一、MT29F4G08A概述4 {) p( L$ \3 H& v' E
MT29F4G08是一颗 512MB 的 NAND FLASH 芯片相对于 SPI FLASH( W25Q256)和 SD 卡等存储设备,NAND FLASH 采用 8 位并口访问,具有访问速度快的优势。
$ v/ ^: w# ^+ ?; I l5 o7 [, E! ^1、NAND FLASH信号线
q% M/ T6 y. @- j* b
/ R ?7 S; w+ l, M& o, s4 o# d- N3 c
% t# i8 a, J3 g; v2 d* i6 C# J/ N- ]
2、NAND FLASH 存储阵列
6 B- R: w& \7 L- w4 n
! E" N. F3 N q6 Q9 \5 v
* u$ z, t* B% D1 t/ e
由图可知: MT29F4G08 由 2 个 plane 组成,每个 plane 有 2048 个 block,每个 block 由 64个 page 组成,每个 page 有 2K+64 字节( 2112 字节)的存储容量。所以, MT29F4G08 的总容量为: 2204864*( 2K+64) = 553648128 字节( 512MB)。其中, plane、 block、 page 等的个数根据 NAND FLASH 型号的不同,会有所区别,大家注意查看对应 NAND FLASH 芯片的数据# V1 S1 {* w" ~
手册。
3 y3 p0 O; x0 s( }NAND FLASH 的最小擦除单位是 block,对 MT29F4G08 来说,是( 128+4) K 字节, NANDFLASH 的写操作具有只可以写 0,不能写 1 的特性,所以,在写数据的时候,必须先擦除 block(擦除后, block 数据全部为 1),才可以写入。NAND FLASH 的 page 由 2 部分组成:数据存储区( data area)和备用区域( spare area),对 MT29F4G08 来说,数据存储区大小为 2K 字节,备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效数据,一般都是存储在数据存储区( data area)。备用区域( spare area),一般用来存放 ECC( ErrorChecking and Correcting)校验值,在工程中,我们将利用这个区域,来实现 NAND FLASH 坏块管理和磨损均衡。
2 I* R/ w N8 F) a: M1 \3 U% u4 KNAND FLASH 的地址分为三类:块地址( Block Address)、页地址( Page Address)和列地址( Column Address)。以 MT29F4G08 为例,这三个地址,通过 5 个周期发送。
4 q1 T3 O. d& S$ a& K2 O3 [
4 v1 d* w+ G( {" m二、部分参考代码
0 ]0 F4 x; i0 i% w4 F1 z6 p! z8 J# \+ ~8 E! Q
- FSMC_NANDInitTypeDef NAND_Handler; //NAND FLASH句柄
X; {3 U1 M! x1 b$ | - nand_attriute nand_dev; //nand重要参数结构体
0 E- X9 U0 @7 ] - ( Q0 S9 z. R$ Y
- //初始化NAND FLASH6 V* ~( {% M) q' M2 X
- u8 NAND_Init(void)
9 p0 N6 U) w2 ~* U - { _: Z5 F1 y4 G. M, E: X P& A4 ^
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;% w: U, F0 t- [
- FSMC_NAND_PCCARDTimingInitTypeDef ComSpaceTiming,AttSpaceTiming;
4 q; V7 @+ k! ~9 o - - U# k6 Y. m, g$ Y$ {& ?$ |+ o- `
- 2 M! d( F; A& p! B7 R: f
- & ]6 M; b, N p. z$ E7 X/ _
- RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOD|RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD,PE,PF,PG时钟
. ?7 E+ `( y, |; @5 n - RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟 + u1 \9 q, U- B6 y
- RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);5 P; h% g( _. l k- S
- - C* u2 W w: t) y+ {& ~! x; i x
- 0 d- q! W4 s5 s
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0|GPIO_Pin_1|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_5|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15;
% _3 h; \4 p, S- U' x' y5 U - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
) x+ b8 L$ K( m% V( j/ S5 j - GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
9 F4 ^- B$ q/ ^+ U - GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
0 ?( h7 z" [* R+ g; V - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉' M6 N( w+ Y+ v+ C
- GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化 & s" d( ~3 H b4 l7 M& d$ p: Z
. S. u% N& v$ B- h6 c3 l
0 o r' ]4 q7 P# N4 B- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_3|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10; w& U7 ~3 U+ ~, u& C
- GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
{) a. K; P6 X3 z) } - GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出1 S3 G6 S( s, f; w
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz9 O$ ~ x9 A$ y' l; x
- GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉# f( \6 n9 K# G0 b& B% l
- GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);//初始化8 C7 c* q8 {7 `& \
- , B1 T8 \/ X! l4 f
2 {4 ~1 C- f' [- ~9 S- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;
4 i) ]# l+ @" z( [$ i! j/ S9 Y - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出; g; f% R7 T) k: V7 ]; P9 U( c; d% q. h
- GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出" W' l/ l. `0 b& L3 ^/ w
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
; L5 v w8 a1 F5 X - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
: U; x; ~) g" \ - GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);//初始化
6 j' t& o/ x- \, B z" B/ ^2 D# R - . W; Z" k+ J, j) A
-
6 e+ [) Q: x' b* F2 ^ N @2 G - GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_6;
/ ]7 W+ }6 f. |4 W& r; K+ O - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN;% Y8 O) o% A! F6 k% U: c7 b; S' Z
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;; U% k# [% b/ |& J3 M3 C& \- q
- GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;
) q" C# |+ o5 ~1 s& d7 j8 a' [& B - GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
, N& ?) ~& Y2 p - 8 K5 d: a \0 G
-
c! W' m1 t1 e4 \) E7 J - GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_2;
' u1 y, P; r; d$ n) y4 d2 y' X - GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;+ Q: B- ~( b2 |. e
- GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;
) O% v* K+ S8 z8 ^ - GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;
: K8 I8 B, }, M* r9 I - GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;
) n6 a$ h9 t, _8 p - GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);% P- D1 H: H1 o o6 |8 o
- GPIO_SetBits(GPIOD,GPIO_Pin_2);
2 z+ j4 s, s- a& k# U O* J( a
0 _4 I, \0 ~' `+ b+ J& p9 V2 p- GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
; h4 W/ _* ] z: i# `% W( q9 \ - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12
4 A; d# \: A6 S- ] - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
1 N4 y) m A" q" ^- q( j - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12 5 r7 Q" Y; t6 F8 N+ N Q
- GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
6 U3 |; N" v2 p4 D - GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PD15,AF12
5 j* _; F0 v. O; W6 B - & y" Y6 H' h/ ?- _2 Q1 _4 ]
- GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
