无源晶振开关电路设计
为什么DMA搬运数据只搬运最后1个字节的数?
如何将电机转速度控制在0.1RPM以下?我尝试过将SPEED_UNIT改为480,电机转速度可以控制在0.125RPM,但最转到250RPM时,编码器计数好像溢出了
STSPIN32G4内部驱动电压输出问题
使用Hal库的SPI读取磁边传感器导致STM32G4无法运行
定时器触发SPI
stm32G474RBT3的flash擦除寿命是多少?
stm32g474RE 输出4相波形,如何精准输出ADC触发的问题。
STM32G4 FLASH擦除不了,寻求各位大佬、官方的帮助
STSPIN32G4 STM32G431VBTx CAN FIFO发送数据帧随机变远程帧
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查阅例程STM32Cube_FW_G4_V1.6.0\Projects\NUCLEO-G491RE\Examples\FLASH\FLASH_FastProgram 发现,
擦除的
ADDR_FLASH_PAGE_0位于bank1,针对官方HAL函数HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError),变量EraseInitStruct.Banks的选择只有FLASH_BANK_1, FLASH_BANK_2 需要在定义了FLASH_OPTR_DBANK位 情况下才被编译,包括所有与bank2相关的擦除代码也是,官方HAL库是没有定义这个FLASH_OPTR_DBANK的,所以我才疑惑是否需要自己定义这个宏定义才能启用对bank2的操作
整体上支持的。只是你给的参数要正确。尤其页编号别给错了。
如果基于例程,你要适当调整相关函数写法。
下面文章可以参考,文章基于STM32G474RE来写的。
STM32G4 双BANK Flash模式页擦除话题
https://shequ.stmicroelectronics.cn/thread-645525-1-1.html 参考一下我写的这篇帖子