|
STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序 1、flymcu.exe----读器件信息 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 www.mcuisp.com(全脱机手持编程器EP968,全球首创)向您报告,命令执行完毕,一切正常 2、flymcu.exe----开始编程----提示设置读保护 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...5, 接收到:1F 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时922毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护 开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!) 去除读保护,并擦除成功 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒,已准备好 开始编程芯片,共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息:32readbytescount 64len 调试信息:-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒 |
STM32H725内部FLASH读写问题
我在使用STM32H747IGT6的时候,遇到了一个问题;上电前并未短路,上电后电流跳跃至1.6A,且不断增大至1.9A,断开电源后芯片不短路,请问是什么原因?
为什么在CubeMX中无法分析模型?而在云服务器可以?
STM32H7的LSE起振问题
stm32H7 FLASH写入后数据异常 求教
关于STM32H7的系统架构中总线主设备与总线从设备连接的疑问
STM32H7掉电存储数据
STM32H743ZIT6的4K SRAM备份域数据,当VTAB引脚的电压低于2.8V就会丢失数据,2.8V以上是正常,请问是什么问题?
STM32H747I_eval_QSPI FLM工程疑问
STM32H7 TIM3-CH3/4 能不能用于编码器输入。
微信公众号
手机版
建议先用SWD接口的烧录器读出option byte 看看有没有异常。
ST 公司有否通过串口烧写STM32H750VBT6 的软件?如有,能否提供一个?
试试STM32CubeProgrammer
使用STM32 ST-LINK utilityV4.6
1、target-->Connect ,提示can not read memory
2、Option Bytes --》option Out protection 为 Level 0
3、STM32CubeProgrammer-- uart --提示连接不上