4 l9 X/ @6 t# |" k - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);& ?& v8 n. W$ f, L h
- GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource7,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
1 U7 @' D( }0 h s* \ - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC);
( n7 B7 o" S) N7 \ - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
1 m$ s; C( n) D! R; U o - GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
& b, x, O; F8 G0 U
; Q# |3 I/ \. t) O- GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
/ y, K- T4 Q1 N; _ -
5 I4 ^6 f6 _" h - % P/ T/ B! o6 a' t; s @$ b
- 7 p4 d9 y# l1 [. C: ~* Z, ]
-
P6 w3 R" L+ C" }; i9 S3 J+ S - ComSpaceTiming.FSMC_SetupTime=2; //建立时间
, _9 I( r! O8 x6 ?8 _ - ComSpaceTiming.FSMC_WaitSetupTime=3; //等待时间
8 r- h( \3 ^. u3 S7 i! \' T! Q - ComSpaceTiming.FSMC_HoldSetupTime=2; //保持时间
3 ?; p9 R' p/ i& _- h - ComSpaceTiming.FSMC_HiZSetupTime=1; //高阻态时间3 K8 J, C* z @) N& S8 s
- ) F7 h9 t# l: D: T2 R* j
- AttSpaceTiming.FSMC_SetupTime=2; //建立时间
z }# m; F$ ]/ R1 G - AttSpaceTiming.FSMC_WaitSetupTime=3; //等待时间
3 A+ c; ?; L2 M* Y0 w6 K - AttSpaceTiming.FSMC_HoldSetupTime=2; //保持时间- g: y7 }9 F2 b7 D/ \
- AttSpaceTiming.FSMC_HiZSetupTime=1; //高阻态时间
( n6 f( P# O6 g2 E! J( x% Y
/ X! b$ M" ~: g7 [" l- v2 L- ( q$ r7 S6 t' v4 L& D2 D) I
- NAND_Handler.FSMC_Bank=FSMC_Bank3_NAND; //NAND挂在BANK3上
6 l" f8 w' `; k1 M8 ]8 c5 I: ? - NAND_Handler.FSMC_Waitfeature=FSMC_Waitfeature_Disable; //关闭等待特性
9 r. u, A8 c* D5 p% D% _, g - NAND_Handler.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_8b; //8位数据宽度
, W( ]& O% X1 r S$ x2 X" s - NAND_Handler.FSMC_ECC=FSMC_ECC_Disable; //不使用ECC9 y7 H2 c. v/ k m) c" V: a. x7 C0 N
- NAND_Handler.FSMC_ECCPageSize=FSMC_ECCPageSize_2048Bytes; //ECC页大小为2k
# I7 l# H* i: `( {% \ - NAND_Handler.FSMC_TCLRSetupTime=0; //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5ns; N% D8 Y1 \- _ S, n3 ]1 L' _. B
- NAND_Handler.FSMC_TARSetupTime=1; //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/180M=5.5n。
* j5 Q& L# l' `6 H) O7 u% o - NAND_Handler.FSMC_CommonSpaceTimingStruct=&ComSpaceTiming;
3 v6 o9 K: ?; W5 c' B$ q - NAND_Handler.FSMC_AttributeSpaceTimingStruct=&AttSpaceTiming; - `- D b6 Q! @: U* u% b8 b
- ' p' @6 n& V% E, |% O5 x
-
6 X' U( G; r# k- ?4 ` -
4 G% Y4 y/ H/ H% e" s - FSMC_NANDInit(&NAND_Handler);
7 K t* k5 ~6 D; y% _; E. E - FSMC_NANDCmd(FSMC_Bank3_NAND,ENABLE);, o# c8 r& m1 M. p7 w
- 6 c# f" X; V9 c* I. D1 J) F9 |
- NAND_Reset(); //复位NAND
$ @! T) c. Y0 m( T! E" k - delay_ms(100);$ B! Q) A. m! @' _) V8 p# T8 o* {
- nand_dev.id=NAND_ReadID(); //读取ID6 l4 J# S/ [$ R" I/ y2 {
- NAND_ModeSet(4); //设置为MODE4,高速模式 5 X) t9 C1 H" g7 _ G4 T( H
- if(nand_dev.id==MT29F4G08ABADA)//NAND为MT29F4G08ABADA5 j/ ~* H2 p0 M: s, x1 J: K
- {' f. j! m$ t t( n! [5 O: H" i. Y( p
- nand_dev.page_totalsize=2112; //nand一个page的总大小(包括spare区)2 w7 V, m4 L6 p) S; c ?8 o% Q
- nand_dev.page_mainsize=2048; //nand一个page的有效数据区大小" ~; l: y1 t/ |4 m
- nand_dev.page_sparesize=64; //nand一个page的spare区大小/ V% ?! g* Y! K( N
- nand_dev.block_pagenum=64; //nand一个block所包含的page数目
1 C- T3 w. A6 a6 I% r4 U9 ~, X - nand_dev.plane_blocknum=2048; //nand一个plane所包含的block数目: `* P8 P/ m2 s1 u1 E
- nand_dev.block_totalnum=4096; //nand的总block数目" |+ `/ i' j6 Y
- }else return 1; //错误,返回
( Q. S. Y, |5 Q* r - return 0;, ~. Y$ T1 c0 m, B
- }
5 \) C; E, d+ x0 Y+ s
D5 o! }. _# E: [- 7 W& h! |% M! b3 X) G0 c
- //读取NAND FLASH的ID0 n8 G, h1 ~. p3 ~, d# h# y
- //返回值:0,成功;
: O5 R+ q! F4 S- G9 e6 f% |2 N - // 其他,失败5 i! ]2 g0 m5 s7 W S; w
- u8 NAND_ModeSet(u8 mode)
# A& Q+ H1 X! J/ K - { ' q1 W+ G8 H0 J
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_FEATURE;//发送设置特性命令
5 {2 r: @7 q* q( Y - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=0X01; //地址为0X01,设置mode
) z6 X8 b# @8 U3 t9 A$ I3 F) Y - *(vu8*)NAND_ADDRESS=mode; //P1参数,设置mode
* K, u2 T9 A5 O0 l5 |. ^1 ? - *(vu8*)NAND_ADDRESS=0;, f2 g5 N7 W a6 p
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=0;
( H [0 h6 u% C( L - *(vu8*)NAND_ADDRESS=0;
! h' c- e4 ]; y: c) q8 M; D3 w% E6 s - if(NAND_WaitForReady()==NSTA_READY)return 0;//成功- m" \- e# ^( D! ~) B& a) N
- else return 1; //失败
$ @+ |: ], \! t - }. k# i y' O8 ], v. J) p5 A" c
- 1 S) |! J8 S% ~3 l
- //读取NAND FLASH的ID; H: I6 G9 q6 u" c
- //不同的NAND略有不同,请根据自己所使用的NAND FALSH数据手册来编写函数 m( g* p1 I( N9 o8 p& w
- //返回值:NAND FLASH的ID值1 G6 b0 j9 |8 {2 c6 I2 N
- u32 NAND_ReadID(void)
% _7 H4 y) C0 N- W8 i - {. ~) C5 n$ I% @9 z- Y( {
- u8 deviceid[5]; * z8 C$ g& H D9 O
- u32 id; 5 Z: H' j# d( y: n" i
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_READID; //发送读取ID命令* M3 v: L7 } }" b. c3 T3 H: P1 F
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=0X00;
% u8 s, p# C( v1 U' A7 o - //ID一共有5个字节+ Y8 v% _+ f" k, r' v8 F
- deviceid[0]=*(vu8*)NAND_ADDRESS;
, Y, f$ }7 b1 K' f, }( h! b - deviceid[1]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; ' ?+ U; _9 }/ i* \- T/ N
- deviceid[2]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; 9 O- @% y& h$ l- a
- deviceid[3]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; . s9 k; B3 I; r: q# N
- deviceid[4]=*(vu8*)NAND_ADDRESS; & L, M& G g- d. i. L9 E# J
- //镁光的NAND FLASH的ID一共5个字节,但是为了方便我们只取4个字节组成一个32位的ID值: W0 P: u* b y C- A# @6 @' S
- //根据NAND FLASH的数据手册,只要是镁光的NAND FLASH,那么一个字节ID的第一个字节都是0X2C. A, m( M1 M0 ~! K
- //所以我们就可以抛弃这个0X2C,只取后面四字节的ID值。
8 B: d& N2 F4 h6 T2 |, \ - id=((u32)deviceid[1])<<24|((u32)deviceid[2])<<16|((u32)deviceid[3])<<8|deviceid[4];; V6 [2 Y1 ?( Y0 Q1 A; B% s
- return id;
! y- V2 M7 C. `8 u" f - } - ~4 t4 e6 P3 B& E" \
- //读NAND状态* V7 a# l' i3 u0 [6 ]3 [9 `# u
- //返回值:NAND状态值
