前言
意法半导体基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用意法半导体专有的超低泄漏处理技术，具有创新型自主动态电压调节功能和 5 种低功耗模式，为各种应用提供了无与伦比的平台灵活性。 STM32L1 系列产品在不影响性能的情况下扩展了超低功耗概念。
这种复杂的架构意味着配置设置和操作模式具有更多选择。本应用笔记描述了如何配置您的STM32L1 器件来实现低功耗功能的目标，以及如何配置该系列产品的运行模式。它提供了经过验证的、现成可用的代码示例，能够快速评估您的探索板或其他平台上的电流消耗。
本文档不提供针对器件特性的任何配置设置。所附 STSW-STM32146 固件仅作指导。 请参考相关的数据手册来获取有效的最新特性数据。

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; D8 G, a2 s2 C1 固件架构
本应用笔记和相关固件定义了器件的基本配置，该配置对于实现最优化电流消耗的目标是必要的。它提供了一种清晰且有启发意义的方法，使您能够利用多种最优化低功耗模式的优势。固件的架构如图 1：固件架构中所述。


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该固件选用基于多项目工作空间的方式。每个项目指向激活的或器件可用的某一种低功耗模式。它们被配置为最简单的用例。 main.h 文件包含了一系列 “#define”，使您可以对更多定制化的测试进行微调 （您可从表 2：编译选项或代码本身的注释中获取更多详细信息）。每个项目的目标设置允许使用不同的时钟配置，这使得在评估阶段中重现精确的应用实例成为可能。
+ x- ?# z# @6 Y% b# O0 C, d" r. A在 IDE 工具的配置向导中，时钟频率或振荡器范围须根据您的需要来定义。

% o; o- A" ]& i/ p- y% B1.1 运行模式
. P1 ~" n! n" S, `6 F3 w6 T3 h* k器件的运行功耗通过在器件中运行不同类型的代码来进行评估。请参考表 2 来获取更多关于编译选项的详细信息。

1.1.1 仿真整数运算循环
器件的运行功耗通过在闪存中运行一个指令循环来进行评估。该代码设计成可得到近似等于Dhrystone 基准的电流消耗，但是用汇编语言编写。这种方法的优点是能够使代码不依赖于编译器设置。
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/ q! l# Q0 h% XRAM 执行和 DMIPS/mA
为检测应用代码从内部 Flash 或内部 RAM 中执行时电流消耗中的不同，您必须在编译器、IDE 的选项中指定文件 dhrystone_like.c 映射到何处。由于可关闭 Flash，因此从 RAM 执行的电流消耗更低，这使得 DMIPS/mA 速率明显增高。

" F. u5 |9 T  S* j# G. t1 j# u1.1.2 CoreMark 代码
  Q5 Q' O6 V" d" ]9 u可评估实际 CoreMark® 代码的消耗。电流消耗可能依赖于编译器和优化设置。进行CoreMark 评分 （Timer， USART……）测量的必要配置都被禁用，以便仅测量 CPU 消耗。

1.1.3 Dhrystone 代码
! m* `) k) ~; S运行该测试时，请注意禁用编译器内联选项来使其符合整数运算的要求。关于如何实现，更多信息请参考 C 编译器文档。
$ Y+ K7 \; Q) o+ }/ C  ^$ j4 c& j1.1.4 Fibonacci 代码
此代码执行对 Fibonacci 数列前 46 个数项的计算。 46 次迭代后，32 位结果溢出。也可以从内部 RAM 存储器中执行该代码，且 Flash 置于掉电模式以实现更低的电流消耗和更高的性能。

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1.1.5 c 语言中的无限循环：while (1)
; i" C3 f: a3 T为了比较执行复杂计算和基本循环时的内核功耗，向用户提供了此选项。也可以在 RAM 存储器中执行它 （Flash 关断）。
1 i5 w% E$ h' S注意：
. W6 l4 `  Z/ h; t" v% @' ~6 q请注意，仅从闪存执行且预取和 64 位访问使能时，“c while(1); routine” 可能在器件上产生不同的电流消耗。如果在无限分支之前的指令是一个 32 位指令，则分支指令从 Flash 访问。
0 j2 r& x6 Z) S/ ^( t; J另一方面，如果分支指令在一个 16 位指令之后，则它可以完全从预读取结果访问，会产生更小的电流消耗。
该特点重点说明了内存加速随内存中代码不同队列的运行。

1.2 低功耗运行模式
运行模式和低功耗运行模式之间的区别在于内部 Vcore 域调压器的状态。 Vcore 域电压转到2 - 1.5 V 范围内，调压器置于低功耗模式。因此系统最大频率为 121 kHz。结果是为外设和内核供电的电量受到限制。高速的系统时钟配置不再可能。请注意，此限制仅对 Vcore 域有影响，其他域不受影响。该项目中执行的代码是类整数运算循环。

1.3
睡眠模式
) ]. N% D" E' L0 o5 C& Q该模式下， ARM® Cortex™-M3 内核的时钟被禁用，如参考手册的第 4.3.5 节 “ 睡眠模式 ” 所述。代码示例中，当没有外设被提供时钟时，闪存被配置为低功耗模式。

1.4 停止模式
该模式可在调压器 ON 或处于低功耗模式时被访问。后者可实现更低的电流消耗，但是会增加唤醒时间。您可以运行 RTC 以及 LSE 振荡器和看门狗，能够看到实际用例中它们的 （电流）消耗。
1.5 待机模式
1 Q8 E; t7 t2 _0 ]  S- ~6 h这种配置下，您能够得到可能的最低电流消耗 （可用于 STM32L1 器件）。 Vcore 域切换为OFF，会降低泄漏，但是该域的寄存器内容会丢失，包括内部 RAM。备份域仍然是加电的，提供了 IWDG、 RTC 和低速时钟。系统由内部或外部源产生的复位来唤醒，包括 WKUP 脚上升沿、 RTC 闹钟 （闹钟 A 和闹钟 B）、 RTC 唤醒、入侵事件、时间戳事件、 NRST 脚的外部复位和 IWDG 复位。DocID024793 Rev 1 [
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