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概述 本章主要GPIO输出模式下不同配置的说明。 使用STM32CUBEMX生成例程，这里使用NUCLEO-L476RG开发板,因为我这只有这款板子的主频较快。 3 e3 O, H/ M3 S f/ a) Y; z
不同速率对应的波形8 D+ F J) w ]8 e& J. j 以PC3为例，在推挽输出无上下拉情况下，输出速率主要有4种，一般的低端MCU只有3种，没有Very High。 2 b0 B; e' k: o9 { 
, U. Z; ~0 _9 \7 X ) ^2 C3 r3 Q7 \6 M* i+ [ 
High速率& }$ b. X) r- X% }( \0 N3 z x 9 q6 F" C2 B# T# e! j) S* M" C' T: ]5 L 
Very High速率 
可以看到，在不同速率下，端口的反应速度不一样，设置最大输出速率越大，响应越快，对应的噪声也就越大。 
在上图中，P-MOS带了一个⚪，说明是低电平导通。
上图是GPIO的示意图，有输入和输出，如果简化为输出，则如下所示。 8 Q; N T. c" B/ y, H. H6 R
推挽输出 推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。 
: R$ U/ r# ?7 I% \3 p 当输出高电平时候，P-MOS导通，N-MOS截至，此时电源电流入R5。 
9 O5 _' b, w4 K% Q+ E8 u$ T) q 当输出低电平时候，N-MOS导通，P-MOS截至，此时电流流入R5的为0。 ; z( W& c$ V6 P& ?1 o
线与/ d: W! [- \. _, w 推挽输出高电平与电源电压基本上没有压差 高低电平的驱动能力较强，推挽输出的电流都能达到几十mA。 但是无法进行线与操作，做进行线与操作，那么电源和地就会短路，因为mos管电阻很小。 看下图可以得知，电流通过Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS，最终回到地。 开漏输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。 
( Q1 m: J8 h) Y( [3 K, H3 w% o 若还是使用上面推挽的电路图，当N-MOS为低电平时候，那么他的输出就是一个高阻态。 可以看到，R5没有电流通过，电压也是接近于0，所以GPIO无法对外输出高电平。 0 r7 {2 Y9 b1 {. J
此时需要增加一个上拉，这样的话上拉的电流就会流出去。 所以在开漏输出情况下，需要增加一个上拉才能进行输出高电平。 ! j; t9 L) K- g1 N3 |# C: q
对于输出低电平，他和推挽输出差不多，电流通过N-MOS流到地中。 - C1 O: x3 r4 c# ]- r 
2 Q3 u) E% O5 G4 H% l; B 上图是没有增加上拉，但是开漏输出模式都需要增加，增加上拉之后如下图所示。 电流通过N-MOS流回地中。 
输出电压: L2 Z' p9 X% Z0 b: J 由于推挽输出在输出的时候是通过单片机内部的电压，所以他的电压是不能改变的。 但是开漏输出是通过外部上拉的电压，所以可以改变开漏输出模式下的电压大小。 下图是当上拉为5V时候，也是可以驱动出去的，这个上拉电压最大值需要看单片机的耐压。 1 m* p5 c/ p6 D0 ^# `) [" r
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