7 h `* @
- //pBbuffer:指向数据存储区) f9 `( s" T+ J d
- //NumByteToWrite:要写入的字节数,该值不能超过该页剩余字节数!!!$ |& H# |# r; ~/ [: O H# t2 u
- //返回值:0,成功 . G, k5 ?+ e. n
- // 其他,错误代码1 |% A6 I `; ^& k3 F5 Z1 c: d
- u8 NAND_WritePage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)
$ z1 Y+ `0 U3 X' b: J - {* e1 R7 K) k6 Z0 j" W
- vu16 i=0;
* c8 I( r0 [) u# |7 x - u8 res=0;0 |& e, [. t6 @5 _) R9 b
- u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc/ F" w7 p2 x! g; _9 E
- u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
) z& c& K4 Y* [' ^ r -
+ ~3 \% \$ p4 K- ]8 }: O - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE0;
+ f* J0 m) V5 J: u6 J9 X" `8 j - //发送地址
' t/ R& q3 |$ E6 v; V - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;2 O% |9 x" e1 o9 s( t, ]
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
6 w2 X; B- i* b! A - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;; E' [ d- @9 p$ D7 b5 z
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);3 u" ~7 S) c% i; ?" |
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);1 T- B' E9 v- ~, L- q, Q
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL 5 f# t& U C- p* b ?
- if(NumByteToWrite%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验
, V$ Z, ]0 m2 Z: h9 Y3 v - { : {2 E: D" R9 R O# C* }+ o
- for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据
& l4 n0 V( s& l0 X9 W% j4 A( R - {* c3 J/ L6 P" [( U
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
; _! k. b4 P4 j1 u - }
& {: H" Q5 u Q, v. G( b - }else' p# g) L! c6 f" W# S" c. `
- {
" S, H; t$ k; m# Q+ ^2 M - eccnum=NumByteToWrite/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数
6 @3 |$ J) P; k+ `. s/ U8 l - eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; 9 [2 K% k/ T- E5 {8 N: o% d* P; e
- for(res=0;res<eccnum;res++)
' e& g! J4 f1 A0 ?* N, } - {
- y5 {* D) v! K7 O& V - FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验
6 J/ ~1 P; F, W9 ^9 a( t. G - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //写入NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
X( t) M7 B% m7 c1 D - {1 o8 @6 ^6 {2 d9 g) I
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
# T- l# u$ A; H5 K$ d( i( g+ u - } . [& d' }+ r( ^* M
- while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空
' d0 C/ _$ {5 g; d7 o - nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3; //读取硬件计算后的ECC值
; @# N' T( _) Y2 j L1 T: X) b - FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验. U& _; g# o }( d$ o
- }
5 @0 o$ G. s3 c f6 |: d3 B" F M - i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //计算写入ECC的spare区地址3 h, v8 \7 W' @" U
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
0 T, s( e/ v4 q8 |$ X - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X85; //随机写指令
' I# i8 V1 z( d! k3 V8 e% b& F - //发送地址
; J3 |! V% f9 c - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;+ C( k/ n. [, [+ t% Q& \0 H( U
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);
`+ } ~; e# k' i - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
