
前言 意法半导体基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用意法半导体专有的超低泄漏处理技术,具有创新型自主动态电压调节功能和 5 种低功耗模式,为各种应用提供了无与伦比的平台灵活性。 STM32L1 系列产品在不影响性能的情况下扩展了超低功耗概念。 这种复杂的架构意味着配置设置和操作模式具有更多选择。本应用笔记描述了如何配置您的STM32L1 器件来实现低功耗功能的目标,以及如何配置该系列产品的运行模式。它提供了经过验证的、现成可用的代码示例,能够快速评估您的探索板或其他平台上的电流消耗。7 Z% {& z: S& z: b1 ^" s8 I% [6 p0 {0 A 本文档不提供针对器件特性的任何配置设置。所附 STSW-STM32146 固件仅作指导。 请参考相关的数据手册来获取有效的最新特性数据。$ Y7 H6 W% l# C8 ?/ a* C- E6 v: A. A% u6 W , I" B! }6 g, x$ }- r2 [7 x/ M0 b ![]() : Q1 c5 \8 P, K0 O0 L 1 固件架构 本应用笔记和相关固件定义了器件的基本配置,该配置对于实现最优化电流消耗的目标是必要的。它提供了一种清晰且有启发意义的方法,使您能够利用多种最优化低功耗模式的优势。固件的架构如图 1:固件架构中所述。0 [4 z1 _6 }' \& \, t& x" s & Y( @! r4 r) f! i# s, F ![]() 该固件选用基于多项目工作空间的方式。每个项目指向激活的或器件可用的某一种低功耗模式。它们被配置为最简单的用例。 main.h 文件包含了一系列 “#define”,使您可以对更多定制化的测试进行微调 (您可从表 2:编译选项或代码本身的注释中获取更多详细信息)。每个项目的目标设置允许使用不同的时钟配置,这使得在评估阶段中重现精确的应用实例成为可能。 在 IDE 工具的配置向导中,时钟频率或振荡器范围须根据您的需要来定义。 $ ^& ^ I9 L7 d7 k, @ 1.1 运行模式4 Y9 z- |1 p9 n* J; \ 器件的运行功耗通过在器件中运行不同类型的代码来进行评估。请参考表 2 来获取更多关于编译选项的详细信息。 / ~) N% C( \7 x) B0 T 1.1.1 仿真整数运算循环; b6 e3 y9 u A! U" ? 器件的运行功耗通过在闪存中运行一个指令循环来进行评估。该代码设计成可得到近似等于Dhrystone 基准的电流消耗,但是用汇编语言编写。这种方法的优点是能够使代码不依赖于编译器设置。9 a' z: I7 Y1 G RAM 执行和 DMIPS/mA) z* |) Z% N( J: s- y, H 为检测应用代码从内部 Flash 或内部 RAM 中执行时电流消耗中的不同,您必须在编译器、IDE 的选项中指定文件 dhrystone_like.c 映射到何处。由于可关闭 Flash,因此从 RAM 执行的电流消耗更低,这使得 DMIPS/mA 速率明显增高。 ' x" E7 V6 i0 m 1.1.2 CoreMark 代码) \+ k2 Y' w7 @' e3 Q 可评估实际 CoreMark® 代码的消耗。电流消耗可能依赖于编译器和优化设置。进行CoreMark 评分 (Timer, USART……)测量的必要配置都被禁用,以便仅测量 CPU 消耗。# ?2 N; w# w1 N# D8 n 9 Q4 p6 s6 _; T% O% u6 E 1.1.3 Dhrystone 代码6 [. l& B9 C' i0 \# n 运行该测试时,请注意禁用编译器内联选项来使其符合整数运算的要求。关于如何实现,更多信息请参考 C 编译器文档。# s/ w( L. i; O ] m 1.1.4 Fibonacci 代码! W; H& u3 P: [ ^8 i 此代码执行对 Fibonacci 数列前 46 个数项的计算。 46 次迭代后,32 位结果溢出。也可以从内部 RAM 存储器中执行该代码,且 Flash 置于掉电模式以实现更低的电流消耗和更高的性能。( U7 y3 E! b5 S, r7 l " m- I5 V7 w s( w- \8 t8 V' u ( G. z+ @. q& v9 j8 ^5 y1 G6 W 1.1.5 c 语言中的无限循环:while (1) + T; V5 E+ H P 为了比较执行复杂计算和基本循环时的内核功耗,向用户提供了此选项。也可以在 RAM 存储器中执行它 (Flash 关断)。4 Z2 E7 V1 |: j 注意: 请注意,仅从闪存执行且预取和 64 位访问使能时,“c while(1); routine” 可能在器件上产生不同的电流消耗。如果在无限分支之前的指令是一个 32 位指令,则分支指令从 Flash 访问。 另一方面,如果分支指令在一个 16 位指令之后,则它可以完全从预读取结果访问,会产生更小的电流消耗。6 @- e, B! I6 Y( y% E 该特点重点说明了内存加速随内存中代码不同队列的运行。9 |: G" L9 W4 |6 @# j ' Y/ y4 G A( k. P( ~1 I% i1 K 1.2 低功耗运行模式! q) f* q9 a m# i5 E% B 运行模式和低功耗运行模式之间的区别在于内部 Vcore 域调压器的状态。 Vcore 域电压转到2 - 1.5 V 范围内,调压器置于低功耗模式。因此系统最大频率为 121 kHz。结果是为外设和内核供电的电量受到限制。高速的系统时钟配置不再可能。请注意,此限制仅对 Vcore 域有影响,其他域不受影响。该项目中执行的代码是类整数运算循环。6 i- S9 p3 ]( q/ Y 1.3 & ~$ b7 _, [3 c8 [1 s3 u 睡眠模式 该模式下, ARM® Cortex™-M3 内核的时钟被禁用,如参考手册的第 4.3.5 节 “ 睡眠模式 ” 所述。代码示例中,当没有外设被提供时钟时,闪存被配置为低功耗模式。 ( t* [7 d3 q {# r3 q 1.4 停止模式& a& a, a) V! _' F; V5 A7 c 该模式可在调压器 ON 或处于低功耗模式时被访问。后者可实现更低的电流消耗,但是会增加唤醒时间。您可以运行 RTC 以及 LSE 振荡器和看门狗,能够看到实际用例中它们的 (电流)消耗。/ d) e- c) C, u 1.5 待机模式) z$ q1 }+ [ P# S 这种配置下,您能够得到可能的最低电流消耗 (可用于 STM32L1 器件)。 Vcore 域切换为OFF,会降低泄漏,但是该域的寄存器内容会丢失,包括内部 RAM。备份域仍然是加电的,提供了 IWDG、 RTC 和低速时钟。系统由内部或外部源产生的复位来唤醒,包括 WKUP 脚上升沿、 RTC 闹钟 (闹钟 A 和闹钟 B)、 RTC 唤醒、入侵事件、时间戳事件、 NRST 脚的外部复位和 IWDG 复位。DocID024793 Rev 1 [- X& W* i2 \2 _* S3 Q$ ?8 { . Z6 g- s8 [! j _ |
DM00087687_ZHV1.pdf
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