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基于使用 STM32 TT 类型 IO 的注意事项经验分享

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STMCU小助手 发布时间:2023-11-26 15:54
01概述
. m7 q+ Z6 ^; r7 ]在 STM32 系列 MCU 中, 除了一些特殊管脚外,绝大多数管脚都可以分类为 FT (兼容5V 信号)或 TT(兼容 3V3 信号)类型的 IO,由于 MCU 内部设计的不同, TT IO 相比 5V IO 有更多的限制,下面我们将予以说明。% A' n& m7 a+ ^+ u! \
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02 TT 和 FT IO 的结构和参数区别& f* Q7 ]5 O3 _% Z+ R
下面我们解释 TT 和 FT IO 的不同内部结构以及因此导致的对输入电压和电流的不同限制要求。, o, e/ @9 ], z5 k1 B  j

& q8 g% X+ c4 e; C
: R6 a/ q- j+ b/ @7 a$ k$ U& e
2.1. TT 和 FT IO 的结构区别# a, ]7 `' \, R+ J/ B$ k
下面的图 1 描述了 TT 和 FT IO 的通用结构:
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图1.TT/FT IO 的内部结构
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TT 和 FT IO 的内部结构在 IO 端口的保护电路 (IO 到 VSS 二极管以及 ESD 保护单元),输出 BUFFER,数字控制单元以及模拟单元都是相同的。
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区别在于, 对于 FT IO 来说,从 IO 输入到模拟单元之间存在一个模拟开关,只有在软件控制相关寄存器后这个开关才会闭合. 而对 TT IO 来说, 这一模拟开关是不存在的,IO 管脚与模拟单元直接相连。( k( z" ]$ \. Y5 g. T! O& d3 z8 L- G
. a7 O, m0 \) a8 z* E# e) [  _; D
2.2. 结构不同导致对电平和电流的不同要求
  U% u+ l2 j8 E" J5 D从图 1 结构图中可以看到, 在 IO 内部的模拟单元中存在一个输入信号到 VDDA 寄生二极管和相串联的电阻,该二极管是寄生的,因此其电流能力是无法保证的,不但不能用做模拟输入信号的钳位二极管,而且还要避免任何从输入信号到 VDDA 的注入电流的产生, 否则可能导致内部相关电路的损坏。
7 [+ Y2 A$ _& C# `$ ]( B. w) o) b  ]4 s& W
因此对于 FT IO 的数字输入信号来说, 由于模拟开关被断开, 输入的信号即使高于VDDA 也不会导致模拟单元中寄生二极管电流的产生,在 VDD+4V 的范围内, IO 是安全的。 2 u' }  I7 J6 K& s

/ ^3 s! z7 m  b如果 FT IO 被配置为模拟输入,模拟开关闭合, 那么它就不再是兼容 5V 的 IO 了,输入信号的幅度必须小于 VDDA+0.3V。 3 I$ e- z1 i) e; z' |
/ [( P8 t6 Y7 x
对于 TT IO 来说,由于不存在到模拟单元的模拟开关,模拟单元的寄生二极管和 IO 口是直接相连的,因此,在任何时候都必须保证加到 TT IO 端口的信号电平小于VDDA+0.3V。 ( p7 p- b) \/ a% n

0 v/ o3 p8 V. z) ?另外需要补充的是,如果 IO 输入信号可能存在负电平,尽管 TT 和 FT 类型的 IO 都在端口处设计有到 VSS 的二极管,这一二极管提供了一定的钳位保护能力,但是其通过电流能力限制在 5mA 以下。因此,外部钳位二极管通常仍然是必须的,如果不能通过外部钳位二极管将输出负电平信号限制在大于 -0.3V, 那么就需要串联限流电阻将流经二极管的负注入电流限制在 5mA 以下。9 l' O" x& l" e6 c2 w
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2.3. STM32 datasheet 中相关参数说明+ m5 c2 S% n+ \) V8 V3 `
在 STM32 的 datasheet 中对 IO 端口的电压和注入电流的要求有限制, 以STM32G474 为例, 在 Absolute maximum ratings 章节中, IO 对输入信号电压的要求如下:# x7 j4 z; m. U" W( I. _
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图2.IO 对输入信号电压的要求

