
前言STM32L4系列的微控制器采用新型结构制造,得益于其高度灵活性和高级外设集,实现了一流的超低功耗性能。STM32L4系列产品的性能为应用提供最佳能量效率,在超低功耗领域首屈一指。1 u K d# J, r% i+ j STM32L4xx器件基于ARM®Cortex®-M4,具有FPU内核。它们的工作频率可达80 MHz,并实现了在80 MHz频率下具有100 DMIPS的性能,由于集成了ART Accelerator™,还同时能保持尽可能小的动态功耗。1 U( J ~7 a N$ |$ }) h STM32L4系列产品具有FlexPowerControl,它提高了功耗模式管理上的灵活性,同时降低了应用的总体功耗。 STM32L4xx器件嵌入了大量智能执行外设,具有多种先进的低功耗模拟功能,并且有多种外设可使用低功耗模式。得益于批采集子模式(BAM),STM32L4系列的微控制器可在数据与通信外设进行传输时优化功耗,同时其他器件处于低功耗模式。 低功耗设计和处理性能的结合使得STM32L4器件能够实现行业领先的EEMBC®ULPBench™分数,对于标准产品可达176.7,对于SMPS版本可达253。5 J( v- k& ~1 Z: a 在STM32F和STM32L系列产品的雄厚基础上,STM32L4系列产品集合了多种创新,能够使不同模式下的功耗减到最小,同时保留大部分现有外设并很好地实现了引脚兼容,能够很容易地从现有产品上进行移植。 得益于其内置内部稳压器和电压调节,无论外部供电电压是多少,STM32L4xx器件在活动模式下都能保持尽可能小的消耗。这使得这些器件非常适合电池供电的产品,所需供电电压可低至1.71 V。 此外,其多个电压域允许以低电压为产品供电(因而可以降低功耗),同时模数转换器和数模转换器可以更高的电源和参考电压供电,可高达3.6 V。 STM32L4xx微控制器可支持电池备份域以保持RTC运行,并能支持32个寄存器(每个寄存器为32位宽),在失去主电源,备份电池供电时,备份域功能能够保持工作。该可选备份电池可在有主电源时充电。 STM32L4xx器件支持7种主要的低功耗模式,其中每种都有多个子模式选项。这使得设计人员可以在低功耗性能、短启动时间、可用外设集与唤醒源最大数量之间实现最佳折中。 P后缀的STM32L4器件(STM32L4xxxxxxP)支持使用可选外部SMPS,因此能够进行高效、低功耗应用的设计% {* y8 d" o# c. E- O1 r ; s3 R( X7 c$ I; K6 V 1 高能效处理: n) v$ E7 z; K5 H2 O8 a STM32L4系列产品围绕Cortex®-M4而构建,具有FPU和DSP指令集。 B( U2 y- l& _6 A 由于使用了关联到其存储器接口的Cortex®-M4内核,因而在运行模式下获得了很高的处理性能(以DMIPS/MHz表示)。为了确保实现达80 MHz的高性能工作,STM32L4系列的微控制器嵌入了ART Accelerator™,可屏蔽闪存访问等待状态,并且无论系统时钟频率为多少,都可实现1.25 DMIPS/MHz。 通过动态调节内部供电电压来适应工作频率,可获得很高的能量效率,以mA/DMIPS表示。这种方法称为“欠压”。 STM32L4微控制器提供了两个动态可选电压和频率范围:( F% |4 s3 G6 d3 t* |/ T 1. Range 1支持高达80 MHz的系统频率& u% K; x: o- I* ?3 m) @ 2. Range 2支持达26 MHz的系统频率,并且效率提高(比Range 1高了15%)。 专用低功耗运行模式(LPRun)使内核可在2 MHz下运行,并且提高了效率,比Range 2高了20%。$ e: C6 {/ D+ M. D; F 这可通过利用内部低功耗稳压器为逻辑供电来实现。此模式下,具有独立时钟的外设仍然能够在16 MHz内部高速振荡器(HSI)下工作。这些外设为I2C、USART、LPUART1、LPTIM和SWPMI1。 图 1显示了不同运行模式下STM32L476的典型电流消耗,它是系统频率的函数。 7 h* b' P) v) O+ c ![]() 5 G+ n3 y9 L; Q% F6 h4 l5 w6 l8 I, q ![]() STM32L4微控制器允许从闪存,SRAM1和SRAM2,外部Quad-SPI或FSMC Bank 1执行代码。 从内部SRAM运行时,电流消耗是最低的。从内部闪存运行时,ART Accelerator™减少了访问存储器的次数,因此可降低总电流消耗。 图 3显示了STM32L476对于三种主要存储器配置的电流消耗: • 从内部闪存执行,ART Accelerator™禁用; d& ?' {6 {: w# @( C2 {: { • 从内部闪存执行,ART Accelerator™使能; • 从内部SRAM1执行,闪存禁用。9 D- s1 }# G' ]+ ?/ \1 ` 6 ^5 \) w- X/ [$ {5 k8 H ![]() 存储系统中可执行代码和数据的位置不仅影响电流消耗,而且影响总体运算性能。作为示例,表 1详细说明了STM32L476在80 MHz系统时钟下运行一个非常复杂算法时测得的整体性能,例如EEMBC®组织的CoreMark®。 * c% o! Z8 }. Y/ `: H1 p ![]() ![]() 0 V. Q: T3 n$ ?0 t% D/ X ART Accelerator™使得在计算(CoreMark®每MHz)和电流消耗(CoreMark®每mA)方面均可达到与从内部SRAM运行相同程序几乎相同的性能。 ![]() ) x$ J! @' M) G ![]() - g5 P* H/ E# G0 X; [ 表 4中对不同产品的性能进行了比较。" }1 C$ a T6 i) m1 O 如果可能,选择Range 2可提高差不多15%的效率(CoreMark®每mA)。 图 4显示了STM32L4闪存延迟(要被编程到闪存访问控制寄存器中的等待状态数量),它取决于稳压器电压量程范围和系统时钟频率。, a1 D5 O0 L9 l0 @. J/ G& t% U ![]() 5 |9 k4 Y0 D1 l1 y6 X. a 完整版请查看:附件 5 M% E' O$ a4 E |
DM00148033_ZHV3.pdf
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