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STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序 1、flymcu.exe----读器件信息 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 www.mcuisp.com(全脱机手持编程器EP968,全球首创)向您报告,命令执行完毕,一切正常 2、flymcu.exe----开始编程----提示设置读保护 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...5, 接收到:1F 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时922毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护 开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!) 去除读保护,并擦除成功 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒,已准备好 开始编程芯片,共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息:32readbytescount 64len 调试信息:-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒 |
有关STM32h755的单片机?
STM32H7A3VGTA QSPI读W25Q128J DMA模式不能工作
STM32H725VGT3电源配置问题
OV5640 JPEG帧头和帧尾读取错误,无法找到FFD8和FFD9
STM32H743VIT6,出给客户,客户用自己台湾产地的库存做X-ray对比,发现供货物料和他们自己的样品引线不一样,请问这是什么原因呢?有没有大神帮忙解答一下,谢谢!
STM32CubeMX 配置 STM32H745ZI 的 HSEM 模块
感谢大佬的指点,问题解决
H7demo板下载点灯没反应
//STM32H7A3VGT6 QSPI的DMA方式无法正常工作
IDE下载程序问题
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建议先用SWD接口的烧录器读出option byte 看看有没有异常。
ST 公司有否通过串口烧写STM32H750VBT6 的软件?如有,能否提供一个?
试试STM32CubeProgrammer
使用STM32 ST-LINK utilityV4.6
1、target-->Connect ,提示can not read memory
2、Option Bytes --》option Out protection 为 Level 0
3、STM32CubeProgrammer-- uart --提示连接不上