1、STM32G473RBT6 移植官方的双bank升级程序。我已使用最简单的外设CRC、UART、DMA来构建工程进行验证，通过串口DMA传输数据进行FLASH的擦除和编程操作。

2、目前发现在flash已擦除的情况下可以写入数据，但重新进行擦除操作却不行，尝试调试、串口输出状态发现其HAL库函数执行返回的结果没有错误错误信息，包括寄存器（SR、CR、OPTR等没有看出有什么问题）。程序正常执行如下所示（这里使用的擦除bank2，根据FB_MODE bit判断擦除另一个bank），它设置了MERx和STRT，但是没有任何变化。flash未擦除导致编程返回错误。

3、细节：根据参考手册描述的擦除bank步骤，没有看出有什么问题；读取的选项字节保护区域的起始>结束，排除是因为保护区域导致的，况且编程也能成功，DBANK=1；尝试过擦除bank1（FB_MODE = 0，程序在bank1运行），这导致程序被擦除而无法执行了，为什么偏偏bank2不行呢？使用芯片的flash为128K，bank的page为32；这个官方的例程程序我也曾在做其它G47x系列的OTA功能上成功实现过。

如果需要更多细节，可以继续讨论，拜托了！！！

其实是BANK2地址给错了，G4系列的地址都是0x08040000，误以为FLASH小，就改为0x08010000。其实根本就无法通过软件擦除，但是这块区域可以写数据进去。

BANK2 用的是ADDR_FLASH_PAGE_32 么？


如果是的话，改小一点，因为是从0 开始算起的。
看看是不是这个数值引起的。

没用过，以下你可以试试

STM32G473 的 FLASH 控制器在“双 Bank”模式下要求 先通过 FLASH_CR 的 BKER 位（bit11）选中目标 Bank，再置位 MERx/STRT 。 官方例程里对 BKER 的处理大多照搬 G0 系列（bit13），结果对 G4 来说“选 Bank”动作根本没生效，于是擦除 Bank2 时控制器实际仍然指向 Bank1，表现为：

• 寄存器值看起来“正常”（MER2=1、STRT=1），但 BSY 一瞬即退，Flash 内容纹丝不动；
• 再次写入时 PGSERR 置位，HAL 返回 HAL_FLASH_ERROR_OPERATION；
• 调试器/串口又抓不到任何异常，让人误以为“硬件锁死”。

这篇文章可以看看，参考下。

STM32G4 双BANK Flash模式页擦除话题