前言
这个应用笔记说明了如何使用大容量的STM32F10xxx的FSMC(灵活的静态存储器控制器)驱动一组外部的存储器。文中首先简要地介绍了STM32F10xxx的FSMC控制器，然后给出了包含典型的FSMC配置的存储器接口实例，以及时序计算和硬件连接方法。
- h; b4 X( j  h" S- u本应用笔记的实例是基于STM3210E-EVAL评估版上的存储器，这是大容量STM32F10xxx的评估版。使用的存储器是一个16位的异步NOR闪存存储器，一个8位的NAND闪存存储器和一个16位的异步SRAM存储器。


1 STM32F10xxx灵活的静态存储器控制器简介
/ I" D2 s( m+ Y+ H灵活的静态存储器控制器(FSMC)是内置于大容量STM32F10xxx的外部存储器控制器。使用这个控制器，STM3210xxx微控制器可以与许多存储器连接，包括SRAM、NOR闪存和NAND闪存等。
FSMC包含2类控制器：
● 一个NOR闪存/SRAM控制器，可以与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口。
● 一个NAND闪存/PC卡控制器，可以与NAND闪存、PC卡、CF卡和CF+存储器接口。
控制器产生所有驱动这些存储器的信号时序：
● 16个数据线，用于连接8位或16位存储器
● 26个地址线，最多可连接64M字节的存储器(译注：这里不包括片选线)
, e2 r7 U3 u, G7 P) w● 5个独立的片选信号线
0 E  k. i+ M" y- t● 一组适合不同类型存储器的控制信号线：
9 a, Z$ K0 _* D$ I* y8 N. J5 i─ 控制读/写操作
─ 与存储器通信，提供就绪/繁忙信号和中断信号
% n* Q8 o9 {' V6 e* m+ V─ 与所用配置的 PC 卡接口: PC 存储卡、PC I/O 卡和真正的 IDE 接口
下面是FSMC的框图。
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● NOR闪存/SRAM控制器使用存储块1访问4个存储器设备，这个存储块被划分为4个区域，具有4个专用的片选信号。
5 t' ?9 _- K3 x3 f● NAND闪存/PC卡控制器使用存储块2和3访问NAND闪存设备。
● NAND闪存/PC卡控制器使用存储块4访问PC卡设备。
对于每个存储块，使用的存储器类型是用户通过配置寄存器定义的。
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8 _, D, w$ f5 q4 ~7 G8 ?6 c* J4 w; G
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) x7 E! M. k) ?, Q; M
4 U- |( u; I( R1 E2 与非总线复用模式的异步16位NOR闪存接口
$ o' [, S7 u4 K( b* r+ \% L2.1 FSMC配置
控制一个NOR闪存存储器，需要FSMC提供下述功能：
● 选择合适的存储块映射NOR闪存存储器：共有4个独立的存储块可以用于与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口，每个存储块都有一个专用的片选管脚。
● 使用或禁止地址/数据总线的复用功能。
: L" l; [1 w* l% o0 }" H● 选择所用的存储器类型：NOR闪存、SRAM或PSRAM。
● 定义外部存储器的数据总线宽度：8或16位。
● 使用或关闭同步NOR闪存存储器的突发访问模式。
( t# t* x( H! a' O; A● 配置等待信号的使用：开启或关闭，极性设置，时序配置。
● 使用或关闭扩展模式：扩展模式用于访问那些具有不同读写操作时序的存储器。
因为NOR闪存/SRAM控制器可以支持异步和同步存储器，用户只须根据存储器的参数配置使用到的参数。
8 O. \" F- N: ^FSMC提供了一些可编程的参数，可以正确地与外部存储器接口。依存储器类型的不同，有些参数是不需要的。
当使用一个外部异步存储器时，用户必须按照存储器的数据手册给出的时序数据，计算和设置下列参数：
! A. Y! N8 x+ a● ADDSET：地址建立时间
- J- b& o% k# D1 U% V● ADDHOLD：地址保持时间
● DATAST：数据建立时间
" S$ @5 {& ], f. |5 f! U● ACCMOD：访问模式
这个参数允许 FSMC可以灵活地访问多种异步的静态存储器。共有4种扩展模式允许以不同的时序分别读写存储器。
- T# t4 q( }! d0 W& L$ W在扩展模式下，FSMC_BTR用于配置读操作，FSMC_BWR用于配置写操作。(译注：如果读时序与写时序相同，只须使用FSMC_BTR即可。)
/ V, t3 R6 {6 O3 B1 t! ?如果使用了同步的存储器，用户必须计算和设置下述参数：
● CLKDIV：时钟分频系数
' W5 c! m& h6 N1 N1 g● DATLAT：数据延时
0 F! M- Y' M; H, `3 z+ A8 @如果存储器支持的话，NOR闪存的读操作可以是同步的，而写操作仍然是异步的。
当对一个同步的NOR闪存编程时，存储器会自动地在同步与异步之间切换；因此，必须正确地设置所有的参数。
图3和图4示出了对于一个典型的NOR闪存不同的读写时序。


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2.1.1 与NOR闪存存储器接口的典型应用
STM32F10xxx的FSMC有4个各为64M字节的不同存储块，支持NOR闪存、PSRAM存储器和相同的外部存储器。
所有外部存储器共用控制器的地址、数据和控制信号线，每个外部设备由唯一的片选信号区分，而FSMC在任一时刻只访问一个外部设备。
4 H  E- ]8 |. H  \# {每个存储块都有一组专用的寄存器，配置不同的功能和时序参数。
本文以M29W128FL存储器作为参考。M29W128FL是一个16位、异步、非总线共享的NOR闪存存储器，因此FSMC应按下述方式配置：
) L9 S" ^/ G8 e& q8 M. X1 z选用存储块2驱动这个NOR闪存存储器：
● 使能存储块2：设置BCR2_MBKEN位为’1’
● 存储器类型为NOR：设置BCR2_MTYP为’10’，选择NOR存储器类型
● 数据总线宽度为16位：设置BCR2_MWID为’01’，选择16位宽度
* Y" H; D) P* j2 O: \' l  h● 这是非总线共享存储器：清除BCR2_MUXEN为’0’
3 F9 J9 z) T5 \( E6 k6 O保持其它的所有参数为清除状态。

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