3.1 初学者重要提示 学习一款新的芯片,优先掌握系统框架是比较重要的,建议逐渐养成这种学习习惯,然后各个击破即可。) ^( Z/ V% |- _ 本章节提供了多张STM32H7的框图,这些框图都非常具有代表性。很多时候记忆知识点比较费脑子,记录这些框图是一种非常好的方式。2 l' o; d# p4 N8 [ 对于本章节提供的部分知识点,无法理解透彻,暂时没有关系。随着后面的深入学习,基本都可以掌握。5 E; w! K7 S1 x- [1 e8 h, Z, b 重要的MPU和Cache知识分别放在了第23章和第24章。% C& g- ~$ n( e; b4 w 3.2 STM32H7硬件框图 学习一款新的芯片,需要优先了解一下它的整体功能设计。需要的资料主要是来自官网和数据手册,比如我们V7开发板使用的STM32H743XIH6,直接在官方地址:链接(这是超链接)就可以看到对此芯片所做的介绍,页面中有一个如下的框图,对于了解STM32H7整体设计非常方便。 ) v/ [0 I2 t. b& S, D0 {7 I9 t 再稍微详细点,就需要大家读页面上的”Key Features”,就是下图所示的内容: 或者直接看数据手册开头的章节即可,也进行了介绍,内容基本都是差不多的,如下图所示(部分截图): 9 S; }' u6 O5 x! _7 u" M! t 通过框图和Key Features,大家可以方便地了解STM32H7的FLASH、RAM大小以及各种自带外设的信息。9 I* ^( R/ o: a . w( b4 w& T* S 3.3 STM32H7各个型号的区别 涉及到芯片选型的时候,需要大家了解各个型号的区别。对此ST有一个专门的文件STM32H7x3 MCUs High-performance line,在链接(这是一个超链接)里面可以找到。此文件里面有简单的对比,只是内容比较简单,仅两页,不过也言简意赅。最主要的是下面的这个截图:2 ?0 |) x3 M, }6 D$ q 通过这个截图可以方便地了解不同型号的引脚数、封装、FLASH大小、RAM大小以及是否带HW CRYPTO硬件加密的区别。 需要了解更详细的对比信息,可以看数据手册。任意下载一个型号的数据手册,在数据手册的的Table 2里面有详细的对比,如下图所示(部分截图): 使用ST提供的软件STMCUFinder或者STM32CubeMX也可以做对比,只是没有上面的表格这么方便,可以一目了然。 5 M- w$ `% U! T, H, V 3.4 STM32H7总线框图和时钟4 q7 a) S; f2 Y& E* b8 G% A STM32H7的数据手册里面提供了一张非常棒的框图,大家可以方便地查看每个总线的时钟速度和这个总线所挂的外设。这个在大家配置外设时钟分频的时候还是非常有用的,因为外设的时钟分频就是建立在所挂的总线速度(大家直接在数据手册里面检索Figure 1就可以找到)。 5 n ~ q7 Y! c- E6 Y7 w! Y% j+ C 比如我们想得到不同定时器的主频,通过上面的框图,可以方便地获得如下信息:/ p4 T/ b1 h$ I: ^7 \; Y# k SYSCLK(Hz) = 400000000 (CPU Clock)+ U: ?, B! p$ t4 H5 U _$ d HCLK(Hz) = 200000000 (AXI and AHBs Clock) AHB Prescaler = 2 D1 APB3 Prescaler = 2 (APB3 Clock 100MHz) ~, p+ E% U) b5 w& R8 j D2 APB1 Prescaler = 2 (APB1 Clock 100MHz)) O) l5 s* P6 A7 @! _- i' ` ^ 3 Y" F! t/ m, j1 Z' M, x D2 APB2 Prescaler = 2 (APB2 Clock 100MHz)$ a/ i" O7 P2 G + b& H# F$ R) h9 F# T. f D3 APB4 Prescaler = 2 (APB4 Clock 100MHz)$ _" ?3 P1 \5 W( Q3 R5 N . P3 t* Y' i+ G# ~3 N ' I& J1 t0 B" {1 ^/ P; @& S 因为APB1 prescaler != 1, 所以 APB1上的TIMxCLK = APB1 x 2 = 200MHz;7 P2 f+ x4 t' \* T 因为APB2 prescaler != 1, 所以 APB2上的TIMxCLK = APB2 x 2 = 200MHz; ! V4 S2 j7 S: @! q/ T$ A& C5 X APB4上面的TIMxCLK没有分频,所以就是100MHz; * r5 Q5 z" b; ? / h! ^6 d% l7 r8 b2 Z1 b APB1 定时器有 TIM2, TIM3 ,TIM4, TIM5, TIM6, TIM7, TIM12, TIM13, TIM14,LPTIM15 y# s, y0 I: O1 O# @ APB2 定时器有 TIM1, TIM8 , TIM15, TIM16,TIM17% G- U9 I/ o$ M, a: f APB4 定时器有 LPTIM2,LPTIM3,LPTIM4,LPTIM5 ~0 P1 b0 Q" V/ [' @1 T 3.5 STM32H7的AXI线. d% _+ ~: K3 A9 B A**线在STM32H7中有着举足轻重的作用。高并发性全靠这个总线了,先来看下A**线的框架:8 d1 ~6 l; z( N& o 3.5.1 总线系统框架 下面这个截图比较有代表性,可以帮助大家理解STM32H7总线系统。