介绍下如何使用库函数对 FSMC 进行配置。这个也是在编写程序中必须要了解的。具体步骤如下：（FSMC 相关库函数在 stm32f10x_fsmc.c 和stm32f10x_fsmc.h 文件中）

（1）FSMC 初始化

    FSMC 的初始化主要是配置 FSMC_BCRx， FSMC_BTRx，FSMC_BWTRx 这三个寄存器，固件库内提供了 3 个初始化函数对这些寄存器配置。FSMC 初始化库函数如下：

1. FSMC_NORSRAMInit()；
   
2. FSMC_NANDInit()；
   
3. FSMC_PCCARDInit()；

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) f1 p% G( E0 w# h0 k: H: V' B5 f

    这三个函数分别用来初始化 4 种类型存储器。这里根据名字就很好判断对

应关系。用来初始化 NOR 和 SRAM 使用同一个函数FSMC_NORSRAMInit()。所以我们之后使用的 FSMC 初始化函数为 FSMC_NORSRAMInit()。该初始化函数原型是：

1. void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct);

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- k/ q2 Z* n! y2 `+ [2 j) x

    这个函数只有一个参数，是一个结构体指针变量，结构体类型是FSMC_NORSRAMInitTypeDef，其内成员变量非常多，因为 FSMC 相关的配置项非常多。下面我们简单介绍下它的成员：

1. typedef struct
   $ Y/ \# U4 a- M' s- S! S
2. {
   
3. uint32_t FSMC_Bank;
   
4. uint32_t FSMC_DataAddressMux;
   ( W8 E  t9 u9 I3 @. \* o4 c
5. uint32_t FSMC_MemoryType;
   3 ^# x+ g- G" \
6. uint32_t FSMC_MemoryDataWidth;
   2 Z: q, h# V; o
7. uint32_t FSMC_BurstAccessMode;
   
8. uint32_t FSMC_AsynchronousWait;
     F, I% @* ~8 x* K# h* P8 u
9. uint32_t FSMC_WaitSignalPolarity;
   
10. uint32_t FSMC_WrapMode;
    
11. uint32_t FSMC_WaitSignalActive;
    * r7 s, N5 j; H# _* O
12. uint32_t FSMC_WriteOperation;
    3 `; [, N4 M/ e+ x# U
13. uint32_t FSMC_WaitSignal;
    * }  o; L, x8 b! h; |) U
14. uint32_t FSMC_ExtendedMode;
    
15. uint32_t FSMC_WriteBurst;
    ( c5 m9 `! k9 I: E- g
16. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_ReadWriteTimingStruct;
    / d( f5 i# P$ H: j+ v* f. n5 K
17. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_WriteTimingStruct;
    
18. }FSMC_NORSRAMInitTypeDef;

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    从这个结构体我们可以看出，前面有 13 个基本类型（ unit32_t）的成员

变量，这 13 个参数是用来配置片选控制寄存器 FSMC_BCRx。最后面还有两个SMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 指针类型的成员变量。前面我们讲到，FSMC 有读时序和写时序之分，所以这里就是用来设置读时序和写时序的参数了，也就是说，这两个参数是用来配置寄存器 FSMC_BTRx 和 FSMC_BWTRx，后面我们会讲解到。下面我们就来看看这些成员：

FSMC_Bank：用来设置使用到的存储块标号和区号，本章实验我们是使用的

存储块 1 区号 4，所以选择值为 FSMC_Bank1_NORSRAM4。

FSMC_DataAddressMux：用于配置 FSMC 的数据线与地址线是否复用。FSMC支持数据与地址线复用或非复用两种模式。在非复用模式下 16 位数据线及 26位地址线分开始用；复用模式则低 16 位数据/地址线复用，仅对 NOR 和 PSRAM有效。在复用模式下，推荐使用地址锁存器以区分数据与地址。本实验使用FSMC模拟 8080 时序，仅使用一根地址线 A10 提供 8080 的 RS 信号，所以不需要复用，即设置为

1. FSMC_DataAddressMux_Disable

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* b9 q! N  L0 f9 @

FSMC_MemoryType：用来设置FSMC外接的存储器类型， 可选类型为 NOR FLASH模式、PSARM 模式及 SRAM 模式。我们这里把 TFTLCD当做 SRAM 使用，所以选择值为 FSMC_MemoryType_SRAM。

FSMC_MemoryDataWidth：用来设置 FSMC 接口的数据宽度，可选择 8 位还是16 位， 这里我们是 16 位数据宽度， 所以选择值为 FSMC_MemoryDataWidth_16b。

FSMC_WriteOperation：用于配置写操作使能，如果禁止了写操作，FSMC 不会产生写时序，但仍可从存储器中读出数据。本实验需要向 TFTLCD内写数据，所以要写使能，配置为 FSMC_WriteOperation_Enable(写使能)。

FSMC_ExtendedMode：用于配置是否使用扩展模式，在扩展模式下，读时序和写时序可以使用独立时序模式。如读时序使用模式 A，写时序使用模式 B，这些 A、B、C、D 模式实际上差别不大，主要是在使用数据/地址线复用的情况下，FSMC 信号产生的时序不一样。

FSMC_BurstAccessMode：用于配置访问模式。FSMC 对存储器的访问分为异步模式和突发模式(同步模式)。在异步模式下，每次传送数据都需要产生一个确定的地址， 而突发模式可以在开始时提供一个地址之后， 把数据成组地连续写入。

    本实验使用异步模式 FSMC_BurstAccessMode_Disable。

    FSMC_WaitSignalPolarity(配置等待信号极性)、FSMC_WrapMode(配置是否使用非对齐方式)、FSMC_WaitSignalActive(配置等待信号什么时期产生)、FSMC_WaitSignal（配置是否使用等待信号）、FSMC_WriteBurst(配置是否允许突发写操作)，这些成员均需要在突发模式开启后配置才有效。本实验使用的是异步模式，所以这些成员的参数没有意义。

