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基于使用 STM32 TT 类型 IO 的注意事项经验分享

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STMCU小助手 发布时间:2023-11-26 15:54
01概述7 Z' w5 S# v1 u7 P+ ?: E8 t  H
在 STM32 系列 MCU 中, 除了一些特殊管脚外,绝大多数管脚都可以分类为 FT (兼容5V 信号)或 TT(兼容 3V3 信号)类型的 IO,由于 MCU 内部设计的不同, TT IO 相比 5V IO 有更多的限制,下面我们将予以说明。" N: R' V. c1 `: s& \8 A( [6 }$ u

5 z# f$ n: I, Q( g( {" Z02 TT 和 FT IO 的结构和参数区别
/ E, Q1 \& n9 O1 Z/ G# T1 Z9 b下面我们解释 TT 和 FT IO 的不同内部结构以及因此导致的对输入电压和电流的不同限制要求。
. Q8 \! F' K0 b! H2 ?3 Z! H0 I. R; K# Y- w

5 }# B5 x$ q0 i' o/ b2.1. TT 和 FT IO 的结构区别
4 K  @  [9 F. G0 J下面的图 1 描述了 TT 和 FT IO 的通用结构:* {, T, I6 W0 P; c8 _4 p

5 {# C- \4 L9 Y1 E
) n! \2 p6 G) n; V
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8 `; k4 ~3 P; I6 e
图1.TT/FT IO 的内部结构

4 W  {3 D; |; ]1 ~2 o/ i) F+ e

3 F, _, a! n& [, G
TT 和 FT IO 的内部结构在 IO 端口的保护电路 (IO 到 VSS 二极管以及 ESD 保护单元),输出 BUFFER,数字控制单元以及模拟单元都是相同的。
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8 Y; n7 N/ ?7 G  @- b
区别在于, 对于 FT IO 来说,从 IO 输入到模拟单元之间存在一个模拟开关,只有在软件控制相关寄存器后这个开关才会闭合. 而对 TT IO 来说, 这一模拟开关是不存在的,IO 管脚与模拟单元直接相连。6 {2 c1 l2 e! ~4 O: Y( n

* I1 ~: h8 X3 m  a$ J) U2.2. 结构不同导致对电平和电流的不同要求
7 Q4 E! i4 @( N6 R9 n从图 1 结构图中可以看到, 在 IO 内部的模拟单元中存在一个输入信号到 VDDA 寄生二极管和相串联的电阻,该二极管是寄生的,因此其电流能力是无法保证的,不但不能用做模拟输入信号的钳位二极管,而且还要避免任何从输入信号到 VDDA 的注入电流的产生, 否则可能导致内部相关电路的损坏。
0 m0 `  R+ p. t9 D2 u- c. R8 i' X* ^0 ]5 G6 m( V5 g" v
因此对于 FT IO 的数字输入信号来说, 由于模拟开关被断开, 输入的信号即使高于VDDA 也不会导致模拟单元中寄生二极管电流的产生,在 VDD+4V 的范围内, IO 是安全的。
- _* x/ F$ n+ W8 w9 ^9 L6 ~% A7 D6 _- E
如果 FT IO 被配置为模拟输入,模拟开关闭合, 那么它就不再是兼容 5V 的 IO 了,输入信号的幅度必须小于 VDDA+0.3V。
% B3 O# M% \0 W: i
! B1 U6 U# c' C2 y+ f+ C) n对于 TT IO 来说,由于不存在到模拟单元的模拟开关,模拟单元的寄生二极管和 IO 口是直接相连的,因此,在任何时候都必须保证加到 TT IO 端口的信号电平小于VDDA+0.3V。
7 f6 q2 }; A, x: r
- d) f4 V. f5 |) w* g  j另外需要补充的是,如果 IO 输入信号可能存在负电平,尽管 TT 和 FT 类型的 IO 都在端口处设计有到 VSS 的二极管,这一二极管提供了一定的钳位保护能力,但是其通过电流能力限制在 5mA 以下。因此,外部钳位二极管通常仍然是必须的,如果不能通过外部钳位二极管将输出负电平信号限制在大于 -0.3V, 那么就需要串联限流电阻将流经二极管的负注入电流限制在 5mA 以下。
6 v( j7 w/ H( O
9 j7 v% U; y% |! A2.3. STM32 datasheet 中相关参数说明
0 `  |) J" m! z4 C  [# q在 STM32 的 datasheet 中对 IO 端口的电压和注入电流的要求有限制, 以STM32G474 为例, 在 Absolute maximum ratings 章节中, IO 对输入信号电压的要求如下:% L/ Q- G; f! H4 a! ?( W