. k: `8 ]8 y8 H4 N* Z - pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_hdbuf[eccstart];
6 p/ ^ d3 m5 v. I - for(i=0;i<eccnum;i++) //写入ECC
5 U4 y2 m {) k% b, @$ z/ ^! c; m - { 2 m" T* N; \- G' ~5 `, p
- for(res=0;res<4;res++)
/ k/ B" `' N4 Q" e+ W5 X, W - {3 |9 p) ]7 W/ W5 f) x
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
8 n* @' O" i9 N - }; R; D1 X T% q
- } " e5 B Y8 s; m; d
- }
' n( y6 r j2 T5 f5 w/ D - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE_TURE1; - q! ^3 a- R. z" V+ M5 N8 q& T8 s
- delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG. y1 ]* V! T' Q. x2 T
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败! j* K7 |7 k& q) X) v6 l: X
- return 0;//成功 ( c+ X$ E# p; w0 ^5 H P
- }: H+ J& h% D. S* m5 ? r+ ]
- //在NAND一页中的指定地址开始,写入指定长度的恒定数字
8 u* u/ d; K, L6 n, y" I - //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
' A O/ A7 } t5 r6 h+ C, C6 w9 K) h - //ColNum:要写入的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)# I. t+ ]; A" K! D% u$ _0 @/ {7 m
- //cval:要写入的指定常数
5 ?' R0 d7 y2 O - //NumByteToWrite:要写入的字数(以4字节为单位). [. z5 X' ~, l% r
- //返回值:0,成功 5 S1 n) l$ K; r1 V( P' n9 ~! x
- // 其他,错误代码
) H" T" {4 O+ _8 E/ I) G - u8 NAND_WritePageConst(u32 PageNum,u16 ColNum,u32 cval,u16 NumByteToWrite)
4 ?$ k+ H9 T! O$ V3 S( e, O0 f - {# _" L3 U8 ~$ |5 N3 h
- u16 i=0;
4 u G0 W6 ^( i" m7 ?% D$ R' D - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE0;
% V4 a; V! d6 O - //发送地址0 M2 o: }4 P$ N, W4 `
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;8 d" O% b" v+ o% ~1 K9 b( c. `
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
- v: s9 r7 ~ p - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;. ?- {3 X6 w B9 @
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);% ?; {' B% ~7 I7 M! L
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);
a1 I8 ?) M' U5 m) \ - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
/ c0 f& L( S# a- n - for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据,每次写4字节
5 E; ^+ | ^6 E5 p# N; g - {' j3 a. _, r- H7 x
- *(vu32*)NAND_ADDRESS=cval;9 `6 k7 a2 [ T+ C7 @
- } . j/ \, ^7 @8 \1 c
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE_TURE1;
% n/ F/ E$ _# W2 l- L - delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG* @$ ?- a) q1 Y: u; `
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
. U: `: C, c" T, R) p( p* {3 J, z. x - return 0;//成功 & N; J6 y( [) d1 c4 p& C" v
- }( z' R8 a B6 x/ ]! O
- //将一页数据拷贝到另一页,不写入新数据8 Y; V- D2 H7 X! f# x
- //注意:源页和目的页要在同一个Plane内!
% b! R/ E2 ]4 B2 R5 }7 V7 o8 k8 g - //Source_PageNo:源页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
+ O7 O0 ]) {# U: h) Q1 Q2 r1 x - //Dest_PageNo:目的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1) . O) Y7 f w1 p0 L& I: d
- //返回值:0,成功
& ]$ w, T9 X9 O - // 其他,错误代码; x" c/ Y& i+ C; O3 `4 S
- u8 NAND_CopyPageWithoutWrite(u32 Source_PageNum,u32 Dest_PageNum)
1 s1 R( \ @/ f6 o0 h0 g. m7 e - {* |9 ^% w, [' g* r
- u8 res=0;