FSMC_ReadWriteTimingStruct 和 FSMC_WriteTimingStruct：用于设置读写时序。这两个变量都是 FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 结构体指针类型。这两个参数在初始化的时候分别用来初始化片选控制寄存器 FSMC_BTRx 和写操作时序控制寄存器 FSMC_BWTRx。                                FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef结构体如下：

1. typedef struct
   $ h3 a9 h( r  a6 {& N
2. {
   2 H6 J7 }: u! {7 @& O5 S
3. uint32_t FSMC_AddressSetupTime;//地址建立时间
   
4. uint32_t FSMC_AddressHoldTime;//地址保持时间
   
5. uint32_t FSMC_DataSetupTime;//数据建立时间
   . ^$ p" p  ~( D. _- ]+ ~) T
6. uint32_t FSMC_BusTurnAroundDuration;//总线恢复时间
   5 L. a0 `' t5 D  M( x4 y/ @" L
7. uint32_t FSMC_CLKDivision;//时钟分频
   
8. uint32_t FSMC_DataLatency;//数据保持时间
   
9. uint32_t FSMC_AccessMode;//访问模式
   
10. }FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef;

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    这些成员主要用于设计地址建立保持时间，数据建立时间等配置，这些时间是由 HCLK 经过成员时钟分频得来的， 该分频值在成员 FSMC_CLKDivision(时钟分频)中设置，其中 FSMC_AccessMode(访问模式)成员的设置只在开启了扩展模式才有效，而且开启了扩展模式后，读时序和写时序的设置可以是独立的。本实验中我们需要读写速度不一样，所以开启了扩展模式并且对于参数FSMC_DataSetupTime 设置了不同的值。此结构体其实就是对 FSMC_BTRx 和FSMC_BWTRx 寄存器操作，大家可以查看中文参考手册寄存器说明。

    本实验中的时序设置是根据 R61509V3 的数据手册设置的， 调试的时候可以先把这些值设置得大一些，然后慢慢靠近数据手册要求的最小值，这样会取得比较好的效果。时序的参数设置对 LCD 的显示效果有一定的影响。

    了解结构体成员功能后，就可以进行配置，本章实验配置代码如下：

1. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
   
2. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef FSMC_ReadNORSRAMTiming;
   6 @9 Y5 \9 C$ z9 ~1 ]
3. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef FSMC_WriteNORSRAMTiming;
   
4. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 0x01; // 地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns
   
5. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; // 地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
   
6. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime = 0x0f; // 数据保存时间为 16 个 HCLK,因为液晶驱动 IC 的读数据的时候，速度不能太快，尤其对 1289 这个 IC。
   
7. FSMC_ReadTimingInitStructure.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
   
8. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
   
9. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
   ( `- q2 L8 x% \
10. FSMC_ReadNORSRAMTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
    9 a. T1 J9 b1 Y) t
11. //模式A
    3 y/ I% q3 r( R7 c% E' d! k# Z
12. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AddressSetupTime =0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK
      M0 V. D- L/ D1 ^
13. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（A
    
14. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_DataSetupTime = 0X03; //数据保存时间为 4 个 HCLK
    # b/ ?8 t5 |% l' x4 m! N! i3 T2 h/ g
15. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
    
16. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    * I5 [2 E. m7 u% e
17. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    , R8 L+ M7 E+ a: V" j3 v
18. FSMC_WriteNORSRAMTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
    
19. //模式A
    
20. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;// 这里我们使用 NE4 ，也就对应BTCR[6],[7]。
    7 U9 x3 _5 L7 w, P2 f' b
21. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux =
    
22. FSMC_DataAddressMux_Disable; // 不复用数据地址
    
23. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
    , q( m/ K. w/ ?& A* k! r' A5 o7 ?# U
24. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth =FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为 16bit
    : L; a! C' R( \
25. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    1 |% J2 g5 w1 X  P
26. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity =FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    
27. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    9 Q- Z8 B0 {$ }, o- d6 `/ [# J
28. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    
29. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive =FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    ( p; s2 O$ v7 a! K2 \5 o" e
30. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation =FSMC_WriteOperation_Enable; // 存储器写使能
    
31. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal =FSMC_WaitSignal_Disable;
    
32. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode =FSMC_ExtendedMode_Enable; // 读写使用不同的时序
    / o" |9 m2 \+ ^" z+ c
33. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst =FSMC_WriteBurst_Disable;
    + j( ~3 Z/ ^" }6 m5 e* o- z* g
34. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct =&FSMC_ReadNORSRAMTiming; //读写时序
      c9 _: X, O0 r' Z9 p1 l1 H
35. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct =&FSMC_WriteNORSRAMTiming; //写时序
    ( ]& h* E" |0 U6 I
36. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置

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( N) J) k; z' W

（2）使能（开启）FSMC

    固件库提供了不同的库函数来初始化各种存储器， 同样也提供了不同类型的存储器使能函数，如下：

1. void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
   & u3 V, U- c6 n: i1 [4 ]
2. void FSMC_NANDCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
   
3. void FSMC_PCCARDCmd(FunctionalState NewState);

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    这 3 个函数支持不同种类的存储器，从函数名来看也非常好理解。我们把
4 }- @9 E( h3 ^: ?

TFTLCD当作 SRAM 使用，即使用第一个函数。该函数第一个参数用来选择存储器的区域，第二个参数用来使能或者失能。

    将以上几步全部配置好后，我们就可以使用 STM32F1 的 FSMC了。