& M, G! n, G1 i7 u - //bit0:0,成功;1,错误(编程/擦除/READ)) A! {5 H8 A: C, Q* g+ c
- //bit6:0,Busy;1,Ready. T. j. a5 J) i8 _
- u8 NAND_ReadStatus(void)
, J4 ?/ x7 x% B$ `' ? - {
/ O" R; l. a6 c# l0 y, `- O) s - vu8 data=0;
5 Y% Z( f+ L3 H7 k( \6 ] - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_READSTA;//发送读状态命令, @* O/ t, n; s0 T$ S
- NAND_Delay(NAND_TWHR_DELAY); //等待tWHR,再读取状态寄存器
0 n/ W' j- b { - data=*(vu8*)NAND_ADDRESS; //读取状态值
3 B; f* o- r/ _* v: O& I - return data;
9 u( V4 l6 Q; }8 }* d" D8 [+ Z* J- W - }
: i& j) ~9 F( F/ b$ L5 e - //等待NAND准备好
, r+ b) L6 n H2 F$ E0 m) Q8 L - //返回值:NSTA_TIMEOUT 等待超时了" Q' i& ^0 M4 U: _8 p- E" u
- // NSTA_READY 已经准备好5 V3 R% s) u. |6 m) O5 {! p) e1 ~
- u8 NAND_WaitForReady(void)
8 S0 ?9 Y8 c/ k0 \8 E) K8 v' [ - {* z( m( c+ Q- `0 s8 H% R a
- u8 status=0;& I" D" y1 I$ r+ ^6 y- d4 f2 ~
- vu32 time=0; w) N' m( u* _, z$ a& a
- while(1) //等待ready) j% o: x7 N& V+ E
- {+ [/ R( ?$ h/ ]3 Z. t/ z) k! `% L
- status=NAND_ReadStatus(); //获取状态值. m, Q2 o4 c" N0 ] _) d; U8 O
- if(status&NSTA_READY)break;$ p1 k' }4 G4 Z4 o* F2 S) {
- time++;
# w% D. R1 z0 m- Z7 X& \ - if(time>=0X1FFFFFFF)return NSTA_TIMEOUT;//超时
1 n! u* x. t. Y+ l% H+ K - }
) c/ ~/ @" \4 b7 i - return NSTA_READY;//准备好7 }5 y, l" K* U" ]6 g
- }
. k) [ \ e c5 a - //复位NAND' ]/ H/ v% |! \# d7 h, m5 o* H$ W
- //返回值:0,成功;# @ A& h7 W' p/ g" q) A
- // 其他,失败
) |4 _" p0 s, ~9 q& V( I - u8 NAND_Reset(void)
# x0 c% V8 q. ]$ B9 V" { - { ; L) [0 u3 U/ E( Z7 K; V
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_RESET; //复位NAND
. y. _) u) Y5 Z - if(NAND_WaitForReady()==NSTA_READY)return 0;//复位成功+ k9 y* @ Q9 e
- else return 1; //复位失败
; p! w/ L$ }+ ?5 C9 ]! Q9 ` - } 9 K5 B2 f$ a& q3 S: K0 A! Z
- //等待RB信号为某个电平# A7 f9 P3 A$ X( g& }! J. P- R
- //rb:0,等待RB==0( H0 f U* }. E8 n
- // 1,等待RB==1& z& ?( W8 X$ S" T) E A
- //返回值:0,成功
4 Y$ Q; s9 b: B+ \ J9 @1 i - // 1,超时7 L9 A2 J$ T; q6 E$ x# Y3 d4 N
- u8 NAND_WaitRB(vu8 rb)- u9 `) L0 v+ R3 T( k3 L
- {
1 f6 C/ q/ p4 b - vu32 time=0; : O' r& A! d# _, T( Y) B
- while(time<0X1FFFFFF)
- T% p" P0 e% Y7 y2 N( P- H - {( k! F+ \' ^6 ?/ Y
- time++;% K. b j! e7 m) r* B$ b7 `
- if(NAND_RB==rb)return 0;
( N1 }: g9 r- Z - }0 u; S) N3 f& j; _9 X1 o, Y3 f7 Z
- return 1;. v( x7 V2 v7 S# q8 Q' f6 y# @1 A
- }- M' F) A t- u2 H- A$ o+ i
- //NAND延时
6 `2 }* Q5 G5 C2 `9 c& a; i+ N! m3 X! E - //一个i++至少需要4ns
: m n1 z2 y# U S" ]: u - void NAND_Delay(vu32 i)
c; D: M) ]" u# K - {
# O, l9 c; A) W- y' c8 S - while(i>0)i--;
- R3 j& w8 C+ N! V$ k - }
. o) H! E- @2 _ - //读取NAND Flash的指定页指定列的数据(main区和spare区都可以使用此函数)! i9 E# P; {' n" v d- Y* V+ q0 J1 s+ n
- //PageNum:要读取的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)$ w3 A l6 @' g7 P
- //ColNum:要读取的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)$ \+ c6 T- ~ K S6 ~( |
- //*pBuffer:指向数据存储区+ Y! ]6 y% W* l! f
- //NumByteToRead:读取字节数(不能跨页读)% n; G- c. g% K: ]
- //返回值:0,成功
& `. b0 b* u% u! c - // 其他,错误代码
$ H* s. q3 t& g1 R# M - u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)
9 T$ S4 `1 f/ z - {
! e) u6 B3 G; H( ^0 u4 m - vu16 i=0;5 A+ y9 b- I5 ^# r1 s
- u8 res=0;
9 ]+ y4 z- p3 K% C d: C Y* _ - u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
& v B; e1 n8 x% ?7 d - u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
8 z, x% X+ D( e" E; s - u8 errsta=0;( @7 j% l& d2 @2 k, o% S R
- u8 *p;2 w9 U3 e8 U' I
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_A;
! p+ T% e. x" ]0 a# W - //发送地址
. r$ c3 e$ i; H; K - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
$ D% e' M# W% o/ R, `# i& G ~& n: d - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);1 R- J) v F) S$ c
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;' O7 v- i: `. H, u& c
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);6 U3 Z7 a. X( F
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);, v+ T( P' K! N8 \
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_TRUE1;
: n2 c6 V4 H# P9 P! I3 s - //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过" R$ V$ }4 ~* Z9 x' \0 Y8 c
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备! n) S3 J2 ?- p6 ?" u; w! o5 f
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
) s6 X* u" Q4 b4 E3 d" P - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
7 Y0 w$ a7 s1 n6 P- H' H% u7 P - //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。; b& O2 D @7 v9 ~) w' M
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0 8 o( {. j: C3 e4 A" g+ P6 S) _, @
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
7 L2 t( u9 ~8 r1 Q - //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
6 i# [% U8 V8 |, x1 p% n2 B4 _ - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 2 N Z: e2 L! v5 x4 Q8 @5 i
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
/ ?1 J. x6 N; i5 J$ T: C - if(NumByteToRead%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验
) N; j6 ^9 |7 V5 J; V5 F - {
- G0 r9 J! N7 K4 E5 S; Z - //读取NAND FLASH中的值9 W0 y n& \+ u3 A
- for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
2 H, z8 x# I2 |- I" m! I - {% h6 G7 \1 w- s) ^
- *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
* t! A y! }6 k7 m- G8 l4 N - }, r- P% G, p/ {/ W9 ^
- }else
+ j# r8 N8 d* |, b - {
) V% c% o2 _$ v) c- O9 }% A - eccnum=NumByteToRead/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数5 S: o5 {4 x Y$ `; P7 Y$ N
- eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;6 @9 y3 Y9 ^% c+ D, B6 W
- p=pBuffer;0 z6 M; q! l$ J, h, b2 o
- for(res=0;res<eccnum;res++)
7 h' T( m! g1 x, e& g6 S - {3 ~* q. m( L+ f3 ^+ F3 N2 u i
- FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验
- _' M# \: @# A. W" Y - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //读取NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
