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【中文文档】AN4080_STM32F0硬件开发入门

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STMCU-管管 发布时间:2019-3-25 15:22
STM32F0硬件开发入门
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( T: z( [0 F, B- J/ e简介
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9 Y2 A  p$ u3 ^$ t, H本应用笔记适用于系统设计人员,他们需要大体了解开发板功能(如电源、时钟管理、复位控制、自举模式设置和调试管理)的硬件实现。本应用笔记介绍了 STM32F0xxx 产品系列的使用方法,并对开发 STM32F0xxx 应用所需的最低硬件资源做了说明。 ; \( ?3 X3 W6 T6 o
# v* `' k7 B7 b" _. l3 d
STM32F0xxx 系列包含一个子系列 STM32F06xxx,可将后者与主器件 (STM32F05xxx) 区分开来。该子系列绕过了内部调压器,适用于具有板载调压器的应用。 # h3 P* |5 D" c

0 C  F+ u3 S) }& }0 @本文档中还包含详细的参考设计电路图,并对主要元件、接口和模式进行了说明。
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1 STM32F05xxx 系列的电源
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1.1 电源方案
5 e2 [5 ~+ {( e9 f+ v6 G
% J7 X/ e+ Z+ [电源方案有以下几种: : B% f% `1 h) `# t& j, i$ l2 t9 L# G
● VDD = 2.0 V 到 3.6 V:I/O 和内部调压器的外部电源。通过 VDD 引脚从外部提供。 5 L8 a6 u4 c6 i! t  `0 q
● VDDA = 2.0 V 到 3.6 V:ADC/DAC、复位模块、HSI、HSI14、LSI 和 PLL 的外部模拟电源(使用 ADC 或 DAC 时,施加到 VDDA 的最小电压为 2.4 V)。VDDA 的电压必须先上电,而且必须始终大于或等于 VDD 的电压。 , x9 T/ }4 r6 m' r
● VBAT = 1.65 V 到 3.6 V:当 VDD 不存在时,作为 RTC、LSE 32 kHz 振荡器和备份寄存器的电源(通过电源开关供电)。
3 H+ |+ V" e: A9 d; }2 E+ z

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4 K& O( ^; e! C. s9 V& D
1.1.1 模拟转换器独立电源
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为了提高转换精度并增加电源灵活性,模拟域配有独立电源,可以单独滤波并屏蔽 PCB 上的噪声。
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● ADC 和 DAC 电源电压从单独的 VDDA 引脚输入。
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● VSSA 引脚提供了独立的电源接地连接。
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VDDA 电源电压可等于或大于 VDD。这使得 VDD 即使保持较低值时,仍可发挥模拟模块的全部性能。
8 o0 l% ?1 c3 A' w( U
如果使用单一电源,VDDA 必须从外部连接到 VDD。建议使用外部滤波电路,以确保 VDDA没有噪声。
, @. V5 q; G( D- }1 Q: ^+ y$ K
如果 VDDA 与 VDD 不同,则 VDDA 必须始终大于或等于 VDD。为了在上电/掉电期间将 VDDA和 VDD 之间可能的差值稳定在安全范围内,可以在 VDD 和 VDDA 之间使用一个外部肖特基二极管。有关允许的最大差异值,请参见数据手册。

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1.1.2 电池备份

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要在 VDD 关闭后保留备份寄存器的内容,可以将 VBAT 引脚连接到可选备用电压,由电池或其他电源供电。

7 n# F0 a1 m& u" `
VBAT 引脚也为 RTC 单元供电,使得即使在主数字电源 (VDD) 关闭时 RTC 仍可工作。
3 ^5 o$ X3 h' {* Z, L8 M- R
VBAT 电源的开关由复位模块中内置的掉电复位 (PDR) 电路进行控制。如果应用中未使用任何外接电池,建议将 VBAT 从外部连接到 VDD。

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1.1.3 调压器
5 g0 f* T1 g% S1 p+ x
调压器在复位后始终处于使能状态。

6 E3 N5 E0 z+ q+ i0 y
根据应用模式的不同,可采用如下三种不同的模式工作:
4 @8 |  ?; r: `: w3 ]/ W
● 运行模式:调压器为 1.8 V 域(内核、存储器和数字外设)提供全功率
% q8 n7 e( W4 g8 Z, a+ }
● 停机模式:调压器为 1.8 V 域提供低功率,保留寄存器和 SRAM 中的内容
8 S, r0 S' |' }1 V* y. f
● 待机模式:调压器关闭。除待机电路和备份域外,寄存器和 SRAM 的内容都将丢失。这其中包含以下功能,可通过对单独的控制位进行编程来选择这些功能:

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— 独立看门狗 (IWDG):IWDG 通过写入其密钥寄存器或使用硬件选项来启动。而且一旦启动便无法停止,除非复位。
9 R+ u2 B' i/ F; W9 J/ F
— 实时时钟 (RTC):通过备份域控制寄存器 (RCC_BDCR) 中的 RTCEN 位进行配置。
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— 内部低速振荡器 (LSI):通过控制/状态寄存器 (RCC_BDCR) 中的 LSION 位进行配置。

( E+ u( _" t3 N2 f* w3 i" Z
— 32.768 kHz 外部振荡器 (LSE):通过备份域控制寄存器 (RCC_BDCR) 中的 LSEON位进行配置。

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..............
3 d( Y6 L# g9 h4 A; j% C
想了解更多,请下载原文阅读
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