介绍下如何使用库函数对 FSMC 进行配置。这个也是在编写程序中必须要了解的。具体步骤如下：（FSMC 相关库函数在 stm32f10x_fsmc.c 和stm32f10x_fsmc.h 文件中）

（1）FSMC 初始化

    FSMC 的初始化主要是配置 FSMC_BCRx， FSMC_BTRx，FSMC_BWTRx 这三个寄存器，固件库内提供了 3 个初始化函数对这些寄存器配置。FSMC 初始化库函数如下：

1. FSMC_NORSRAMInit()；
   
2. FSMC_NANDInit()；
   
3. FSMC_PCCARDInit()；

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' |5 T1 G& ^9 p: Q4 p) i

    这三个函数分别用来初始化 4 种类型存储器。这里根据名字就很好判断对

应关系。用来初始化 NOR 和 SRAM 使用同一个函数FSMC_NORSRAMInit()。所以我们之后使用的 FSMC 初始化函数为 FSMC_NORSRAMInit()。该初始化函数原型是：

1. void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct);

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    这个函数只有一个参数，是一个结构体指针变量，结构体类型是FSMC_NORSRAMInitTypeDef，其内成员变量非常多，因为 FSMC 相关的配置项非常多。下面我们简单介绍下它的成员：

1. typedef struct
   
2. {
   
3. uint32_t FSMC_Bank;
   & b. x7 O. S! }3 A+ U6 h# J/ S# Q! L
4. uint32_t FSMC_DataAddressMux;
   
5. uint32_t FSMC_MemoryType;
   . e5 Y" H7 Q  P
6. uint32_t FSMC_MemoryDataWidth;
   ( `1 {& x- U' L* X6 b  M: s# ^
7. uint32_t FSMC_BurstAccessMode;
   
8. uint32_t FSMC_AsynchronousWait;
   + A8 ~, t% M1 G. Q" }' e. d. t  X4 P
9. uint32_t FSMC_WaitSignalPolarity;
   
10. uint32_t FSMC_WrapMode;
    + }6 }5 y2 ~  L" B- _
11. uint32_t FSMC_WaitSignalActive;
    7 r: f, ?, K- U! o, @. D! f
12. uint32_t FSMC_WriteOperation;
    4 h- J& U  w' q' t! ]& r
13. uint32_t FSMC_WaitSignal;
    
14. uint32_t FSMC_ExtendedMode;
    " v' ]0 R$ ~+ ?7 q) M  O9 r
15. uint32_t FSMC_WriteBurst;
    
16. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_ReadWriteTimingStruct;
    9 _" M, q5 M/ J  ^
17. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_WriteTimingStruct;
    
18. }FSMC_NORSRAMInitTypeDef;

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    从这个结构体我们可以看出，前面有 13 个基本类型（ unit32_t）的成员

变量，这 13 个参数是用来配置片选控制寄存器 FSMC_BCRx。最后面还有两个SMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 指针类型的成员变量。前面我们讲到，FSMC 有读时序和写时序之分，所以这里就是用来设置读时序和写时序的参数了，也就是说，这两个参数是用来配置寄存器 FSMC_BTRx 和 FSMC_BWTRx，后面我们会讲解到。下面我们就来看看这些成员：

FSMC_Bank：用来设置使用到的存储块标号和区号，本章实验我们是使用的

存储块 1 区号 4，所以选择值为 FSMC_Bank1_NORSRAM4。

FSMC_DataAddressMux：用于配置 FSMC 的数据线与地址线是否复用。FSMC支持数据与地址线复用或非复用两种模式。在非复用模式下 16 位数据线及 26位地址线分开始用；复用模式则低 16 位数据/地址线复用，仅对 NOR 和 PSRAM有效。在复用模式下，推荐使用地址锁存器以区分数据与地址。本实验使用FSMC模拟 8080 时序，仅使用一根地址线 A10 提供 8080 的 RS 信号，所以不需要复用，即设置为

1. FSMC_DataAddressMux_Disable

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FSMC_MemoryType：用来设置FSMC外接的存储器类型， 可选类型为 NOR FLASH模式、PSARM 模式及 SRAM 模式。我们这里把 TFTLCD当做 SRAM 使用，所以选择值为 FSMC_MemoryType_SRAM。

FSMC_MemoryDataWidth：用来设置 FSMC 接口的数据宽度，可选择 8 位还是16 位， 这里我们是 16 位数据宽度， 所以选择值为 FSMC_MemoryDataWidth_16b。

FSMC_WriteOperation：用于配置写操作使能，如果禁止了写操作，FSMC 不会产生写时序，但仍可从存储器中读出数据。本实验需要向 TFTLCD内写数据，所以要写使能，配置为 FSMC_WriteOperation_Enable(写使能)。

FSMC_ExtendedMode：用于配置是否使用扩展模式，在扩展模式下，读时序和写时序可以使用独立时序模式。如读时序使用模式 A，写时序使用模式 B，这些 A、B、C、D 模式实际上差别不大，主要是在使用数据/地址线复用的情况下，FSMC 信号产生的时序不一样。

FSMC_BurstAccessMode：用于配置访问模式。FSMC 对存储器的访问分为异步模式和突发模式(同步模式)。在异步模式下，每次传送数据都需要产生一个确定的地址， 而突发模式可以在开始时提供一个地址之后， 把数据成组地连续写入。