. c; A# D: v; k% e2 Q9 {3 i }$ b - {
2 c4 q) {" D9 ]8 d- ]* j3 b, @! Z+ c - *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
2 V' y+ a% L+ E n - } : s3 o: [* ^# W) @) C1 c) y7 j
- while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空
! n9 U1 U+ i7 j* x9 d) `- } - nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3;//读取硬件计算后的ECC值8 t4 m6 I6 b: e" p( z& o" \) U
- FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验, G' n# E5 q; ?% w
- } G. Q+ c/ ~/ ~* k
- i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值- V. `, o0 {* K
- NAND_Delay(NAND_TRHW_DELAY);//等待tRHW
8 c y" \" ?) d. d/ y - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X05; //随机读指令& ^2 M( c- Y& R# P. x+ {
- //发送地址
3 Z6 f5 L" j e8 l4 i1 E - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;7 d) j- C7 d( l$ p; @2 {
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);- G7 v+ u, J: H/ ?7 i- K
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0XE0; //开始读数据
/ I* p! o# x) \' p* J3 \% |8 k - NAND_Delay(NAND_TWHR_DELAY);//等待tWHR
, ~; N: N8 @& \0 W1 C - pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf[eccstart];
' j4 I) j4 l- r* ?, e - for(i=0;i<4*eccnum;i++) //读取保存的ECC值
/ c7 t5 n' }. H y) ] - {. Z4 d. ^% x; ]8 y
- *(vu8*)pBuffer++= *(vu8*)NAND_ADDRESS;9 x0 y) o2 y# e6 _
- }
: e8 s8 e0 l _# V% s6 q - for(i=0;i<eccnum;i++) //检验ECC
9 S4 y4 \) h E# v; k - {- F3 q7 x; H4 G1 {5 S8 U7 w9 I
- if(nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]!=nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart])//不相等,需要校正
( C1 Z9 G( E: ] C, Z+ N; u' j3 b - {, g" |$ F' [! z6 a
- printf("err hd,rd:0x%x,0x%x\r\n",nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]); / C ]( t( U! d( X7 @0 P/ z
- printf("eccnum,eccstart:%d,%d\r\n",eccnum,eccstart);
; y( U6 o: z0 ^ - printf("PageNum,ColNum:%d,%d\r\n",PageNum,ColNum);
0 ?! E, U, J! d2 @- O+ z - res=NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart]);//ECC校验
! U n( K( Q6 g" ]) a- Q - if(res)errsta=NSTA_ECC2BITERR; //标记2BIT及以上ECC错误
Z u* P% B" L* x! K4 i3 ]3 G - else errsta=NSTA_ECC1BITERR; //标记1BIT ECC错误; ?+ r9 j5 S0 \
- }
* c0 s0 W3 ?; r/ D1 A; s - }
1 Q5 [& G8 |& M# c$ W - }
; u2 E+ ^# n4 Y8 _ - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)errsta=NSTA_ERROR; //失败$ m6 O" r5 I( x! u4 U
- return errsta; //成功 8 \- y$ p% h) K* S- X: g$ p
- } ! P5 j0 A- X0 |+ U8 |! x# ^5 `2 c
- //读取NAND Flash的指定页指定列的数据(main区和spare区都可以使用此函数),并对比(FTL管理时需要)# e. }, }: u0 w6 T8 q) K
- //PageNum:要读取的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)/ [) _' `4 i+ U) R& `
- //ColNum:要读取的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)
# h5 K o9 r+ D7 q5 [9 D - //CmpVal:要对比的值,以u32为单位
8 ?/ X6 b9 U4 Q' N a/ S - //NumByteToRead:读取字数(以4字节为单位,不能跨页读)- h' C. ~* N1 N: O0 ?6 K
- //NumByteEqual:从初始位置持续与CmpVal值相同的数据个数
2 S0 ?9 g- y% o1 _8 X - //返回值:0,成功
- g: u X4 ]* E- ^; R3 n - // 其他,错误代码
& R! O9 o$ Z+ Q, ]$ N - u8 NAND_ReadPageComp(u32 PageNum,u16 ColNum,u32 CmpVal,u16 NumByteToRead,u16 *NumByteEqual)% R- h& w) A* E2 k7 I7 w& c
- {
8 A# Q, ^$ R& n1 S9 `" n: q' Q - u16 i=0;
0 `; \* j6 v. N& V' K# h+ ~ - u8 res=0;$ j( S+ W5 }+ O" t
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_A;
! ?5 j5 n0 A* D" M% @# e8 N* W8 G0 O) V - //发送地址4 |3 P. q `/ F
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
0 f `9 u. `+ z! V - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
* c( O) i& m2 L$ b2 @+ W$ ] - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;
0 k5 B8 Y+ E/ [. X, a) J" I2 { - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);
# L1 x8 L% K! V, ^' U }$ P. Y3 f% ^ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);4 l0 e* X4 ~4 b2 k) f. _7 m
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_TRUE1;; |: Z4 R- e7 H
- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过
2 t! x0 M- z) F - //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备* c1 w% `( x! d1 |0 s$ [/ I& D
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
1 r# }) A( _5 ~ - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行 \; q& B! |# z
- //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。 R% D3 O6 w5 S# m) e" Q
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0 ' o, i) Y6 @5 r. W" C! f, k
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
6 H7 Q. J2 |# T- f - //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
6 A. H( U8 n9 @; l7 [7 s/ H5 T - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 6 p; t) c' v( G4 d/ y
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
0 J3 ]8 B% E0 X+ ^' m2 a - for(i=0;i<NumByteToRead;i++)//读取数据,每次读4字节% J0 _+ p4 B8 ^# K5 |
- {5 t' _. U; o: f& X4 h
- if(*(vu32*)NAND_ADDRESS!=CmpVal)break; //如果有任何一个值,与CmpVal不相等,则退出.! D" m( n2 h! |' d$ e2 i
- } y: E; g3 J, L
- *NumByteEqual=i; //与CmpVal值相同的个数3 Z3 A0 ~; G2 ~$ a) S/ i3 F
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
, h" L; R& \3 U3 O2 s+ G& m - return 0; //成功 . m" V5 c8 T0 J' F1 k8 W8 f
- }
7 R2 F/ p- k' L, f/ C - //在NAND一页中写入指定个字节的数据(main区和spare区都可以使用此函数)+ G/ v. h, a& a9 i& x
- //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1), F- @9 @* v; B5 Y- o
- //ColNum:要写入的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)
* Q, H) D5 R3 S8 e a - //pBbuffer:指向数据存储区
2 R& {) _/ Z3 }9 a+ Q! i - //NumByteToWrite:要写入的字节数,该值不能超过该页剩余字节数!!!
4 Z! Q" n7 L% V$ g1 Q% E3 [ - //返回值:0,成功
' M2 O& o+ `9 }, ?0 i - // 其他,错误代码
& \" _$ I g( a - u8 NAND_WritePage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)
) ?: f. @. `1 W& b; L( \) ~. } - {0 c; W3 V6 R/ \2 `+ x j5 R
- vu16 i=0;
' U# n. w6 _/ Y X! N% t( x - u8 res=0;3 d( j- L) ?! q6 w! b. ?