0 Z9 |9 m1 m6 G3 N; j* V0 y
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5 X3 Z. I& _& [% P, d5 H
图2.IO 对输入信号电压的要求
7 k2 d8 V: c$ h9 e+ ?* Z6 R3 r0 F
7 d( L* ~! d' S
很多人注意到了电压要求,认为只要加在 FT IO 的信号电平不超过 VDD+4V, 加在TT IO 的电平不超过 4V 都是安全的, 但是忽视了 IO 对工作电流和注入电流也有要求, 电流方面的要求也必须得到满足, 具体如下:# l# m! n  f% y/ w4 |
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) N! N5 p( l3 M2 g7 M4 k9 D4 h
图3. IO 对电流方面的要求
1 u" _# r$ B0 o4 C( i

  ]1 B9 J" z, x# H/ w+ @可以看到, IO 对注入电流同样有着限制,在-5mA 到 0 之间,超出这一范围仍然可能造成 IO 的损坏。 % l5 Q$ O, d0 K

# k' H7 w8 p; D对于 STM32 的使用来说, 电平和电流方面的限制必须都得到满足。
; x- y3 S8 C- b) n! _) f# O# U
1 G& f' E# h  T/ u/ `03 TT IO 的注意事项
4 {6 B! f, B9 s
6 x. g6 [" {0 S$ E, g& a
使用者对加在 IO 的电平幅度限制一般都能遵守,但是对于 IO 电流特别是注入电流的严格限制往往被一些使用者忽视,然而实际上, IO 对注入电流的限制往往对加在 IO 管脚的信号电平提出了更高的要求。
( E# u" e; [. f! d6 [/ Q3 I" Q# e: N: ?1 R8 d
对于 FT 类型 IO 来说, 只要信号电压在使用的合理范围内,正的注入电流是不可能产生的。
% Y% M" v  k: b$ n+ z' ]0 O& d: U. G; G3 @
对于 TT 类型 IO 来说, 超过 VDDA+0.3V 的信号电压都有可能产生 大于 0mA 的正向注入电流,这个电流流过芯片内部参数没有保证的模拟单元寄生二极管,从而可能导致电路损伤。 " w! _% _3 p: O' W
" A- h" K* u* `3 B. p3 Z7 M7 e8 F4 C
因此对 TT IO 的电平 小于 VDDA+0.3V 的限制在任何场景下都必须满足。 4 ]( o. |9 \+ E, Y' a; p

  n) ?8 U0 a% E, v! N一个常被忽视的场景是系统上电时, 在 STM32 的供电系统还没有建立时, STM32 的IO 信号已经加在了 IO 管脚,例如某些电源或电机应用中对母线电压的检测,通常用分压电阻将母线电压分在 1V~2V 之间后连接到 STM32 的某一 ADC 采样输入 IO,通常这一分压电压到达 IO 比 VDD 建立更早。如果这一 IO 是 FT 类型的, 那么 IO 的信号电平始终能满足 小于 VDD+4V 的要求, 不管 VDD=0V 或 3V3。但是假如这一信号所接的是 TT 类型的 IO, 那么在 VDD=0 或低电平时, 母线电压分压后的电平将超过 VDDA+0.3V 的限制,带来芯片损坏的可能。
, ?# v! G  p! N; M' x% B. L8 t( V- L9 [- C
为了避免 TT IO 损坏,在系统上电,下电或工作的整个过程中, 必须始终满足 TT IO 端口电平 小于 VDDA+0.3V 的要求. 当 TT IO 的信号电平可能超过 VDDA+0.3V 时, 钳位保护电路是必须的。( J% E, H9 i! ^" |8 Y1 E  a

8 v, y5 D, h3 {+ k, h* o+ }( g$ c在上述母线电压检测的案例中, 如果这一检测管脚不得不使用 TT IO, 那么一个从信号到 VDDA (或同电位的其它电源)的钳位二极管将可以防止 VDD=0 等场景下信号电平超范围的可能。
# r+ N6 \5 X- S8 d- U+ V

1 _& U  {8 G) D  i. `! s- A0 ]04小结
$ ]2 a; J( U9 B& o在 IO 管脚的使用中, 电平限制和电流包括注入电流的限制必须同时得到满足。 . Z; S$ S1 N1 L0 r1 v; K: ]

9 s, \+ F! O4 xTT IO 由于内部结构的原因,更容易产生正的注入电流而给 IO 带来损坏。注入电流的限制给 IO 端口的信号电平带来了更严格的要求。
3 N- w  _! U% S( p. \. v1 D1 ], R6 @& f& U
在使用中, 必须考虑信号电平的时序,确保在任何场景下 TT IO 的信号电平满足小于VDDA+0.3V 的要求, 必要时可以通过钳位电路来达到这一目的。8 ^! U% D8 E9 H, l! g
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转载自: STM32单片机
' n4 M" \+ T6 y' H9 A6 t. q. n如有侵权请联系删除5 ?, O- [9 s6 J! j8 I
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