* `1 ?: J# s3 M- P$ X - u16 source_block=0,dest_block=0; . d# O s$ \0 @- m1 {
- //判断源页和目的页是否在同一个plane中4 |+ x1 \! `0 i) X; _3 W- [
- source_block=Source_PageNum/nand_dev.block_pagenum;# q V6 R. _1 u# d! {. `
- dest_block=Dest_PageNum/nand_dev.block_pagenum;
6 O2 ^: i$ y1 _ - if((source_block%2)!=(dest_block%2))return NSTA_ERROR; //不在同一个plane内
- M& h: \0 y5 |2 @: e - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD0; //发送命令0X00
% A. M7 F0 V- G$ Q, j- } - //发送源页地址
# @3 d& n, f! @2 s# I - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;0 ?0 `- v3 U: b# w9 B, k- h5 p
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;/ H+ n, N( C% l( C& A
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Source_PageNum;
1 R* c2 Y4 \$ b' X/ R% t - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>8);
8 p2 }8 d" T5 w7 W4 n - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>16);
. H4 W2 w# K+ J; N' D$ x% w, r! X) w2 | - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD1;//发送命令0X35
- H, D7 i% f% j, W2 P. u - //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过5 R6 k. D$ V# t; M0 y5 c0 c
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备" S5 _, ]7 {& R9 `3 [0 H
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
1 |2 c; P: X! x# |$ X/ Q# {& w6 X/ y - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行# v0 g8 I9 z# m9 w. W, d
- //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。) l4 F/ }4 e9 C% B
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
; _6 M: O2 f8 _8 s4 N6 X. ~* }' N - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
4 N9 g: Z5 G) t3 t: k' m - //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
3 U; |3 C& J! z0 l" C/ E" i - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 1 R, }+ L9 [2 M8 `4 A4 {, S
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
0 K. a: I; J6 l1 L - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD2; //发送命令0X85
9 K; C5 l) ~* i/ s [ - //发送目的页地址
6 h6 l: p1 k' \( w& i4 ?+ X - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;0 c* o( M0 }, i" e" B
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;
0 ]+ O; @2 @( a: y - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Dest_PageNum;4 s3 v+ P# t m6 `' ^" n( j7 J
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>8);
2 \2 N0 y+ b; b( f - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>16);1 w! J- \& Z. i" J
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD3; //发送命令0X10 # x' t' b6 Z0 P' V
- delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG! [: b% B5 u; h
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR; //NAND未准备好
! h9 v( z2 ?! W - return 0;//成功
, h1 F! K- b, T; D6 a& M3 e - }( ]! E* h' Q% A9 ^
- W( |8 x* ?# t( o3 V5 S- //将一页数据拷贝到另一页,并且可以写入数据
\; R$ Y4 X- C1 d - //注意:源页和目的页要在同一个Plane内!' v% [. b# O: n0 I
- //Source_PageNo:源页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
' R/ Y- l0 @: L/ O; w - //Dest_PageNo:目的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1) " n7 C/ A4 S& V% e5 D E