- u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
. {5 K, Q0 a8 M" S4 [! p* H4 e( h - u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
; S2 c, v$ t7 n. W, Q" i - , |' }. }# S1 T4 B& [6 V
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE0; L3 y9 C& n+ _7 E8 B% _5 L' V6 n
- //发送地址* c/ Y+ c6 s8 h5 l
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
4 b$ ~- d3 i7 r; `( T3 q6 d - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
/ o& `8 P4 J" V# S3 \$ [$ c - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;% `: n# U1 v I" }8 b: B9 f9 o
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);
% I, O9 ~1 Y4 X9 _' j0 z - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);5 I# F3 V5 U; X C$ E: [2 ?3 @- b
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
% m2 t, U( p* D. |3 _7 _/ {: T1 c - if(NumByteToWrite%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验
5 Q' F$ |4 T* f; u - {
0 g; i6 l! |! \+ M* {; S - for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据
R, |! V& J! M% f3 o0 J - {8 ?- e4 T0 q) J/ N- @3 F
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;0 u. w; q- p" c' D
- }$ P" m3 y, q3 F" s! ?" [+ l
- }else
* r0 P% p& p7 b0 J5 p+ K - {+ Z: ~+ I) H0 \1 |5 u( V: i
- eccnum=NumByteToWrite/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数 I* e' O) S/ i% Q
- eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
2 q2 ]: u) A# r0 Y# W; v5 s - for(res=0;res<eccnum;res++)8 P7 F+ V! k: C' _0 n4 H7 O8 V( j
- {+ S% m/ l$ Y' G( \1 L/ ?3 w
- FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验 , q6 l. Z) M% {/ N- ]
- for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //写入NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
& o- {5 ~8 |5 n: F) o# k - {# s' T* j; ]5 L* N. \) C" U" u
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
* X4 o0 o) j' ] - }
- P4 ]6 Z5 Z6 q; O \ - while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空
. Z" b: @5 Y% @. }5 @: c. f( p - nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3; //读取硬件计算后的ECC值
2 j* @' l; w( l - FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验
% J7 g* o) \2 B r - }
4 I0 R W6 j# j9 e - i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //计算写入ECC的spare区地址
0 U" k. Q% q9 T/ r/ d4 a - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL " G; T0 e0 j1 ^& P, N `
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X85; //随机写指令# g0 y: l) a5 S: n
- //发送地址
; v+ G7 o" j6 U% ^' t - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;7 s) s% ~' G: Z$ O* N
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);
* h- ?' M: t( t - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL ( b1 j" V7 l. E4 h
- pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_hdbuf[eccstart];
$ I! f# h) K5 k7 f( H3 ?/ J. \ - for(i=0;i<eccnum;i++) //写入ECC
f! k: K9 q8 A8 v* L8 ?3 V( j - { ; Q3 ]5 l( x5 w. ^2 L. T- ^
- for(res=0;res<4;res++) ( Q4 n! d8 Y& d8 P/ T( T. c
- {
. f) \( i% n7 C, c% w' W# l - *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;
6 \, y1 y$ Y8 j$ b, I! w3 q- _, N - }
5 v$ L! N9 s& [2 C$ l, `, D4 z1 a - }
$ }$ o Y, {1 _1 ? k. ` - }
, i) L9 d9 S x# U: A1 U - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE_TURE1; 3 x: S I A0 W3 q6 D' M- ?9 V8 o7 y! G! X
- delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG
# } }- y- t, G - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
# B# Q) p, B6 N - return 0;//成功 $ E! n+ O8 p9 ]* v# w
- }9 k, ~5 _* C' e7 T) D
- //在NAND一页中的指定地址开始,写入指定长度的恒定数字
9 a! G- V1 b. Z0 u* V7 g. F - //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
5 H" E M9 s4 Q+ S# O8 u( ] - //ColNum:要写入的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)
' h9 r& r1 [8 ?' K$ S0 _4 u; J! ]) ? - //cval:要写入的指定常数
! p% t" Y( L. E - //NumByteToWrite:要写入的字数(以4字节为单位)
( j6 p8 M" N9 y) @9 u! v. L7 p" C) I - //返回值:0,成功
: a3 R# B+ O5 L0 I/ W4 A - // 其他,错误代码8 Y' W1 k( z' _7 K) T2 ~
- u8 NAND_WritePageConst(u32 PageNum,u16 ColNum,u32 cval,u16 NumByteToWrite)$ i& G2 i. K7 l) |" I
- {
; L: I \5 u' @ e1 N - u16 i=0; 6 o2 D4 J' ^. R" h4 q, Y! B
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE0;
) M# `& B4 l2 C5 s# O' ^2 q - //发送地址
" f: x, v, K# S& q+ [( P. ?/ D0 @' Q - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
- |# I! r% ~5 n* C - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
{. b x6 R, E3 \3 X3 B: V - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;% \2 t( `0 R x- J0 p; X
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);& U* Q# W8 l2 X- Z
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);
( f9 t; f9 |* J% Q, A& ~ - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL ) ]# L9 |/ q6 R7 {% r1 F1 W
- for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据,每次写4字节
0 n. \! p' R+ Z1 G+ @2 Q, C' F( z - {
, B5 E9 J. Z& S/ t& r: ~. B& t - *(vu32*)NAND_ADDRESS=cval;! |2 T7 X% ?$ {7 f, ~7 s
- }
! z/ C$ V8 |- O; e5 ^( q - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE_TURE1;
/ k- \5 ]/ s k# R - delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG
% g* Q6 z! c. ~% s - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败7 ?; F0 F% A( C. V% {
- return 0;//成功
0 V8 F) k. r% d: O. A( S8 Y - }
" f3 V. V* a, V - //将一页数据拷贝到另一页,不写入新数据3 S' M2 l. }3 ^
- //注意:源页和目的页要在同一个Plane内!% R8 `9 _7 j8 y/ F% ]+ g
- //Source_PageNo:源页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
1 L/ T% s2 k- E( E# m* }6 Q( t! ] - //Dest_PageNo:目的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1) / y3 h# w4 a: U
- //返回值:0,成功
3 ]9 P q# Y( d r" F3 E - // 其他,错误代码
0 R. E+ @$ i. ~( j' T - u8 NAND_CopyPageWithoutWrite(u32 Source_PageNum,u32 Dest_PageNum)
) e: r; A- B. H9 [( f9 g( t - {$ V& o; X. Z \
- u8 res=0;
D8 X5 L* t/ Q) a; Y - u16 source_block=0,dest_block=0; 6 Z0 l6 T2 B" E! c4 E- ?
