有没兄弟用过STM32G4芯片，flash支持双bank的那种，请问官方HAL库函数是不支持擦除bank2的吗，好奇怪

例程里有，可以参考一下

butterflyspring 发表于 2026-3-17 09:45
例程里有，可以参考一下

感谢回答！

查阅例程STM32Cube_FW_G4_V1.6.0\Projects\NUCLEO-G491RE\Examples\FLASH\FLASH_FastProgram 发现，

擦除的ADDR_FLASH_PAGE_0位于bank1，针对官方HAL函数HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError)，变量EraseInitStruct.Banks的选择只有FLASH_BANK_1， FLASH_BANK_2 需要在定义了

FLASH_OPTR_DBANK位 情况下才被编译，包括所有与bank2相关的擦除代码也是，官方HAL库是没有定义这个FLASH_OPTR_DBANK的，所以我才疑惑是否需要自己定义这个宏定义才能启用对bank2的操作

整体上支持的。只是你给的参数要正确。尤其页编号别给错了。

如果基于例程，你要适当调整相关函数写法。

下面文章可以参考，文章基于STM32G474RE来写的。

STM32G4 双BANK Flash模式页擦除话题