STM32H725内部FLASH读写问题
我在使用STM32H747IGT6的时候,遇到了一个问题;上电前并未短路,上电后电流跳跃至1.6A,且不断增大至1.9A,断开电源后芯片不短路,请问是什么原因?
为什么在CubeMX中无法分析模型?而在云服务器可以?
STM32H7的LSE起振问题
stm32H7 FLASH写入后数据异常 求教
关于STM32H7的系统架构中总线主设备与总线从设备连接的疑问
STM32H7掉电存储数据
STM32H743ZIT6的4K SRAM备份域数据,当VTAB引脚的电压低于2.8V就会丢失数据,2.8V以上是正常,请问是什么问题?
STM32H747I_eval_QSPI FLM工程疑问
STM32H7 TIM3-CH3/4 能不能用于编码器输入。
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[md]你这样做,本身的NCE信号是基于NAND的访问由硬件自动管理的。GPIO控制的NAND和FMC NCE控制的NAND如何区分呢?
我倒是想到1个想法,不知是否可行?基本硬件接法跟你说的一样,把FMC的硬件片选脚跟另外1根GPIO合起来接到一个多路复用器后做片选,确保每次只有1个NAND芯片被选择。
通常Nand Flash 容量都很大,所以同时用两块复用还真不多。
1、FMC驱动的外设片选信号是专用的,不难理解不能交叉使用。这涉及到时序、地址映射等。
2、我不认为这里能通过GPIO来扩展另外一片NANDflash。FMC对各种外围存储芯片的管理,从片选、时序、寻址都是硬件管理。换句话说,我不担心GPIO速率问题,担心地是基于GPIO再扩展基于FMC接口的存储芯片是否可行。 当然,方便的话,你可以验证下。
因为对所需的Nand Flash耐温性要求高,而容量达不到,所以 需要两块
[md]将数据总线IO0~IO7还有CLE 、ALE、WE、AE信号挂接在一起,把片选信号CE和R/B信号独立挂接,进行通信