- //判断源页和目的页是否在同一个plane中9 }% i, K# L% V/ X
- source_block=Source_PageNum/nand_dev.block_pagenum;
& V( u8 b# t U5 Y# s - dest_block=Dest_PageNum/nand_dev.block_pagenum;
' l6 s" G2 @5 k7 G: T - if((source_block%2)!=(dest_block%2))return NSTA_ERROR; //不在同一个plane内 ( U& t, e) s6 T% ]
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD0; //发送命令0X00
+ P% Y( I, J3 N' [7 O - //发送源页地址3 J9 @: E& K3 W2 Z5 m4 Q( R5 N( j
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;
Y7 ^. e/ R- \2 F - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;9 P; E8 ^/ }! U6 H) F7 ~& L
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Source_PageNum;6 e3 r; _' y/ l
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>8);
2 K1 Y- d$ E8 p( r$ t' o8 r9 f - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>16);
; Z8 O% L% C5 @ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD1;//发送命令0X35 ) ~; K/ X' Q5 t- @# y8 _
- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过
' q: ]. E4 J# S: k- I3 g! t - //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备
' E( ^2 K) G) F0 I - //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
$ A- @6 x9 m; y+ T - //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行- `1 L. t5 h' i. S, W
- //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。 }/ }+ b" y o, R6 `
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
' @1 Z: [9 Q+ r. C( k" g) ` - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出- U7 k$ l' R8 n4 v: Z
- //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
9 X% Y5 { m8 t4 Y; n" J, L% H - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 4 q6 D. S3 x$ H/ R7 t: \ E
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
8 B. a3 Z M. d3 }: j/ A) Y - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD2; //发送命令0X85
6 Y- U; a1 h3 C' `4 H - //发送目的页地址( c2 l5 ^( {+ u: T
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;, d" O5 p; K8 {" L0 k
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;
4 Z0 \: N( A, D i V - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Dest_PageNum;
% x( K6 Q' g- Q - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>8);+ s; g& u) s p* K( m$ t1 T4 V3 D
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>16);" N I6 P% o# P, @. H: ?, C; \9 {
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD3; //发送命令0X10
0 L: L M* s( U: j3 u1 {& g3 x8 b - delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG
' e1 ^/ b& f( i, q% l - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR; //NAND未准备好 # \0 m# r7 T& E# n
- return 0;//成功
' G* B' h4 B5 e6 i, A - }# ^& x, U; q2 z% k: `$ i
W) X9 x" z# ?% F }1 D4 R- //将一页数据拷贝到另一页,并且可以写入数据* S2 r' k- v K
- //注意:源页和目的页要在同一个Plane内!9 f. w# ?5 O6 q: C
- //Source_PageNo:源页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
/ E3 J' N( Z q! g4 i - //Dest_PageNo:目的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
7 n9 D1 H- l/ \5 I' L, I - //ColNo:页内列地址,范围:0~(page_totalsize-1)
# y) h% l% H% }+ H7 u/ G - //pBuffer:要写入的数据
% Q" M& a* h, G$ L4 M) u1 ^8 w! u - //NumByteToWrite:要写入的数据个数
j: R4 q7 K9 s2 x& o, T8 E - //返回值:0,成功
4 V. \( E4 P+ K - // 其他,错误代码7 I8 X7 o9 a- Z' V6 P7 w& d' G! W
- u8 NAND_CopyPageWithWrite(u32 Source_PageNum,u32 Dest_PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)
7 u7 S: Z% |, o+ U - {
: v" O: ^8 u0 A: T. H6 v% ^/ S - u8 res=0;# C$ S+ }1 k9 K, G
- vu16 i=0;* j& j+ P+ {( D; O, ^( y) j1 ^' W
- u16 source_block=0,dest_block=0;
0 [5 j9 j* _! \1 n2 M" N* A/ } - u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数,每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc# _8 _7 J( h* c% V) t
- u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围. Q# [2 L# v5 Q1 t# m; }
- //判断源页和目的页是否在同一个plane中
" X8 N* |/ D# ]8 \3 [7 g - source_block=Source_PageNum/nand_dev.block_pagenum;( F% }6 S7 A5 C( l# D
- dest_block=Dest_PageNum/nand_dev.block_pagenum;
, u7 t6 G+ A; v - if((source_block%2)!=(dest_block%2))return NSTA_ERROR;//不在同一个plane内
, q7 S3 Z' h8 O8 X - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD0; //发送命令0X00
1 `0 G% H5 i) @8 w. ?' u - //发送源页地址" k ^4 g2 N2 Q
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;. ]: | S$ i) `) z: V+ ^1 F7 n/ B( h
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)0;+ U. ~+ o* }6 [ t5 I; @. r* m$ W
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Source_PageNum;
2 V# U! l; J/ f# {' a/ t; Z; u8 P% ~- ^ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>8);
0 Z$ E# _9 `% M5 E; k' v - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Source_PageNum>>16);2 Y! c. i; e) Q# i3 a; G) G* m( l
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD1; //发送命令0X350 A/ N, f f, O9 Z# B- }& d# t* e
9 b% S/ i$ C- T2 w) n1 L$ P- //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平,其实主要起延时作用的,等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过% O. U7 H1 s0 b, e7 J, X" |1 `% F$ @
- //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO,代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备/ s+ U/ r3 {3 ]" n0 h3 q
- //就绪的。这个也就是模拟的方法,所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙 b5 c% z) [- X( o, ?
- //闲状态,结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的,事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
" a7 E p, N& a - //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。1 E& j C) m4 O8 H
- res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
! K7 U; }9 s5 I3 q U) I# Z; Y - if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
" k+ f/ |4 G! F; y: A9 w$ ?! A+ x - //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
3 o7 X; L- e+ P1 ^ - res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 * L) t- H2 h7 c: f/ P
- if(res)return NSTA_TIMEOUT; //超时退出 7 y: B- n, C9 g. q8 z4 y
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD2; //发送命令0X857 u" I% ] O# g$ s' U
- //发送目的页地址3 S+ E, W _5 v+ j# J* L$ X
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
?' L. b# j `- O& o$ r( q" p% R - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
% a' A& {( A: u0 Z - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)Dest_PageNum;
+ ^7 q! R/ C" F$ f& m; X - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>8);
" y+ E# w H H' [, v" v - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(Dest_PageNum>>16); / j; g! d+ b$ J/ O/ S6 P
- //发送页内列地址
5 H J0 o9 ]4 L$ U7 x( ` - NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
- d! l7 n+ H+ Z/ a6 f - if(NumByteToWrite%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍,不进行ECC校验+ Q5 Q$ ^/ I$ t4 H5 b/ f9 k* Z
- {
?* j N7 W7 j) t1 N0 Z - for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据+ ?* a0 a; w; i% L, h
- {2 g1 c. V( e" j8 f4 @" J6 i- M
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;7 K9 ]2 Y8 ^/ X
- }
6 ? `8 l, J8 l) g$ e. m% \! A - }else. K2 c! _6 E/ q, r; {3 V4 [$ ]5 d' i
- {- U$ J, P( A* B, T% e
- eccnum=NumByteToWrite/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数6 Z+ D) P" M+ s* [3 h( I9 Z$ N
- eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; : F7 j1 A$ O* f: i6 d& x
- for(res=0;res<eccnum;res++). c0 s2 r/ ?: Z5 l
- {( i7 E/ b8 h/ A
- FSMC_Bank3->PCR3|=1<<6; //使能ECC校验 $ }0 [. E3 ]- ?% U5 ?* W
- for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //写入NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
' `4 _& i/ |) \; W) O1 M - {1 v4 g w2 s1 E+ [; W2 o
- *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;! u# Q8 q; ~) P3 n3 `
- }
" T. `% @7 e- H1 Y. w# R - while(!(FSMC_Bank3->SR3&(1<<6))); //等待FIFO空
4 a. z+ x/ o3 \+ Y - nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FSMC_Bank3->ECCR3; //读取硬件计算后的ECC值
* R7 j! T1 ^- w: l( E C# U - FSMC_Bank3->PCR3&=~(1<<6); //禁止ECC校验/ ~) d3 R6 A; \" B! A
- }
f8 ^0 P: v$ X9 g - i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //计算写入ECC的spare区地址. j. {" P; @# P$ @
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL ! }: y1 d0 p$ @3 t
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X85; //随机写指令
2 C; X3 r" Z- p# u y - //发送地址4 R: k8 K! S$ Z
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;
2 I( ?& D) u5 L) D' ] - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);4 h0 x) @5 x4 W5 `: C# B: X
- NAND_Delay(NAND_TADL_DELAY);//等待tADL
& D/ F! l" F0 n3 x- r( z - pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_hdbuf[eccstart];
( S0 w9 x) i/ Z' w* ~- k5 S' v - for(i=0;i<eccnum;i++) //写入ECC
/ O6 @; x+ p! d' u. ]6 q, w. h - { 5 b. N" N- {) u! ]( {
- for(res=0;res<4;res++)
+ i+ y5 d) Z* @% | - {
2 r; x8 L# e6 P0 U; @- Z% h3 J - *(vu8*)NAND_ADDRESS=*(vu8*)pBuffer++;+ Y( d8 K0 g1 [4 ^& P/ L
- }* w6 ` q1 u8 C8 a( K, D
- }
8 X, |/ z1 r$ J8 }3 ^4 w7 W0 ~ - }
8 p6 k; m1 a- ?) v" X' l - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_MOVEDATA_CMD3; //发送命令0X10
% |) Q. B4 y! A+ \% ^ - delay_us(NAND_TPROG_DELAY); //等待tPROG: b4 N7 R, `+ ~& K. C9 G3 w) K
- if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR; //失败5 N1 i% n2 V0 w+ T4 Q9 f% A, |8 s
- return 0; //成功 $ [2 a# j" g" E) Q. W
- } ) y! V9 N" b5 w F3 c8 } |
- //读取spare区中的数据. q: C2 p2 g- t3 }
- //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1): o* t0 v0 S- v) d. U2 T
- //ColNum:要写入的spare区地址(spare区中哪个地址),范围:0~(page_sparesize-1) 9 Z! l9 y0 T/ c" b! ^( U
- //pBuffer:接收数据缓冲区 8 e$ l6 A1 R F% V7 l
- //NumByteToRead:要读取的字节数(不大于page_sparesize)
" t7 ]! v9 o1 f; _- E# a - //返回值:0,成功
6 h7 c8 [% Z5 i/ f( Q9 Q6 T - // 其他,错误代码% Z/ L4 L/ _4 J; o, O" T- z! D4 F
- u8 NAND_ReadSpare(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead). Y& _ O6 p5 I( S
- {
: a% e$ j' i" l- ]4 ^& [4 c - u8 temp=0;
3 u4 c1 Z6 ~& b2 A9 e- A# K - u8 remainbyte=0;9 x: F) i5 p3 z$ ]
- remainbyte=nand_dev.page_sparesize-ColNum;
* L; ^( E" g. E) t. a - if(NumByteToRead>remainbyte) NumByteToRead=remainbyte; //确保要写入的字节数不大于spare剩余的大小
' t- U; B: A8 C3 h$ w1 i - temp=NAND_ReadPage(PageNum,ColNum+nand_dev.page_mainsize,pBuffer,NumByteToRead);//读取数据' C' m1 q( N$ R0 M1 w" u! Y. K" ^
- return temp;4 P7 s+ M w a
- }
+ W3 g9 q" V$ s - //向spare区中写数据
" ?4 w2 O V2 s5 U( T, ~+ B - //PageNum:要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)# N3 R1 ^7 z& ~. K" x9 Z- s9 d
- //ColNum:要写入的spare区地址(spare区中哪个地址),范围:0~(page_sparesize-1) * Y# r! ~) W. w! X& m
- //pBuffer:要写入的数据首地址 * x1 N, a! a( ?, U+ ~+ l4 ?
