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[中文资料]AN4978_STM32L4外部SMPS设计推荐

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STMCU-管管 发布时间:2019-3-12 14:03
使用外部SMPS的STM32L4xxxx的设计建议,超低功耗高性能应用指南# W, A4 e6 b7 Z* d
2 Z: R0 ?% Z2 Q3 `; X+ Z
引言 + @; f" s% v) z" l; b  v

' k9 d! q' N1 u! X1 USTM32L4xxxx微控制器使用具有高度灵活性和高级外设集的新型架构,获得一流的超低功耗值。STM32L4和STM32L4+系列产品提供最佳能效,在超低功耗领域首屈一指。
. A1 C9 k- d: U
2 _5 ?2 d- L9 u1 [( D: Y3 `% F, LSTM32L4xxxx器件基于Arm® Cortex®-M4,具有FPU内核。
; ]6 M' Z- c4 K5 i
' V, F# |! k) t& X$ Z' R. `STM32L4系列微控制器的工作频率最高80 MHz,在频率为80 MHz时达到100 DMIPS的性能,而STM32L4+系列的工作频率最高120 MHz,在频率为120 MHz时达到150 DMIPS的性能。它们全部集成了Chrom_ART Accelerator™,同时还能保持尽可能小的动态功耗。 4 g( E8 A' k) b: i1 ^
1 s, y: F" I  l
STM32L4和STM32L4+系列采用灵活的功耗模式管理,可降低应用的整体功耗。 为了进一步使蓄电池使用寿命最大化,STM32L4xxxx超低功耗控制器具有外部SMPS(开关模式电源)版本通过从外部DC/DC(直流/直流)转换器而不是集成LDO生成VCORE逻辑供电来提高运行模式下的能效。这些器件(标有后缀“P”)使用不同的引脚排列,用两个必须连接到外部SMPS的VDD12供电引脚取代两个GPIO引脚。因此,可用GPIO的数量减少了2个。“运行”模式下的预期功耗增益可高至~60%。 $ c4 Z/ s  C* E6 M% k' t
& f- T# R" A  x* S2 E: r
本应用笔记仅适用于表 1中所列产品(详情请参见相应数据手册[3]的订货代码)。
$ K9 b# [7 ?# c+ x, \5 D0 f9 A% j* N( |
' ~/ M1 ?( r; @' P, ~7 M8 e
1.png
9 ?2 n$ q: [* }  c& J8 d" z
1 预期功率增益
# G$ R  \  I9 _5 i/ M$ t
通过使用外部开关模式电源(SMPS)而不是集成低压降调节器(LDO),可使用等于内部VCORE供电电压与VDD电压之比的因子来优化功耗。SMPS带来的改善只取决于SMPS效率和VDD电压。
7 f: W* C' K  W3 }6 V$ ?! Y
表2代表了在Nucleo -144 SMPS板[2]上使用STM32L496器件获得的典型增益,其中VDD12 =1.1 V且VDD = 3.3 V(在运行模式下)。
% h1 F& I& F: I5 m8 O  J
1.png
$ [% w5 R( U2 F& W& u, J! m
如上面的表格所示,使用SMPS可以显著降低微控制器的能耗,在该Nucleo板下增益可达63%。
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2 硬件说明

$ p: @  S& s6 b2 m
2.1 硬件概述
% t% h& b3 ]. f
STM32L4xxxx超低功耗微控制器内置两个线性调压器,用于为其数字部分供电。
) h- V; [% o4 M) ?; j$ E
关于STM32L4系列各种功耗状态的详细信息,请参见AN4621[5]。
' v, W) c( w3 t
当STM32L4xxxx处于运行、睡眠或停止0模式时,它使用其内部主调压器。STM32L4 SMPS封装允许将外部电源连接到VDD12引脚。这种情况下,如果连接到VDD12引脚的外部电源超过内部生成的电压(VDD12I)50 mV或更多,主调压器(MR)会被自动禁用,并由外部源提供数字电流。
1.png

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...............
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想了解更多,请下载原文阅读

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