STM32H750启动代码与片内flash操作小经验分享

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思行一发布时间：2019-2-22 12:02

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首先感谢STM32 FAE的支持，迅速有效，非常感谢！然后也非常感谢论坛里的大佬们的帮助回答！

我在这里就这两天调试STM32H750的bootloader和写片内flash的经历分享下自己遇到的问题与解决办法。
一. bootloader地址设置和cache使能失能设置与成功跳转到app的关系

   1. 首先说明下我bootloader和app部分的flash和SRAM的分配：

   因为STM32H750的片内flash只有128K，地址是从0x0800 0000 ~ 0x0801 FFFF，我的bootloader大小有12k左右，所以我将bootloader存放到flash的前16k，即地址0x0800 0000 ~ 0x0800 5FFF，在SRAM里使用的起始地址0x2000 0000，大小0x20000；剩下的116K用于存放我的app程序，即地址0x0800 6000 ~ 0x0801 FFFF, 在SRAM里使用的起始地址0x2400 0000，大小0x80000。
   然后贴上我bootloader工程中Target的设置：

下面是app中Target的设置：

   2. cache的设置与地址跳转
   从上面几张target中的设置可以看到我app部分的RAM是使用的是AXI SRAM，bootloader使用的是TCM SRAM，而在bootloader中一开始我是使能的D-Cache和I-Cache的，我在写完bootloader后无法跳转到自己的app程序去，检查了自己程序里面地址设置与app中中断向量表也作了对应修改，还是无法跳转过去后，向FAE求助，他们给的办法是在bootloader中，地址跳转前将D-Cache失能，即使用HAL库下的函数:SCB_DisableDCache()。添加此函数后能够成功向app跳转。
   所以之后有小伙伴涉及到相关问题希望这部分对你有帮助。

二. STM32H750片内flash操作
   其实H7与之前的芯片在片内flash上不同的地方就是，写操作必须要按32bytes对齐。意思是即便你只想往里面写一个字节或者不到32个字节，但是flash依然会操作32个字节，只是其中只有一个字节或者你写进去的那么多个字节有效，而其他的字节被mcu自己操作填充，而要这样做就必须操作flash的force-write功能，按照我的经验的话，就是在写之前加一句FLASH->CR1 &= ~FLASH_CR_FW，然后再执行写操作，之后添加一句FLASH->CR1 |= FLASH_CR_FW，即：
FLASH->CR1 &= ~FLASH_CR_FW；
HAL_Flash_Program();
FLASH->CR1 |= FLASH_CR_FW
这样才能保证不会出错（仅我个人调试结果是这样）。
所以如果是有连续的数据（大于32bytes），可以先存32bytes然后执行一次写操作，不必去操作force-write功能；如果只是想单独写几个字节可以向我说的这样操作。

附加一点：因为我中间还有调试can通信，而HAL中CAN_TxHeader/CAN_RxHeader里面的DataLength是32bits的，而使用Classic CAN的话，发送和接收的真实数据帧长度最大只有8，会保存在DataLength的高16位，所以如果使用的是Classic CAN接收的话，获取帧长度的时候要将DataLength右移16bits，不然绝对出错。