- //NumByteToWrite:要写入的字节数(不大于page_sparesize)
: M* e4 y5 ^ E5 y/ j A$ y" B - //返回值:0,成功
& P3 B( g+ x v# m - // 其他,失败6 c! a D# E, b( @% e- Z1 _
- u8 NAND_WriteSpare(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToWrite)
9 t: T. n! D9 T6 s$ { Z - {& }7 G ^* h4 y: h M
- u8 temp=0;4 i* X" n& c* n
- u8 remainbyte=0;5 i/ X7 k& K) q3 \8 U0 u
- remainbyte=nand_dev.page_sparesize-ColNum;
* U0 K, x' z8 r. ~8 n! Q2 n. m - if(NumByteToWrite>remainbyte) NumByteToWrite=remainbyte; //确保要读取的字节数不大于spare剩余的大小
% Y. \" n6 H) Z Q - temp=NAND_WritePage(PageNum,ColNum+nand_dev.page_mainsize,pBuffer,NumByteToWrite);//读取
7 O g6 r* t* u. @6 D" V - return temp;; m8 A s/ j, f
- }
4 V @9 Z# b, T/ d3 |1 y - //擦除一个块
$ z4 ]" l( ~$ M - //BlockNum:要擦除的BLOCK编号,范围:0-(block_totalnum-1)) [7 {4 V2 Y) b2 M7 d
- //返回值:0,擦除成功4 X9 q8 L0 a# r. m: O9 w. h* w) Z& R$ h
- // 其他,擦除失败/ T! e2 T9 t1 M' l# g, e
- u8 NAND_EraseBlock(u32 BlockNum)
) q% ^# h: M4 {/ | - {
. N: L' v3 z6 n+ o - if(nand_dev.id==MT29F16G08ABABA)BlockNum<<=7; //将块地址转换为页地址
; q* r* ?' X$ a* K! A - else if(nand_dev.id==MT29F4G08ABADA)BlockNum<<=6;
3 g! @; |% P; t6 b$ m9 E+ a/ p - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_ERASE0;& \" Y/ b+ c# I! {" w/ V2 ]
- //发送块地址
% i3 {+ f6 C( P+ |; r6 D; v - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)BlockNum;
% H' R1 Z6 J) \ - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(BlockNum>>8);2 n$ v) G! ]6 X( s% {9 l$ C) Z' t
- *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(BlockNum>>16);
( g2 |( T7 X6 {5 O - *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_ERASE1;5 g; ~- x: y& m- G/ O2 `
- delay_ms(NAND_TBERS_DELAY); //等待擦除成功
3 H$ y* c+ k' z. o0 j# l+ c7 _ - if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)return NSTA_ERROR;//失败
- i7 I( p e' w/ n) C' `+ H6 w - return 0; //成功 4 b7 W9 J4 B3 N3 n) T. E3 C
- } . w6 C" [$ i8 d# h; ?& d" v
- //全片擦除NAND FLASH
/ q/ P# t# F A9 K" u6 x - void NAND_EraseChip(void)
% z8 J1 P4 `4 g- x* C - {
' f9 W+ Q5 ~/ E" H+ V7 ` - u8 status;, z6 E" j0 w5 M0 h
- u16 i=0;
2 G l6 d" }4 `' J - for(i=0;i<nand_dev.block_totalnum;i++) //循环擦除所有的块
* s! \7 b3 a" r8 v - { V* w X# ]4 m1 }
- status=NAND_EraseBlock(i);
) r2 L* Q( q! d& [ - if(status)printf("Erase %d block fail!!,错误码为%d\r\n",i,status);//擦除失败
! O6 A0 k7 T" f% X - }
" W6 E* x, X" ^% K - }
2 R/ B! j' q* A1 n7 w8 N" ~& I: r
; b) D1 ^. B1 o9 }% Y' a, F& s- //获取ECC的奇数位/偶数位$ A, T0 F) U4 d- a6 P! m. [/ e! A' [
- //oe:0,偶数位
6 D4 F& @3 N9 f0 x - // 1,奇数位
% e8 y( p! g6 _1 [0 R0 S - //eccval:输入的ecc值
7 z7 o0 a" W' R1 R( @! z) V - //返回值:计算后的ecc值(最多16位)
& m, k" P8 d1 a( w u d - u16 NAND_ECC_Get_OE(u8 oe,u32 eccval)
8 I/ o f6 a2 u/ F1 L6 B - {5 A# b" q& a% a( m& R6 M
- u8 i;
8 ~, ^; W. ?. M" O- P" R! K; U9 F - u16 ecctemp=0;
2 r9 ?/ H7 |/ {, A - for(i=0;i<24;i++)
+ w: N: t- B( [) G' Y - {
2 s2 s% ^6 R' }8 n - if((i%2)==oe)9 _# h; Y( N! c
- {
4 g; `4 R% t8 H; E - if((eccval>>i)&0X01)ecctemp+=1<<(i>>1);
7 b9 \, ]. Q+ r3 V: Y% t# r* B6 I - }
0 h7 X6 Z4 p" M' ?6 ?4 T - }% @* Q! p) P8 [0 e2 o2 I: |, P: {4 i J
- return ecctemp;
; P/ U9 b; p! E) b - } * t# D9 N7 R( C
- //ECC校正函数0 [0 l6 M7 ]( m6 ^3 U
- //eccrd:读取出来,原来保存的ECC值
) I" i' @" P' I$ i2 }+ _ - //ecccl:读取数据时,硬件计算的ECC只
, R2 a% e/ r, [: b- s/ p - //返回值:0,错误已修正
, f2 [2 m8 c/ \0 @( I. c# c6 o - // 其他,ECC错误(有大于2个bit的错误,无法恢复)
1 c" _$ x: r+ Z! Q5 a T- K' X - u8 NAND_ECC_Correction(u8* data_buf,u32 eccrd,u32 ecccl)
( t' w/ }# M4 _8 J2 H; o - {( k/ x* X+ {# h5 s' t% \
- u16 eccrdo,eccrde,eccclo,ecccle;$ V$ K6 {# g- w! L$ v6 C2 f
- u16 eccchk=0;
/ m. g6 j3 D3 Q1 b - u16 errorpos=0; # q9 y! V1 s1 m( Z3 E o! d9 ]
- u32 bytepos=0; 5 }( q# U- F1 s8 G. h
- eccrdo=NAND_ECC_Get_OE(1,eccrd); //获取eccrd的奇数位
' s" z2 p+ Z5 ]& n - eccrde=NAND_ECC_Get_OE(0,eccrd); //获取eccrd的偶数位
u& h; w& M+ I' k# W - eccclo=NAND_ECC_Get_OE(1,ecccl); //获取ecccl的奇数位
# e" S: Y0 ]0 ?8 \& D5 i8 o - ecccle=NAND_ECC_Get_OE(0,ecccl); //获取ecccl的偶数位! q1 C. \1 N" ?2 ?: S
- eccchk=eccrdo^eccrde^eccclo^ecccle;