- //ColNo:页内列地址,范围:0~(page_totalsize-1)
& |) q/ H5 i/ e - //pBuffer:要写入的数据5 J* b5 F' t6 O, I
- //NumByteToWrite:要写入的数据个数, C+ L0 _$ ?9 a9 k
- //返回值:0,成功
' i& ^" z% d. Z I* i - // 其他,错误代码
* b6 ] s4 [# [1 p( | - u8 NAND_CopyPageWithWrite(u32 Source_PageNum,u32 Dest_PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)/ O9 c, J) F: ]: ?
- {2 U) J( s# ^/ N0 }: w+ `) s* N
- u8 res=0;, I3 Z, f9 s" `: A
- vu16 i=0;) z; ?7 d# [! R
- u16 source_block=0,dest_block=0;
* Y8 b, c; y$ X0 W% k; R - u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc' o9 v8 U/ M, K0 T, f
- u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
' q7 T4 M9 B+ f6 V6 o/ | - //判断源页和目的页是否在同一个plane中
O* E1 B; \$ |2 W- X5 K% l - source_block=Source_PageNum/nand_dev.block_pagenum;0 X; q- B# b$ \+ N5 V6 b- _9 ~5 Z
- dest_block=Dest_PageNum/nand_dev.block_pagenum;
3 ]' a" z& _* v - if((source_block%2)!=(dest_block%2))return NSTA_ERROR;//不在同一个plane内
, f; Z! c5 [, F1 x: G - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD0; //发送命令0X00, r" ^* B- l. @% N- @3 [6 h9 d! E
- //发送源页地址
( V# ?5 ?1 }1 [- q% N - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;
) V; k* K$ I+ V# X0 W7 G1 n - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;
$ \ x @ y0 e5 _! _* E - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Source_PageNum;
/ _# s% \4 H O3 ^. d2 r# M - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>8);
! V, e6 Z ~. e9 l+ t% \9 ~; h3 Z - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>16);
- B0 z/ H7 t- [7 e8 h; G - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD1; //发送命令0X35
; O! O" R+ j" p# x( O0 w
! T5 T! b( i+ G- R4 ^' t- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过+ x& ?% w$ [% A
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备1 J$ b0 U2 N) z$ M5 ~7 ~6 ]: _) d
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
! R# ]5 U6 d2 u3 [ - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行3 `# b& V: l& P/ H1 u" k0 J. k
- //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。/ {6 Q/ g, z7 o5 C8 v0 q4 M+ A
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
3 ] ?8 O5 |8 ?1 H! E. H - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
0 p3 o6 x9 B# ^6 {# m# L - //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
! q7 k! b5 e; y - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1
/ s* r2 e# l" L$ f - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
/ I# \. R' u9 n- q, s; ^ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD2; //发送命令0X85
) D K7 b7 x: J1 q: [ - //发送目的页地址
6 @/ ?' `" H2 [8 l+ [0 n& l - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;# a" p% Z3 x2 C9 A
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);! r$ L% G5 o( l6 g+ ` Y. S% H
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Dest_PageNum;
5 o5 O9 `1 |/ S9 {) R3 t2 ^ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>8);
7 a7 b( O+ }( r& O! X7 U: W - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>16); ( U" M. P4 P! n& a. U& X
