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首先感谢STM32 FAE的支持,迅速有效,非常感谢!然后也非常感谢论坛里的大佬们的帮助回答! 我在这里就这两天调试STM32H750的bootloader和写片内flash的经历分享下自己遇到的问题与解决办法。一. bootloader地址设置和cache使能失能设置与成功跳转到app的关系( E+ R4 P5 B9 ~ 1. 首先说明下我bootloader和app部分的flash和SRAM的分配: 因为STM32H750的片内flash只有128K,地址是从0x0800 0000 ~ 0x0801 FFFF,我的bootloader大小有12k左右,所以我将bootloader存放到flash的前16k,即地址0x0800 0000 ~ 0x0800 5FFF,在SRAM里使用的起始地址0x2000 0000,大小0x20000;剩下的116K用于存放我的app程序,即地址0x0800 6000 ~ 0x0801 FFFF, 在SRAM里使用的起始地址0x2400 0000,大小0x80000。; x& ?! Y3 M F6 S2 m- b1 y 然后贴上我bootloader工程中Target的设置:
下面是app中Target的设置:* N& X, |! J! V- w2 |
/ o& o+ G; E* a; A% m g 2. cache的设置与地址跳转 从上面几张target中的设置可以看到我app部分的RAM是使用的是AXI SRAM,bootloader使用的是TCM SRAM, 而在bootloader中一开始我是使能的D-Cache和I-Cache的,我在写完bootloader后无法跳转到自己的app程序去,检查了自己程序里面地址设置与app中中断向量表也作了对应修改,还是无法跳转过去后,向FAE求助,他们给的办法是在bootloader中,地址跳转前将D-Cache失能,即使用HAL库下的函数:SCB_DisableDCache()。添加此函数后能够成功向app跳转。 A" w* p s% Z2 m& s) b0 G 所以之后有小伙伴涉及到相关问题希望这部分对你有帮助。2 a1 c& w/ x. z. I3 `/ z 7 ]; K! D |# H# c0 {2 {5 { 二. STM32H750片内flash操作6 n, ~3 B; N1 ` 其实H7与之前的芯片在片内flash上不同的地方就是,写操作必须要按32bytes对齐。意思是即便你只想往里面写一个字节或者不到32个字节,但是flash依然会操作32个字节,只是其中只有一个字节或者你写进去的那么多个字节有效,而其他的字节被mcu自己操作填充,而要这样做就必须操作flash的force-write功能,按照我的经验的话,就是在写之前加一句FLASH->CR1 &= ~FLASH_CR_FW,然后再执行写操作,之后添加一句FLASH->CR1 |= FLASH_CR_FW,即:' ^5 f+ P8 S$ S& A4 d Y FLASH->CR1 &= ~FLASH_CR_FW;( U! N' q. K% Q" R- z HAL_Flash_Program(); FLASH->CR1 |= FLASH_CR_FW 这样才能保证不会出错(仅我个人调试结果是这样)。 所以如果是有连续的数据(大于32bytes),可以先存32bytes然后执行一次写操作,不必去操作force-write功能;如果只是想单独写几个字节可以向我说的这样操作。 : }6 N* z. t) f 附加一点:因为我中间还有调试can通信,而HAL中CAN_TxHeader/CAN_RxHeader里面的DataLength是32bits的,而使用Classic CAN的话,发送和接收的真实数据帧长度最大只有8,会保存在DataLength的高16位,所以如果使用的是Classic CAN接收的话,获取帧长度的时候要将DataLength右移16bits,不然绝对出错。4 T" `. L; c3 k! R% U % j" u/ W! \- F6 l- N9 d ' ~0 [" c6 e: G$ b |
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刚才看了一下 RM0433.pdf ,确实只有1个Sector .... 如果是这样的话,每次IAP 擦除的时候就会把BootLoader 也一并擦除 ....