# g. A: h6 S. g5 h$ \5 c+ \ - if(eccchk==0XFFF) //全1,说明只有1bit ECC错误2 l# p7 t) T3 R/ r4 n
- {% T: Z& G$ F# u8 Q- p
- errorpos=eccrdo^eccclo; ^! E8 P' ^ o+ m) R
- printf("errorpos:%d\r\n",errorpos);
! [5 z' O3 x9 |) w2 g - bytepos=errorpos/8; 5 p& C% l; y7 z0 M- J1 n
- data_buf[bytepos]^=1<<(errorpos%8);) k2 [. ~$ K( b6 Y7 i0 o
- }else //不是全1,说明至少有2bit ECC错误,无法修复
& F9 I/ W5 ^5 y8 o8 g9 ], @, @ - {
$ G5 n4 `" B1 T4 H; }& n- S, [ - printf("2bit ecc error or more\r\n");4 t0 }% i$ e- G) u3 \5 ]5 X
- return 1;
: R* F" D' S9 n% ?, E! W1 d4 a- ]+ i - }
4 S0 @. U6 C* c4 Q7 C - return 0;
+ i8 V4 \. T3 s1 T8 D4 M - }
复制代码- int main(void)
t5 S' X6 `6 v2 Z- Y) t2 x, W7 x, m - { 5 N8 h' y K' C* M+ @; g$ |
- u8 *buf;
0 @ j# h6 v7 n3 J3 V! H - u8 *backbuf;/ n e7 X, H# A* {
- u8 res; $ v N& ~2 ^5 I3 H) n. _; }
- u16 i;; ~- G. x- ?* _
- ' d. x* u. ~. V4 d3 _% j3 C; d8 w
- NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
3 N2 u$ w" J8 V% F# x) ] - delay_init(168); //初始化延时函数& A& e6 J4 n7 O) p7 @1 d& w1 S' T% ^
- uart_init(115200); //初始化串口波特率为115200
, P2 W* O- ] l' g% L4 p - led_init(); //初始化LED
! S4 ]8 ~7 x9 p' X6 I! a - FSMC_SRAM_Init(); //初始化外部SRAM # V+ n4 z& {; v; S, j& {* i
-
! D$ K- ~. U! t+ j, I - my_mem_init(SRAMIN); //初始化内部内存池
' G* q7 t% E R' \4 B: x/ H - my_mem_init(SRAMEX); //初始化外部内存池
8 H0 q4 C4 N8 M+ d& O) K$ a) ~ - my_mem_init(SRAMCCM); //初始化CCM内存池( \9 s0 E2 A5 x9 b t
-
4 E9 C0 H9 U1 s) z3 k+ E* {4 |( T - while(FTL_Init()) //检测NAND FLASH,并初始化FTL+ y2 D- q& c3 ?3 l% n
- {
8 p/ Z1 t L* ^' ` - printf("NAND Error! Please Check\r\n");
- p* x5 ~3 n0 n" k1 N7 ]1 V - delay_ms(500); : z9 S( ~, G0 I6 N$ h
- }
$ D4 G0 K9 D' J% L; C - backbuf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存; X. t3 @# _( m3 r- o# o: x; {
- buf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存2 Q+ @8 e- J5 a% o8 |
- sprintf((char*)buf,"NAND Size:%dMB",(nand_dev.block_totalnum/1024)*(nand_dev.page_mainsize/1024)*nand_dev.block_pagenum);
5 V F. k* G! u3 f8 _1 S - printf("%s\r\n",buf); //显示NAND容量
. H3 @2 E1 k& U5 p8 E' Y -
& h7 {8 g. x& N8 z -
! T. a/ W$ T+ s: x# P - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)3 Z! f5 J- g# C! v: X1 F4 V- q
- {
; T# ?. _- o; s! Q6 ]$ | - buf<i>=i;
/ Y4 \6 ~# y0 H) ]/ {) c3 G - }5 h/ s: p8 I5 ]& @6 ~# p
- printf("Writing data to sector..\r\n");
- d3 g4 j- l& \. q1 h* I - res=FTL_WriteSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//写入扇区
5 G! P" ?5 x% J5 j) ?" j3 \$ y -
4 F7 Q5 q( {/ E0 N# Z - if(res==0). f$ e+ v: x( c5 f
- printf("Write data successed\r\n");//写入成功
* S7 Y3 J) x. B. p; a - else & r: \' z* _3 d9 X
- {0 {$ e# @+ A$ f9 N, a+ z& F
- while(1)
# m9 I9 E* W$ D" Z - {, c$ `% j& p; W' c# Y! B3 e
- printf("Write data failed\r\n");//写入失败9 s _' u7 E" g$ ?
- delay_ms(500); 7 z- x' z8 A9 j# u
- }
: ~" s- j& b# I; {( v" g - } [6 V; |) W; D U
-
$ L1 K+ d* ~3 _ - 6 u5 G7 \" k& j& f8 @9 [
- FTL_ReadSectors(backbuf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//预先读取扇区0到备份区域,防止乱写导致文件系统损坏.+ M# A2 `0 q' l
- / O- a# Q* J, J9 Y
- res=FTL_ReadSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//读取扇区! g& G* @' N: l8 F2 D
-
, I) l; A8 G. w7 |9 V: b - if(res==0)//读取成功
/ F9 @! Q' I! Y4 H- W6 x1 Q - {, @4 O, ~) V, u1 B4 K0 u5 a" N
- printf("Sector 2 data is:\r\n");
% J6 }9 G; y( K1 `( p - for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)' I. `6 C# G# E' F" e6 f: l1 n
- {# Z( Y: w/ k9 u# ^
- printf("%x ",buf<i>);//输出数据
- j0 R3 {$ r8 i - }. y& ]7 {/ h1 O
- printf("\r\ndata end.\r\n");. D+ W1 I8 t3 v! Z; V: D1 h# Y
- printf("USART1 Send Data Over! \r\n");
; X/ b3 ^+ Q- T: B; s+ }1 }: [ - }( m# j- T1 y! e6 c6 p& y2 _
-
5 P; b& N! l `. {& `6 _2 ]/ N. F+ r. Q -
( N6 ]# a; U! A& p* i - : e- a' u% B0 T) U- B8 o1 T
- while(1)
( G: {2 A K/ T0 `8 H! P - {
, W# C. b! _% s( ^( }5 L1 t, T - turn_prog_led();
/ p6 ^; C K, n0 _, B3 M9 f: Z% J - delay_ms(10);
) ]7 u8 V; a: V; O$ n3 A) k, V - }
( A* }9 R5 @( y9 u( {9 q$ d" L - }
/ C. C! s- [6 {5 M f0 A) w4 A" q - 5 ?2 m x6 |0 a
- " x, U; z" E/ ~3 _3 f7 c
- </i></i>
复制代码 2 y# Y" b3 ^* d! K! R4 Y
0 e' D' {/ K9 ~9 Z |