- //发送页内列地址3 J6 c) Y& C( n8 Z K9 B8 |0 X; w
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
Q& t! }/ E( y, \ - if(NumByteToWrite%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验* {/ s3 d9 o3 b* e7 U% z& S
- { ' J" }5 O9 H9 d% Q; J
- for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据
3 z( F; ?8 O! s" M b4 v - {
' S* @4 m7 j& d# V$ L$ L0 ~% t - *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;3 H) Z$ u5 t5 d; l- H' N- |
- }: h+ T( q+ \0 U8 L
- }else& ^. a" w; L% A2 \( t) q( f
- {
5 F& v: v" M6 ]' G - eccnum=NumByteToWrite/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数9 \7 \9 y+ ^0 g
- eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
" e9 |, Q) ?% t4 F s( |1 { - for(res=0;res<eccnum;res++)
! f/ ~6 G. x. ^3 _ - {
2 y' M$ i5 ~: U2 D( r4 O* z - FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验 - R. z- X! |- y0 q1 L
- for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //写入NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据, I0 E! o( Z7 I9 B& d' W8 L
- {
4 H5 n, h& W# G6 S5 d; _ - *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;* K$ U3 j+ u9 p8 t) N
- }
0 w, h/ i( Y) k) B" ` - while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空 7 h6 B2 i6 r. M
- nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3; //读取硬件计算后的ECC值1 k9 T1 I. c( V9 @& Q6 j
- FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验( `: E5 d5 U+ l) ?1 [
- }
: }8 \5 o7 S) d - i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //计算写入ECC的spare区地址
: i- @$ L( Q# ?7 a0 k. u: Y - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
# f s9 `1 F8 [( C) V7 \* J0 o - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X85; //随机写指令3 O- e. H5 M V/ |7 k7 Y; q2 j) r
- //发送地址 {3 m5 G& y; k @* q
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;
& R; ]' u4 d& F7 y2 M - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);7 S: d3 o, U3 N4 d
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
+ b5 e) w9 u# ?. x/ J9 A - pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_hdbuf[eccstart];
3 N6 b0 L5 ]8 _% q - for(i=0;i<eccnum;i++) //写入ECC2 |8 f+ j' }8 \& Z
- { - @! W1 c7 `" g
- for(res=0;res<4;res++)
2 T; ?1 G8 v5 ]" I7 U0 f - {0 R+ ?& C0 I k$ T5 V
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
7 ], H3 C/ J; ]/ X5 [ - }% n2 R$ Y1 x g+ e
- }
; F- s4 I# a5 w. Z$ P* Z/ O - }
5 G) i" m' D7 ~. L. P - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD3; //发送命令0X10
3 F% A' q3 ~# _" I" h$ ]* b. n - delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG
# ^2 M$ r' Q7 ?: C: r - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR; //失败
0 s- g( d; F. P- |' X9 ?! @ - return 0; //成功
2 c* b2 Y* h0 r5 W* o - } 5 e0 b" P) L( q4 @' v
- //读取spare区中的数据5 V3 }: G: H' V
- //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
2 o8 i" V& V7 E5 D. F - //ColNum:要写入的spare区地址(spare区中哪个地址),范围:0~(page_sparesize-1)
3 L7 @* H0 }; j! b' y0 P - //pBuffer:接收数据缓冲区
y2 y& T$ w0 E2 }0 A9 _; ^ - //NumByteToRead:要读取的字节数(不大于page_sparesize)" }5 X$ |, i# [7 `& H
