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STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序 1、flymcu.exe----读器件信息 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 www.mcuisp.com(全脱机手持编程器EP968,全球首创)向您报告,命令执行完毕,一切正常 2、flymcu.exe----开始编程----提示设置读保护 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...5, 接收到:1F 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时922毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护 开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!) 去除读保护,并擦除成功 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒,已准备好 开始编程芯片,共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息:32readbytescount 64len 调试信息:-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒 |
STM32H723VGT6 通过USART1/3连接CubeProgrammer失败
求助:USB 设备模式下的 UF2 更新,擦写非活动 Bank 时引起主机复位,但加 Hub 正常 —— 双 Bank 不是应该无干扰吗?
stm32h745-nucleo下不进程序,就是用programmer看,识别得到stlink,但是连不到芯片
STM32H723 ULPI接口失效
STM32H7R7的SPI DMA双缓冲怎么做。
有人用过PVD在掉电瞬间写Flash
STM32H743 配置USBOTG 使用U盘几周后 stm32无法识别usb
在STM32CubeIDE 中用sprintf,printf总感觉差点什么
STM32H743使用Keil V6(AC6)编译FreeRTOS报错__forceinline未定义及CMSIS-RTOS2配置错误,如何解决?
NUCLEOh753zi
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建议先用SWD接口的烧录器读出option byte 看看有没有异常。
ST 公司有否通过串口烧写STM32H750VBT6 的软件?如有,能否提供一个?
试试STM32CubeProgrammer
使用STM32 ST-LINK utilityV4.6
1、target-->Connect ,提示can not read memory
2、Option Bytes --》option Out protection 为 Level 0
3、STM32CubeProgrammer-- uart --提示连接不上
同样的芯片,为什么提示连接不上呢?