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当io引脚接0v时,stm32h750 ADC获取值跳动特别大。接上待测电量直接就是满值,这个是什么原因导致?有什么办法可以解决?
stm32h743vit芯片在使能dma1时钟之后,sram_d2的内容会改成其他值
STM32H725RGV6 電源規劃
搜所了博客用stm32cubemx写一个简单adc获取值的例子 ,烧录到板子里导致芯片(STM32H750XBH6)锁死(怀疑配置的时钟频率和板子要求的不一样),不知道如何解除 芯片死锁。
STM32H747-DISCO烧录问题
stm32h745iit6通过stm32cubeprogrammer的usb进行iap时无法正确连接的问题
如何调整CubeMX的默认引脚
STM32H7RS-DK如何调试阶段在EXTRAM中烧写代码并进行调试。
STM32H7S78-DK ADC参考电压选择。
STM32H7A3LIH6Q PG12 PG13引脚无输出
FLASH的编程宽度或粒度,8位,16位,32位或64位,对编程电压需求是不一样的。
例程里选择的就是FLASH_VOLTAGE_RANGE_4,像页擦除,bank擦除都该选择这个。该系列的参考手册里关于这点感觉不是很清晰,别的系列比方F4关于这点讲得更清晰些。
还有,就是你擦除的内容是否会影响到中断的正常处理,即擦除后使得中断服务程序没法完整
执行,没完没了的进中断?
一般来讲,被擦除的应该是目前闲置的代码或区域。
再就是注意系统供电稳定。
首先,谢谢你的即时回复!
嗯,我明白您的意思,我用的是STM32H723ZGt6的芯片,这个芯片有两个Bank(Bank1、Bank2),一共有8个扇区(sector0、sector1、sector2、sector3、sector4、sector5、sector6、sector7),每一个Bank有4个扇区,每个扇区有128kB的容量,我擦除的是第一个Back的sector3,我的程序就一个估计也就2k,怎么说都不可能和运行程序干涉呀?
请问这是什么问题呢?
同志!!!我知道哪里有问题了!!!
整个关于flash擦除的操作总共就没几条指令,于是就一个个参数改,总会瞎猫碰到死耗子,试了十几二十次总算是知道问题在哪了。
这是我原本的参数设置:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
这是我改过后的:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4;
改成 EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4 就可以了。
至于FLASH_VOLTAGE_RANGE_3和FLASH_VOLTAGE_RANGE_4有什么区别,不知道,程序跑通就行