- //返回值:0,成功8 P6 a$ c9 g( [5 ?; p% C
- // 其他,错误代码
; L$ J, R$ _& D - u8 NAND_ReadSpare(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead) x ?$ Q4 {, a; E* N) Z& p/ C4 d
- {
& @ e j/ U& S4 V' A2 K8 t - u8 temp=0;6 T o0 ?- Y0 q- H e
- u8 remainbyte=0;; S6 Y* n2 U2 N m
- remainbyte=nand_dev.page_sparesize-ColNum;
( e0 r/ ^/ n/ o) { r" |$ | - if(NumByteToRead>remainbyte) NumByteToRead=remainbyte; //确保要写入的字节数不大于spare剩余的大小( z- r9 L* t$ M1 f; G
- temp=NAND_ReadPage(PageNum,ColNum+nand_dev.page_mainsize,pBuffer,NumByteToRead);//读取数据
; R2 Q3 R5 s8 _0 v" f - return temp;
3 P% V; C+ t/ ]( n% m - } : C d5 u" v# O5 ?
- //向spare区中写数据
. a( W& l* v% r9 U/ P - //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1). W3 l) j; z3 l) y9 ~3 Q
- //ColNum:要写入的spare区地址(spare区中哪个地址),范围:0~(page_sparesize-1) & c. `' q+ a+ c, {
- //pBuffer:要写入的数据首地址
& k$ F" s2 p. `5 A) b - //NumByteToWrite:要写入的字节数(不大于page_sparesize)
; v/ K( j4 H/ ~% \/ X7 G2 p - //返回值:0,成功/ M2 K! ?! |1 Y O) ]3 F
- // 其他,失败
6 ?1 ?$ b' I' N& s - u8 NAND_WriteSpare(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)
4 ~4 ?$ G3 a6 \ D" V# G. ~ - {
' T" V2 c% E5 u# G1 l4 y - u8 temp=0;
9 b9 _4 b5 m2 s' S; N - u8 remainbyte=0;6 k. e W7 }: i% d
- remainbyte=nand_dev.page_sparesize-ColNum;7 U h7 d- x ^5 T# _0 u
- if(NumByteToWrite>remainbyte) NumByteToWrite=remainbyte; //确保要读取的字节数不大于spare剩余的大小% c$ I/ b4 o5 i D3 A/ J4 _+ _
- temp=NAND_WritePage(PageNum,ColNum+nand_dev.page_mainsize,pBuffer,NumByteToWrite);//读取3 @/ W3 k' C4 |9 i4 Q, d
- return temp;& y6 n$ U' y* z5 l
- } ' s) F/ ^6 M3 \- l- ?: ]
- //擦除一个块& {9 F# b$ z8 B5 U4 g
- //BlockNum:要擦除的BLOCK编号,范围:0-(block_totalnum-1)
- _- H4 `6 \* M) z) d/ L( E7 Q- j" E - //返回值:0,擦除成功, l! X4 l2 t* C* i. u+ s) v4 E
- // 其他,擦除失败
1 }9 C0 I; U% U; V2 m/ |4 r - u8 NAND_EraseBlock(u32 BlockNum)6 E3 X; W$ u6 ]# c" T; q
- {
( X) ?$ K& E, O3 E) m5 w- a7 E - if(nand_dev.id==MT29F16G08ABABA)BlockNum<<=7; //将块地址转换为页地址
) q# m0 o$ P2 ~& @' A - else if(nand_dev.id==MT29F4G08ABADA)BlockNum<<=6;
( f: _) R: i# C4 |8 e - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_ERASE0;
" W6 Z1 {8 E8 V8 z8 S* P - //发送块地址
, `4 o* r5 f7 ?* D$ \ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)BlockNum;/ H1 D! R- N. X5 s, l
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(BlockNum>>8);
" X) Z- m8 Z; @" q2 K - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(BlockNum>>16);+ c, h. }+ Q- ?7 I8 U+ J
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_ERASE1;2 ?9 }% X' _+ ]4 X5 z# C
- delay_ms(NAND_TBERS_DELAY); //等待擦除成功
- s7 a0 k9 m* Z - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
4 Y" G7 F I9 x1 |" w" C3 _+ C2 c - return 0; //成功
1 N9 i& O" k: [$ }8 B( g- Y x - }
M" c/ v Q! M' B6 b6 {1 F - //全片擦除NAND FLASH
. i) J: {# N/ E' h1 Q' Q& T - void NAND_EraseChip(void)
+ [1 S" e( ~; f9 s - {- H: }/ r/ ]3 ~& Q3 C
- u8 status;' M @0 [* V8 t3 w' `; r( Z: U) ? D
- u16 i=0;
h( k* D: R" V0 s5 @ - for(i=0;i<nand_dev.block_totalnum;i++) //循环擦除所有的块