    本实验使用异步模式 FSMC_BurstAccessMode_Disable。

    FSMC_WaitSignalPolarity(配置等待信号极性)、FSMC_WrapMode(配置是否使用非对齐方式)、FSMC_WaitSignalActive(配置等待信号什么时期产生)、FSMC_WaitSignal（配置是否使用等待信号）、FSMC_WriteBurst(配置是否允许突发写操作)，这些成员均需要在突发模式开启后配置才有效。本实验使用的是异步模式，所以这些成员的参数没有意义。

FSMC_ReadWriteTimingStruct 和 FSMC_WriteTimingStruct：用于设置读写时序。这两个变量都是 FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 结构体指针类型。这两个参数在初始化的时候分别用来初始化片选控制寄存器 FSMC_BTRx 和写操作时序控制寄存器 FSMC_BWTRx。                                FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef结构体如下：

1. typedef struct
   
2. {
   0 g( j/ W( [3 P1 [; _3 `1 j8 m5 w7 S
3. uint32_t FSMC_AddressSetupTime;//地址建立时间
   
4. uint32_t FSMC_AddressHoldTime;//地址保持时间
   
5. uint32_t FSMC_DataSetupTime;//数据建立时间
   ) U% S* G. @: O2 h9 g* f! P# t
6. uint32_t FSMC_BusTurnAroundDuration;//总线恢复时间
   
7. uint32_t FSMC_CLKDivision;//时钟分频
   ! z9 _8 y# O9 `
8. uint32_t FSMC_DataLatency;//数据保持时间
   
9. uint32_t FSMC_AccessMode;//访问模式
   
10. }FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef;

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    这些成员主要用于设计地址建立保持时间，数据建立时间等配置，这些时间是由 HCLK 经过成员时钟分频得来的， 该分频值在成员 FSMC_CLKDivision(时钟分频)中设置，其中 FSMC_AccessMode(访问模式)成员的设置只在开启了扩展模式才有效，而且开启了扩展模式后，读时序和写时序的设置可以是独立的。本实验中我们需要读写速度不一样，所以开启了扩展模式并且对于参数FSMC_DataSetupTime 设置了不同的值。此结构体其实就是对 FSMC_BTRx 和FSMC_BWTRx 寄存器操作，大家可以查看中文参考手册寄存器说明。

    本实验中的时序设置是根据 R61509V3 的数据手册设置的， 调试的时候可以先把这些值设置得大一些，然后慢慢靠近数据手册要求的最小值，这样会取得比较好的效果。时序的参数设置对 LCD 的显示效果有一定的影响。

    了解结构体成员功能后，就可以进行配置，本章实验配置代码如下：

1. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
   
2. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef FSMC_ReadNORSRAMTiming;
   , X4 [5 a% c5 i2 }( ^
3. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef FSMC_WriteNORSRAMTiming;
   : u0 D3 l! {# Q" Q2 c8 Y
4. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 0x01; // 地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns
   
5. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; // 地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
   
6. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime = 0x0f; // 数据保存时间为 16 个 HCLK,因为液晶驱动 IC 的读数据的时候，速度不能太快，尤其对 1289 这个 IC。
   
7. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
   
8. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
   & |! S5 I, P3 Q
9. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
   8 J! P* D- t+ T' E% [
10. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
    1 D- k3 S& K2 v4 v' d
11. //模式A
    
12. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AddressSetupTime =0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK
    " L$ c0 f2 z9 @! @% a3 w1 ~. `
13. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（A
    0 e' I  t" Z9 W0 [
14. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_DataSetupTime = 0X03; //数据保存时间为 4 个 HCLK
    2 X0 n5 O7 F$ M1 g7 j* u
15. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
    
16. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    
17. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    
18. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
    1 y; K0 L! G4 E  [
19. //模式A
    9 B/ x; s: s6 H6 I1 C( {& E6 B
20. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;// 这里我们使用 NE4 ，也就对应BTCR[6],[7]。
    ( Y: t% `, W5 c# ]8 F5 U  ~3 m; x
21. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux =
    / A' [' H: D2 V5 Z/ ]0 c& H- t
22. FSMC_DataAddressMux_Disable; // 不复用数据地址
    . M2 v9 @" m9 q2 e( h
23. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
    $ {% P8 L$ \( J; P# X0 e- y+ ]# K
24. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth =FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为 16bit
    : D0 g' O. `" w: R) U/ X1 s* p& b
25. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    
26. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity =FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    
27. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    
28. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    
29. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive =FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    - X8 i, y% N- ^' H
30. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation =FSMC_WriteOperation_Enable; // 存储器写使能
    
31. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal =FSMC_WaitSignal_Disable;
    , M3 T. v9 O; V: F* U8 N. w% o5 U
32. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode =FSMC_ExtendedMode_Enable; // 读写使用不同的时序
    
33. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst =FSMC_WriteBurst_Disable;
    
34. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct =&FSMC_ReadNORSRAMTiming; //读写时序
    
35. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct =&FSMC_WriteNORSRAMTiming; //写时序
    ' g( V, q. V- W/ @) Y1 H, n
36. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置

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  e( M( G: Y" Z9 Z& N

（2）使能（开启）FSMC

    固件库提供了不同的库函数来初始化各种存储器， 同样也提供了不同类型的存储器使能函数，如下：

1. void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
   
2. void FSMC_NANDCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
   
3. void FSMC_PCCARDCmd(FunctionalState NewState);

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    这 3 个函数支持不同种类的存储器，从函数名来看也非常好理解。我们把

TFTLCD当作 SRAM 使用，即使用第一个函数。该函数第一个参数用来选择存储器的区域，第二个参数用来使能或者失能。

    将以上几步全部配置好后，我们就可以使用 STM32F1 的 FSMC了。

2 X1 s5 y. L7 o) i/ z