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很多人注意到了电压要求,认为只要加在 FT IO 的信号电平不超过 VDD+4V, 加在TT IO 的电平不超过 4V 都是安全的, 但是忽视了 IO 对工作电流和注入电流也有要求, 电流方面的要求也必须得到满足, 具体如下:9 _: i' K; F" x& u) U4 I
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图3. IO 对电流方面的要求
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可以看到, IO 对注入电流同样有着限制,在-5mA 到 0 之间,超出这一范围仍然可能造成 IO 的损坏。
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0 G/ c8 x! F+ V0 e  S6 }; b对于 STM32 的使用来说, 电平和电流方面的限制必须都得到满足。
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5 I+ }/ P. Q9 A8 j7 k03 TT IO 的注意事项
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2 _( ?+ I8 U0 m- q. }( }使用者对加在 IO 的电平幅度限制一般都能遵守,但是对于 IO 电流特别是注入电流的严格限制往往被一些使用者忽视,然而实际上, IO 对注入电流的限制往往对加在 IO 管脚的信号电平提出了更高的要求。" _# Z' s- m- l8 W7 Z

: {+ ]. O1 I8 Q0 m" p1 G对于 FT 类型 IO 来说, 只要信号电压在使用的合理范围内,正的注入电流是不可能产生的。 6 m/ U5 A! ~. j, @2 Y, A) Z
& ^, J/ R: v& U$ ?
对于 TT 类型 IO 来说, 超过 VDDA+0.3V 的信号电压都有可能产生 大于 0mA 的正向注入电流,这个电流流过芯片内部参数没有保证的模拟单元寄生二极管,从而可能导致电路损伤。 ' B+ Q& k7 _3 E; `: t) j# F

. m& ~; |6 K! _因此对 TT IO 的电平 小于 VDDA+0.3V 的限制在任何场景下都必须满足。
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' [) W; T3 A. b. e6 C一个常被忽视的场景是系统上电时, 在 STM32 的供电系统还没有建立时, STM32 的IO 信号已经加在了 IO 管脚,例如某些电源或电机应用中对母线电压的检测,通常用分压电阻将母线电压分在 1V~2V 之间后连接到 STM32 的某一 ADC 采样输入 IO,通常这一分压电压到达 IO 比 VDD 建立更早。如果这一 IO 是 FT 类型的, 那么 IO 的信号电平始终能满足 小于 VDD+4V 的要求, 不管 VDD=0V 或 3V3。但是假如这一信号所接的是 TT 类型的 IO, 那么在 VDD=0 或低电平时, 母线电压分压后的电平将超过 VDDA+0.3V 的限制,带来芯片损坏的可能。
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为了避免 TT IO 损坏,在系统上电,下电或工作的整个过程中, 必须始终满足 TT IO 端口电平 小于 VDDA+0.3V 的要求. 当 TT IO 的信号电平可能超过 VDDA+0.3V 时, 钳位保护电路是必须的。
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1 ?# r) ]- _% W+ G& s在上述母线电压检测的案例中, 如果这一检测管脚不得不使用 TT IO, 那么一个从信号到 VDDA (或同电位的其它电源)的钳位二极管将可以防止 VDD=0 等场景下信号电平超范围的可能。
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04小结6 Z! b; A  i$ r) D; t% G  X% @
在 IO 管脚的使用中, 电平限制和电流包括注入电流的限制必须同时得到满足。
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TT IO 由于内部结构的原因,更容易产生正的注入电流而给 IO 带来损坏。注入电流的限制给 IO 端口的信号电平带来了更严格的要求。
0 q' C- F: X7 Z& V+ k& b# R# ]
, B5 i4 M4 W% {6 r/ T$ A在使用中, 必须考虑信号电平的时序,确保在任何场景下 TT IO 的信号电平满足小于VDDA+0.3V 的要求, 必要时可以通过钳位电路来达到这一目的。
4 p- G; V* F. G9 X% K$ e, a8 i( y
. j5 w* N+ y6 k2 s- N8 K转载自: STM32单片机/ |5 Y1 \3 _7 D* T6 p: j1 s( {
如有侵权请联系删除0 d( V: X+ e3 y$ j( D
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