( R3 q( l+ z7 ^1 F m( g - {3 H7 b: N( i& }0 b4 t
- status=NAND_EraseBlock(i);
- Q6 K$ \# L* B - if(status)printf("Erase %d block fail!!,错误码为%d\r\n",i,status);//擦除失败
! h2 Z& X. {5 R8 t7 c - }. x+ y1 ]9 R. m+ O" h
- } r; l+ E; U/ L( H! I8 ]/ h7 E
" m3 j- c. z4 U: C! p2 y- //获取ECC的奇数位/偶数位 ?& ~9 w( P+ s# {
- //oe:0,偶数位. i$ x- C1 G# i- q0 w; {4 i% R
- // 1,奇数位/ t; i$ w& L9 u8 Q4 _
- //eccval:输入的ecc值
4 J/ F* f! F# h6 W# z. { - //返回值:计算后的ecc值(最多16位)
, p! ]* q4 b) \3 D7 J: t q - u16 NAND_ECC_Get_OE(u8 oe,u32 eccval)
5 M/ F+ o& |9 P - {
6 J! E# e& C: @ - u8 i;7 x: U% Q: k$ D! H* u4 _3 F7 k
- u16 ecctemp=0;
, E1 ~- w, p4 q1 Q9 O - for(i=0;i<24;i++)' i) u& |1 w, V& ]5 a
- {
4 I4 ]& `3 \ F2 N4 ?. W: F+ l' ~ - if((i%2)==oe)
3 a) o$ s8 E; f: x - {
) V$ a& d0 J# D/ u2 {$ @2 L: j) F$ D7 F0 } - if((eccval>>i)&0X01)ecctemp+=1<<(i>>1);
' x+ g2 r6 N! M - }
- v2 H* Z/ {- A - }$ @, o8 w+ @: s; i5 M
- return ecctemp;
- |2 E( h; G: G! V% S! q" k5 \ - }
! P' M3 t; T1 v5 Q: h - //ECC校正函数+ O* O" m5 f' V, j1 ^/ {
- //eccrd:读取出来,原来保存的ECC值
: |( K$ d }5 q* K7 q - //ecccl:读取数据时,硬件计算的ECC只
H4 k) |( W. O% J" J' ~7 {! p7 |% O - //返回值:0,错误已修正
. H% {: X9 T" L# L; K - // 其他,ECC错误(有大于2个bit的错误,无法恢复)3 [; w4 e9 }! Y+ t
- u8 NAND_ECC_Correction(u8* data_buf,u32 eccrd,u32 ecccl)
2 Y1 D/ P6 G% @ c: X& Q - {1 n6 Z" e# ~. t# v2 S* j7 H
- u16 eccrdo,eccrde,eccclo,ecccle;
; _; V7 v2 ?$ e - u16 eccchk=0;4 l/ t( u+ h+ A, {% y
- u16 errorpos=0; & c# J7 u9 x( D# U* K" e- p
- u32 bytepos=0;
1 }, o8 m( c2 J3 v - eccrdo=NAND_ECC_Get_OE(1,eccrd); //获取eccrd的奇数位
3 H( U! b& ?3 f; }/ C - eccrde=NAND_ECC_Get_OE(0,eccrd); //获取eccrd的偶数位- W, Z: l. u( i ^7 O2 ~5 g* b1 g
- eccclo=NAND_ECC_Get_OE(1,ecccl); //获取ecccl的奇数位
7 c2 }6 ^& _( B* Q! ]6 ~. I - ecccle=NAND_ECC_Get_OE(0,ecccl); //获取ecccl的偶数位- R2 }/ z& z; j! d
- eccchk=eccrdo^eccrde^eccclo^ecccle;6 r/ L) G& d2 W1 ~! O K, {. l
- if(eccchk==0XFFF) //全1,说明只有1bit ECC错误, P8 m+ Q: v, a9 |
- {
3 J( a. x: z% d6 x1 r4 R! X$ a - errorpos=eccrdo^eccclo;
5 v+ w: X) Q/ Y$ u/ ?9 A5 i - printf("errorpos:%d\r\n",errorpos);
* H0 d& x1 \2 y' y- F5 S0 j - bytepos=errorpos/8;
/ p: r) T( O( q - data_buf[bytepos]^=1<<(errorpos%8);
" h8 W# m5 @6 k ~9 [7 {( A - }else //不是全1,说明至少有2bit ECC错误,无法修复
, A! y4 U: I% F# a - {( ^/ O* c, L! V$ v
- printf("2bit ecc error or more\r\n");/ H$ y8 u* \: g, j) g4 y
- return 1;
% z/ S& j3 x( W& z7 ?! K - }
x) T9 x7 w4 x; a" _- o5 ?) K - return 0;
& g* n% d) M0 R+ Z& K+ [& K - }
复制代码- int main(void)8 f, {" @4 e" O) n7 y
- { % ^1 r x4 l. A% x" u: k3 ?
- u8 *buf;' d% A0 Y, t- k1 B/ E: N' d
- u8 *backbuf;& \- [6 K7 Z7 [
- u8 res; 7 I$ }3 @) s# W9 h
- u16 i;
1 G, j9 v* c9 O0 V0 r - ) s. l' e. I6 A- }, R: z
- NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
8 r \8 m" \9 u' D4 g/ x- d4 i - delay_init(168); //初始化延时函数
: }4 {9 e" |3 T. g% O( N' ~ - uart_init(115200); //初始化串口波特率为115200 W! m, J# e' i5 D' U7 T% m& s
- led_init(); //初始化LED 8 ~7 {& `7 q3 t
- FSMC_SRAM_Init(); //初始化外部SRAM
) S$ d$ l8 ?* o" a+ p- \ ? -
