引言 软件提供商正在开发被称为IP（知识产权）代码的复杂中间件解决方案，保护它们对微控制器而言是一个非常重要的问题。
' T. o, x5 h: K* ?' Q4 G4 a为了满足这一重要要求，STM32L4、STM32L4 +和STM32G4系列MCU可提供以下保护功能：
• 读取保护（RDP）：防止进行读取操作
• 写保护：防止进行不需要的写入或擦除操作
* ?; H% q2 P- x) q" y- m• 专利代码读取保护（PCROP）：防止在闪存和SRAM存储器上进行读写操作。
+ m4 G. q6 K# u9 }2 s• 防火墙：针对外部进程为敏感代码和数据提供访问保护。

本应用笔记对这些闪存保护功能进行了说明，重点介绍了专利代码读取保护（PCROP），并提供了PCROP保护的基本示例。
4 ^+ E2 W6 R$ l- o/ M8 X% x: K. r 本文档随附的X-CUBE-PCROP固件封装包含了PCROP示例的源代码，以及基于STM32L4系列微控制器运行示例所需的所有固件模块，并且该封装可轻松移植到STM32L4 +和STM32G4系列微控制器上。


1 单分区存储器保护说明
基于Arm®(a)内核的STM32L4、STM32L4+和STM32G4系列微控制器采用多种机制，可对全存储器或特定段进行读写保护。
读保护用于保护代码免受外部访问的转储（SW IP保护），而写保护用于保护代码或数据不被意外擦除。除闪存外，这些保护还扩展到STM32L4和STM32L4+系列的SRAM2，以及STM32G4系列的CCM（内核耦合存储器）SRAM。
STM32L4xx MCU还具有防火墙机制，可在存储器中创建受信执行区域。

1.1 读取保护（RDP）
5 M0 k' _( M: X8 }  ~! M 读取保护是全局闪存读保护，可保护嵌入式固件代码，可以预防复制、逆向工程、使用调试工具读出或其他方式的入侵攻击。该保护应在二进制代码载入嵌入式闪存后，由用户进行设置。读取保护适用于：
• 主闪存
• 实时时钟（RTC）中的备份寄存器
# N# P& z3 s, f3 |/ f  v2 k# s  ?• SRAM2（STM32L4/STM32L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）
0 S3 x1 o6 p! q" I; T* o  @ • 选项字节（仅限级别 2）。
以下章节中对三个RDP级别（0，1和2）进行定义和描述。

6 A) \1 K0 t, B% a+ Z  b 1.1.1 读保护级别0
级别0是默认级别，闪存完全打开，可在所有引导配置（调试功能，从RAM、从系统内存引导加载程序或从闪存启动）下进行全部内存操作。在这种模式下没有保护，该模式可满足开发和调试需求。
& [- r2 a# T  o) K
; h/ W  e6 R4 Q% Y$ ?* I 1.1.2 读保护级别1
激活读保护级别1时，即使是从SRAM或系统内存引导加载程序来启动，也不能使用调试功能（如串行线路或JTAG）分别访问（读取，擦除和编程）STM32L4/L4+和STM32G4系列的闪存或SRAM2和CCM-SRAM。在这些情况下，任何对受保护区域的读请求都会生成总线错误。
: N9 T0 @' v. c9 T: F2 \ 但是，当从闪存启动时，则允许从用户代码访问闪存和SRAM2（STM32L4/L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）。

3 K9 M$ D+ @' A: Q+ e9 _将RDP选项字节重新编程为级别0，可禁用RDP级别1保护，这会导致闪存被批量擦除；而且SRAM2（STM32L4/L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）和备份寄存器会复位。

0 z% |% B4 R2 {2 p1.1.3 读保护级别2
; ^: v, c9 z$ ]2 X激活RDP级别2时，级别1下提供的所有保护均有效，MCU受到全面保护。RDP选项字节和所有其他选项字节都会被冻结，不能再修改。JTAG、SWV（单线查看器）、ETM和边界扫描全部禁用。


! d8 p- R4 N1 X从闪存启动时，用户代码可以访问内存内容。但是，不再能从SRAM或从系统内存引导加载程序启动。
! H% F" b2 _, d$ n+ U
. ], q8 Z& t" t8 O$ Y. S3 T' y
5 [9 `4 R% u* @/ g5 r+ ]这种保护是不可逆的（JTAG熔断），所以不能回到保护级别1或0。



5 h: Y. f2 S( L" R
1.1.4 受RDP保护的STM32内部闪存内容更新
7 L7 q6 I4 |) q; O' Q当Flash RDP保护激活时（级别1或级别2），内部闪存内容不能通过调试进行更新，或者当从SRAM或系统内存引导程序启动时也不能更新。因此对最终产品的一个重要要求就是，能够将内部闪存中的嵌入式固件升级为新的固件版本，添加新功能并修正潜在问题。该要求可以通过实现用户专用固件来解决，使用诸如USART的通信协议来进行重新编程过程，从而执行内部闪存的应用内编程（IAP）。

1.2 写保护
6 s1 d$ A" a1 k写保护用来保护指定内存区域的内容，避免更新或擦除代码段或非易失性数据。


# W8 {  A6 w3 E1.2.1 闪存写保护
写保护区域的数量取决于闪存架构。
4 R3 D  x4 _0 w( p; y1 R对于STM32L4和STM32L4+系列，每个闪存中可以以2KB粒度定义最多2个区域。
% W& ~- r7 q" ]7 y3 b9 w6 nSTM32G4 3类设备能够以单分区或双分区工作。
• 在单分区模式（DBANK = 0）中，最多能够以4 KB的粒度定义四个写保护区域。
: o$ k: j3 v" q$ |" v• 在双分区模式（DBANK = 1）中，最多可以定义两个写保护区域
每个存储库中2 KB的粒度。STM32G4 Cat2设备只能在单个闪存库中工作。能够以2 KB粒度定义两个写保护区域。
图 1中的灰色区域是具有两个粒度为2 KB的写保护（WRP）区域的双分区结构的示例。

( t( ?* L& h6 `7 w9 l/ E& ]% y
/ [1 Q# E2 o  j9 o" A4 A/ b
1 V/ D: p' o& S' c9 d, T- J. i
2 G  u( N7 v3 L1 E/ g' z受保护区域无法被擦除和编程，任何写请求都会产生写保护错误。如果要擦除/编程的地址属于闪存中处于写保护状态的区域，则通过硬件将WRPERR标志置位。例如，如果闪存中至少有一页是写保护的，则不能对其进行批量擦除，并且设置WRPERR标志可通过嵌入式用户代码或使用STM32 ST-Link Utility软件和调试接口，进行使能或禁用写保护管理。
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: K5 @8 I9 U) D3 w完整版请查看：附件

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