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在跑ucosii的时候进行OTA升级擦除失败,关掉系统调度可以擦除成功。单独建立一个裸机工程,跑page擦除程序,Jlink单步调试概率性出现擦除失败,上电一直跑可以擦除成功。这是芯片的限制么,还是flash在擦除的时候有需要注意的点没有注意到。 单步调试有时一进入HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError),就会引起SR寄存器报下面的错误: PGSERR:编程顺序错误 SIZERR:尺寸错误 PGAERR:编程对齐错误 感觉这些不是导致错误出现的主因,而是别的错误发生了从而置位了SR寄存器。下面贴一下我的初始化代码 while(status != HAL_OK) { status = HAL_FLASH_Unlock(); } /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */ __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR); while(addr + offset < addr + len) { bank = GetBank(addr + offset); EraseInitStruct.Banks = bank; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; EraseInitStruct.Page = GetPage(addr + offset); //EraseInitStruct.Page = (addr + offset)/FLASH_PAGE_SIZE; EraseInitStruct.NbPages = 1; offset += FLASH_PAGE_SIZE; status = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError); if (status != HAL_OK) { printf("flash erase fail, addr:0x%x, len:0x%x, errpage:%d, errcode:%d, ret:%d\r\n", \ addr, len, PAGEError, pFlash.ErrorCode, status); ret = -1; goto lock; } } 这段代码就是单步调试会返回错误的程序了,返回的错误就是上述的PGSERR,SIZERR,PGAERR。个人仔细检查了初始化参数,应该是没有问题的。而且工程中并没有看门狗操作,一开始觉得有可能是在flash未解锁情况下操作了flash,后续测试也是排除了这个可能。希望有经验的大哥可以解答一下小弟的困惑。 |
NUCLEO-G474RE这个开发板的例程在哪儿下载啊,不知道如和用他的usb和pc串口通信
STM32G431 用MCSDK5.4.8 进行PMSM永磁同步电机FOC控制,转速上升到某一值(3500rpm)无法继续上升,上不去
stm32g474cct6 flash地址问题
HRTIM中已经设置了两路独立输出,第二路无法设置触发源,提示必须是0
记录使用Cube生成HRTIM工程时的一个bug
stm32 usb hid设备能发数据给PC,但不能接收PC的数据!!!
STSPIN32G4 STM32G431VBTx CAN FIFO发送数据帧随机变远程帧
如何将电机转速度控制在0.1RPM以下?我尝试过将SPEED_UNIT改为480,电机转速度可以控制在0.125RPM,但最转到250RPM时,编码器计数好像溢出了
STM32G474 HRTIM的single-shot功能,如何使用?
无源晶振开关电路设计
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好的,感谢解答,关于这个问题现在重定位向量表和程序到sram空间,如果不能复现那大概率就是这个问题了