1 T7 Z4 `" ]7 C" y& o3 ^ - my_mem_init(SRAMIN); //初始化内部内存池
$ R6 _* S3 n" X; S0 x* Y - my_mem_init(SRAMEX); //初始化外部内存池
- E! X7 p. ?, M2 B9 W9 w4 w - my_mem_init(SRAMCCM); //初始化CCM内存池
! u$ V2 g4 {2 } -
/ \) N/ T, W* o7 p. J2 i9 `1 ?! ^& x, `0 W - while(FTL_Init()) //检测NAND FLASH,并初始化FTL4 X1 r& T, m) a! y. V4 m
- {
( _+ C3 @) b$ s. N - printf("NAND Error! Please Check\r\n");
7 v8 S9 B" r4 g' |# P3 W! R - delay_ms(500); & Z' Y1 d3 z, q% u$ K, n
- }
/ R8 _: l5 D, e - backbuf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存8 N- V& h e7 w/ c6 }7 g2 R
- buf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存, V. l# s6 I$ g9 e
- sprintf((char*)buf,"NAND Size:%dMB",(nand_dev.block_totalnum/1024)*(nand_dev.page_mainsize/1024)*nand_dev.block_pagenum);4 a4 S7 h/ g$ m5 |- p, c
- printf("%s\r\n",buf); //显示NAND容量 0 ~% A O1 L- J4 P! V
- 2 j2 r4 l0 R8 q' N4 v) `2 t8 {
- 9 u5 u* m# o0 q- R) T; O
- for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)( V& n. T! c% U' _
- {$ c/ @# F8 h. u: J
- buf<i>=i;" A; ~* Z+ ^5 M( P% |: r) T
- }
% T2 g1 q; A2 _/ W1 U - printf("Writing data to sector..\r\n");
5 R- A; w: F1 `" N - res=FTL_WriteSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//写入扇区7 r. P4 ^/ c9 O0 w
- # Y- R# c2 {" B, W
- if(res==0)1 W7 ]# l% I- A3 U1 o& k
- printf("Write data successed\r\n");//写入成功8 k8 M* _, h6 [6 ~5 w/ M% l1 |
- else 2 y8 A' u3 I8 a% ]: h5 p* Z# X
- {
2 u; g+ D' \/ x% P2 Q, }: ~$ G6 U - while(1)4 U/ k+ G# i) E* u: T1 l% f" W
- {; `! x9 H( R( ?6 z2 F0 g/ s
- printf("Write data failed\r\n");//写入失败% {' Y3 }9 z( i8 F* J/ w9 Q
- delay_ms(500); & V; d4 J+ Q7 v/ w/ b! H8 J
- }, e) t# \+ O% A3 r5 y
- }
3 @$ B% _6 R) S% O ^ - # {/ x* b2 n, S! i
- ' `" j' w* @9 i! f1 D) ~) ~, A
- FTL_ReadSectors(backbuf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//预先读取扇区0到备份区域,防止乱写导致文件系统损坏.
$ {9 G; p* t2 ^: R* r -
% t5 r h$ U* N% g0 I: g8 H4 j - res=FTL_ReadSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//读取扇区; X* y0 U: w0 F: |% z* z' Z
- " ?! q7 I- J7 K* a J
- if(res==0)//读取成功) F2 N5 ~ ] x6 N2 R* W7 }. l
- {
- W/ ?- z3 c& E' l9 {" n2 u+ Y - printf("Sector 2 data is:\r\n");
$ G# q" J6 V$ F2 t' m) ` - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)
, q& D) b' o0 M' j - {# o! y0 A! T/ `" z* n
- printf("%x ",buf<i>);//输出数据/ O' o/ W0 l+ B1 g- V4 z5 M, l' I( h( V
- }
. s' q* Y+ |( `, d - printf("\r\ndata end.\r\n");0 `& Z1 u* I* ?+ n6 V: R* H- Q: w
- printf("USART1 Send Data Over! \r\n"); 8 Q" B: ?' @( I8 U4 g
- }
. [& c* o3 E1 ~+ F7 |6 G -
0 l0 D7 g7 R/ S -
d& p0 B" k0 j# U7 g* J- M - : w/ B% A, S6 j( X" |
- while(1)
3 W3 B" c8 E; u: B8 t - { 6 U% z/ V( y: [8 u" e; i7 r- ]
- turn_prog_led();2 T2 h! T1 ]3 C+ T3 v7 U% {
- delay_ms(10); ; ]( F" ^8 U- T' P( M
- }
9 I3 T/ ]& q4 G2 v - }$ P7 d6 |% r u* r
' B8 ~, z) i' `! @' z/ ]! J- / n' R9 _& e# _8 ~) Y1 Y) \9 b S( F# v
- </i></i>
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! ]3 @6 x8 N: Q/ h" E7 c+ b+ ?+ J( G2 X/ i) {- u
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