一、关于FLASH
# R$ C+ r& ^5 G6 F1 C. |: w$ G- T1.内存映射
8 U, X) e3 w0 A7 k9 L( t! @& M0 C首先我们需要了解一个内存映射：

: Q/ r0 J" p+ r6 J  Q" O6 b
stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，不同的芯片flash大小不同。

6 R( k8 X6 |! z  Q0 NRAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。
$ J2 ^+ w1 m; e% ?
8 |, X- G: j5 |6 K" ^6 m  ]Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失，
RAM可以理解为内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等。掉电数据丢失。

) L+ I6 d2 [; o5 q+ iSTM32将外设等都映射为地址的形式，对地址的操作就是对外设的操作。
stm32的外设地址从0x4000 0000开始，可以看到在库文件中，是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。

一般情况下，程序文件是从 0x0800 0000 地址写入，这个是STM32开始执行的地方，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。
在使用keil进行编写程序时，其编程地址的设置一般是这样的：

  t' ]$ B3 Y0 N- m) T' \5 T

1 g) N& ]/ o3 w8 F. B: Q2.内部FLASH
1 F" \: L) F3 i6 @& f* `STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域，它们的地址分布及大小如下：


3 U+ b3 Z' h2 Y& t$ t% [
1.主存储器：一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除，
: b/ n" M0 @7 o3 E2.系统存储区：系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、 USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。
3.OTP 区域：OTP(One Time Program)，指的是只能写入一次的存储区域，容量为 512 字节，写入后数据就无法再更改， OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。
# J2 z% @' |1 u, E4.选项字节：选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。

0 J% x/ c/ K" i" a9 \3.对内部Flash的写入过程
1.解锁
(1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123
(2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
2.数据操作位数
& k  \9 l+ N3 ]: W0 x最大操作位数会影响擦除和写入的速度，其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外，还需要在 Vpp 引脚外加一个 8-9V 的电压源，且其供电间不得超过一小时，否则 FLASH可能损坏，所以 64 位宽度的操作一般是在量产时对 FLASH 写入应用程序时才使用，大部分应用场合都是用 32 位的宽度。
" X. u2 c+ R! \- p# z, [3.擦除扇区
  }* x* `; B5 R/ ~) m" x2 y& t" X$ Y* f/ c在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了扇区擦除指令和整个FLASH 擦除(批量擦除)的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。
扇区擦除的过程如下：
(1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何
Flash 操作；
7 @& O4 e# ?' z. q0 G(2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇
, ~; b; X* f# w- L, W6 \# ]区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区；
(3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。
4.写入数据
* ~1 E' ?$ g4 f, y# P1 v擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：
" X1 H% T4 g2 w& p8 C! d2 u8 q(1) 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作；
( Z! m0 i- y9 G  T# t(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1；
/ b0 S) p/ C8 c0 I% ^(3) 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。
" I1 |  T" a/ J4 j8 [9 m+ w% a( ~
二、工程尝试向STM32的内部FLASH写入数据

, `; v1 R, T6 Y% r( l) ]' J修改好后在MDK-ARM中打开工程，可以将想要存入Flash中的内容修改为自定义内容
3 K6 `# f) B) f- |2 Q% L$ D/ ]

1. uint8_t FlashTest[] = "LaiYiFei25";

复制代码

6 y. v4 d; F7 Z% b
" @3 a. X/ o) @( Q& ~; k进行程序调试前，先完成配置：
注意：下载的工程代码调试用的是硬件 st-link debuger，不是软件仿真，因此用软件仿真做，可能情况略有不同（小编这里软件仿真就没有出现结果）
" N4 \4 E- ]7 X' j点击Options->Debug->右边使用硬件ST-Link Debugger，接着点击S T-Link Debugger右边的Settings
5 d; T3 d+ o8 f7 u) K
4 R$ Q6 j2 G$ Z0 C. k5 M
( U$ L% g; r  _3 W9 q& ~; ~! N
进入到Cortex-M Target Driver Setup的Debug页面，其中的Port选择为SW
9 \$ d, w7 W( o% N8 k

3 {/ B0 C# l: A5 N! V) B
依次点击Flash Download->勾选Reset and Run->Add->选择STM32F10x Med-density Flash->Add->确定即可
% x9 X& j- H( w

; _% h6 c6 n; f5 N, }2 p
最后点击OK完成硬件配置
8 I' a8 |1 D% L' k7 `: K+ g2 ?
由于要连接硬件ST-Link，所以要下载一个STLink驱动，不然下载不成功

+ {5 M4 P. @8 {, V: f/ {& o连线如下图所示：


3 n- p3 l+ {+ L2 M+ }
点击左上角的LOAD按钮将程序下载到STM32中：


  D* l* p. Q9 @5 u3 j
之后点击dubug按钮，进入硬件仿真调试（断点已自动设置好）：
; S# B- C- A5 L  P9 s" e
2 N7 W! P- s0 K; \# S! \
3 G) N  X. }( m/ ^$ B8 g
6 V# {! _% Q( H% E8 p点击View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800C000，观察将要修改的flash区间区容：
# A1 M- P. G, f- C  x, F1 M; F
! r7 |3 d2 `/ E% a; U- ?5 F0 U

其中点击某一字符右击可选择显示格式，修改为Ascii：

  t% i' N+ g2 Y' x0 N/ s

点击View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口：
8 U0 k  S( z% Z$ R: U
: V& J. I% U8 x

将变量FlashWBuff 和FlashRBuff加入到Watch 1观察窗口
' L7 s0 E2 l! d- I3 J- K& f) H
. R+ N7 O( r# p" `
% T; B" }4 x1 F, E
另外View->勾选Periodic Windows Update，开启变量自动更新：



2 e# f& Q4 t5 F7 c" M1 U6 x& c按如图所示的全速运行按钮或者F5：


8 f8 ]4 n7 R. {2 J) H
% q! C8 D% Y; G; F5 U& A这时就可以看到Watch 1窗口的数组FlashRBuff中的内容与数组FlashWBuff中的内容是一样的：



同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容
5 ?: @& `, \0 E8 b/ t) A
( O4 H4 S* T6 {5 x- s

断电后再重新上电进行调试，程序停在main入口处时还可以看到Flash对应区间的内容保持上一次写入内容值：
6 e: _' x) X" c( ~
! l/ w% L! }: G2 k/ ]5 n. Q8 T+ V8 H
/ X- I; r7 O0 W% n+ r; ~
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