一、关于FLASH
0 P( H/ D2 Y/ l2 I& i& u7 W1.内存映射
首先我们需要了解一个内存映射：
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; G& P- S' f# v$ {  ]9 Q1 t
stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，不同的芯片flash大小不同。

$ X5 Z2 X; y* M4 F7 o0 ORAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。
2 `. B9 X0 n2 Y3 E  c) p* }
7 u1 `; c4 Y+ r3 D- j7 |7 tFlash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失，
RAM可以理解为内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等。掉电数据丢失。
5 J% ~! B! l4 A% q* ]3 E" z
, @' y- e5 g% d/ hSTM32将外设等都映射为地址的形式，对地址的操作就是对外设的操作。
stm32的外设地址从0x4000 0000开始，可以看到在库文件中，是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。
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/ d3 Q3 W! }2 L4 B% Y一般情况下，程序文件是从 0x0800 0000 地址写入，这个是STM32开始执行的地方，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。
在使用keil进行编写程序时，其编程地址的设置一般是这样的：
1 W+ o4 d' ~' e
7 v. ~* H* ~8 r) U, b- ~* U! [* g

! R; M7 G# U' ?. `0 u& _2.内部FLASH
STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域，它们的地址分布及大小如下：
( P8 M$ M5 }  m
. ~9 ^1 r) s6 c9 I: O4 d% a
+ M/ Y2 c6 S6 b* F! s
# P; v' p$ q  Y) ^* J% y1 ]6 }1.主存储器：一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除，
2.系统存储区：系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、 USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。
: R$ Q- {2 D- S$ C& B, N3.OTP 区域：OTP(One Time Program)，指的是只能写入一次的存储区域，容量为 512 字节，写入后数据就无法再更改， OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。
7 ], l9 i/ ~* k! U' l) ]4.选项字节：选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。
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- m8 h# @  d# i6 v- N" z3.对内部Flash的写入过程
1.解锁
' H& w& S1 \. g" {(1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123
/ n4 \/ l) n! I8 ^: c(2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
6 L, t" q  t  j: Z) j2.数据操作位数
最大操作位数会影响擦除和写入的速度，其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外，还需要在 Vpp 引脚外加一个 8-9V 的电压源，且其供电间不得超过一小时，否则 FLASH可能损坏，所以 64 位宽度的操作一般是在量产时对 FLASH 写入应用程序时才使用，大部分应用场合都是用 32 位的宽度。
3.擦除扇区
在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了扇区擦除指令和整个FLASH 擦除(批量擦除)的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。
' x( ~5 v7 ?0 |, c: h& C2 F3 |扇区擦除的过程如下：
(1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何
& j2 t8 x) S% _4 A+ c" W7 lFlash 操作；
9 D% @3 t  D' P4 v4 k4 F(2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇
区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区；
(3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；
6 ~  V$ G% U& _% E8 T  c2 N(4) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。
4.写入数据
$ c( B5 m. @" ~% q& s, O6 n/ d+ l! D擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：
(1) 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作；
(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1；
(3) 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。
  V, E  i( |6 b- Z, x$ h
5 c; e$ _/ U% B" `二、工程尝试向STM32的内部FLASH写入数据
# w; m; l' \5 i& c
5 Q& _" ~) N, Y2 R+ J修改好后在MDK-ARM中打开工程，可以将想要存入Flash中的内容修改为自定义内容
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+ h% s! |  W5 P: X% G( K& A

1. uint8_t FlashTest[] = "LaiYiFei25";

复制代码

8 n- K6 R/ F3 X9 s

进行程序调试前，先完成配置：
注意：下载的工程代码调试用的是硬件 st-link debuger，不是软件仿真，因此用软件仿真做，可能情况略有不同（小编这里软件仿真就没有出现结果）
; ~% a7 o* k9 q0 u, P* q点击Options->Debug->右边使用硬件ST-Link Debugger，接着点击S T-Link Debugger右边的Settings
) B1 i" q- r2 {8 E6 h: d
( v$ c1 [; I) K! n# E
9 \9 `. m" v: x, ?
' b# p0 o* U0 d进入到Cortex-M Target Driver Setup的Debug页面，其中的Port选择为SW

( s0 n: S( T, O' i+ T+ P; d9 U; ^8 r8 s
4 U8 t4 }! A, _- E9 d+ \" h) ?" F
依次点击Flash Download->勾选Reset and Run->Add->选择STM32F10x Med-density Flash->Add->确定即可
7 K1 L3 Z. H9 M" `6 S# n* w7 ?
8 A+ H7 Y5 m) @+ y3 X4 K

6 K. [" f8 q! M/ U8 F最后点击OK完成硬件配置
: |$ M+ i. h; [; v3 g  P3 R9 o
由于要连接硬件ST-Link，所以要下载一个STLink驱动，不然下载不成功

! c6 b. `# T" M6 p" f1 w连线如下图所示：

& b) z4 z" U- Y! h

' _& e) U& r' o点击左上角的LOAD按钮将程序下载到STM32中：


: B% {% B  h( Z. R; }( V
之后点击dubug按钮，进入硬件仿真调试（断点已自动设置好）：
4 I+ V+ e. z. H

. D2 K. j# E/ B+ \9 f% M
点击View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800C000，观察将要修改的flash区间区容：



% E$ I+ i- O! Z( p其中点击某一字符右击可选择显示格式，修改为Ascii：
; i4 g( R5 w7 w+ o' Z, W
- L7 }- q8 l5 V
& |. s8 R  M! e- s
/ I- w8 f5 E3 U* R& i% U! x点击View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口：


& I( k) [9 v8 W4 t3 [( }
将变量FlashWBuff 和FlashRBuff加入到Watch 1观察窗口

8 _8 a) E, f4 a

( N: p  k( {& O1 N5 O5 j: `另外View->勾选Periodic Windows Update，开启变量自动更新：
# G$ v$ L4 e% L& p0 H5 k


按如图所示的全速运行按钮或者F5：



这时就可以看到Watch 1窗口的数组FlashRBuff中的内容与数组FlashWBuff中的内容是一样的：

. l; f5 j( C* m  Z  J# H  U
/ {& x- d( o( V) F, b$ Q7 z
# [! x2 O' N  D* T0 V5 @( j1 r# u同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容



断电后再重新上电进行调试，程序停在main入口处时还可以看到Flash对应区间的内容保持上一次写入内容值：
5 z* h' {! e; I9 P8 g

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