4 V; H# t. A# f6 C 这个图可以方便识别总线所外挂的外设,共分为三个域:D1 Domain,D2 Domain和D3 Domain。. n' R/ s) R/ W+ U $ H2 v' k- X$ `* @2 @4 ^. {/ y! r D1 Domain. m1 Q$ d$ Y! E" y% H 4 ]) W% W5 f4 j* k4 M$ i% M% J D1域中的各个外设是挂在64位A**线组成6*7的矩阵上。4 l |5 `9 L J0 [3 y; B- A , {1 t4 [( |. p- j3 u 6个从接口端ASIB1到ASIB6. L: ], y2 d2 ^% L' X& `: V! O 外接的主控是LTDC,DMA2D,MDMA,SDMMC1,AXIM和D2-to-D1 AHB 总线。 7个主接口端AMIB1到AMIB7" n6 V6 V; f7 L, t 外接的从设备是AHB3总线,Flash A,Flash B,FMC总线,QSPI和AXI SRAM。另外AHB3也是由A**线分支出来的,然后再由AHB3分支出APB3总线。6 e# L' J: [+ t% w) c Z) I6 {4 K$ C + R0 F* F! ^) a# U D2 Domain( [8 P3 j% ?2 c6 F# ` D2域的各个外设是挂在32位AHB总线组成10*9的矩阵上。: m* r' J N" L) i- l: W4 v$ l% ^8 L 5 E4 h% H" o% r0 g 10个从接口: d1 A% F( ~& b+ R; J 外接的主控是D1-to-D2 AHB 总线,AHBP总线,DMA1,DMA2,Ethernet MAC,SDMMC2,USB HS1和USB HS2。 " y# E1 x8 ^4 a: o/ i 9个主接口 外接的从设备是SRAM1,SRMA2,SRAM3,AHB1,AHB2,APB2,APB3,D2-to-D1 AHB总线和D2-to-D3 AHB总线。9 H: `, Y: M0 ]) j D3 Domain 0 \ \4 S7 V: N) Z( B$ c. E) T5 ~ D3域的各个外设是挂在32位AHB总线组成3*2的矩阵上。1 _# c+ E: n' _5 B. D) r 3个从接口 外接的主控D1-to-D3 AHB总线,D2-to-D3 AHB总线和BDMA。 % h; ^# o# ?4 k, ]( b( _* l 2个主接口0 U( A# I& ?4 Z 外接的从设备是AHB4,SRAM4和Bckp SRAM。另外AHB4也是这个总线矩阵分支出来的,然后再由AHB4分支出APB4总线。 2 x% V; I# I! s, v 这三个域之间也是有互联的,可以是: D1域到D2域的D1-to-D2 AHB bus: P& l6 b$ a6 W& |8 v 允许D1域中的主接口外设访问D2域里面的从接口外设。比如D1域里面的DMA2D访问D2域里面的SRAM1。 D2域到D1域的D2-to-D1 AHB bus 允许D2域中的主接口外设访问D1域里面的从接口外设。比如D2域里面的DMA2访问D1域里面的AXI SRAM。1 T" B- e7 X; M+ ?& d D1域到D3域的D1-to-D3 AHB bus 允许D1域中的主接口外设访问D3域里面的从接口外设。比如D1域里面的DMA2D访问D3域里面的SRAM4。 * ]* e$ s9 @3 Y, F' ~& ~8 H/ h* _ D2域到D3域的D2-to-D3 AHB bus。6 B3 i! Q* [9 v 允许D1域中的主接口外设访问D2域里面的从接口外设。比如D2域里面的DMA2访问D3域里面的SRAM4。 ) Z; t% T7 G7 z/ F9 o 有了这些知识后,下面我们重点了解A**线矩阵。7 i4 k* j5 z$ [ ) i* y" A: t0 |: O3 _. W 3.5.2 AXI线特色: @; o1 v, i1 J z) l, W' Q AXI支持高频率、高性能的系统设计:0 q3 A- y- T T 支持高带宽,低延迟设计。 提供高频操作,无需复杂的总线桥。 满足各种组件的接口需求。$ f& F- d6 n! G# K) f& Q+ a 适用于具有高初始访问延迟的内存控制器。$ a# I' @9 V( t+ _9 B" Z 为互连架构的实现提供了灵活性。# g1 A" F; N- j$ G 与现有的AHB和APB接口向后兼容。* u/ F: O3 k8 k- q 2 B5 m* c! Y* K" r S# z1 S; T J; v: _* ~# p/ w AXI线的关键特性: 独立的地址、控制和数据线。 支持非字节对齐方式传输。& X+ V2 N5 ~1 j% V 基于起始地址的突发传输。5 f: o/ H( r' g' j; y$ V0 c3 y9 g! j 分开的读和写数据通道,且提供DMA传输。 支持发起多个地址。, t2 i9 j7 b: i3 l. ?) I 支持无序传输。! o- Z( A. `8 z# x4 m 允许添加寄存器,以提供时序收敛。 & s s( M% R2 b: l" [0 _: H* D AXI线 / A! c$ |. |6 L; k 3.5.3 AXI线简介" r `: _' q+ X2 `7 V/ _$ Q1 }# W 通过下面的框图,我们再进一步的认识一下A**线。; _1 Z, y6 n6 t7 U) f " {* @! T" T6 D7 B+ a' ^1 A $ D) S r U( {. k. C5 T 通过上面的截图,我们可以看到,A**线有6个从接口ASIBs(AMBA slave interface blocks)和7个主控接口AMIBs(AMBA master interface blocks)。+ {* i: D! ~/ m9 Z( y & a- ]& V$ t! z 针对从接口ASIBs,描述如下:& z5 z- Z3 x+ X; H! q ' m- a+ H; C, S d3 f: g! I 重点注意最后一列,STM32H7参考手册里面原始的描述是R/W issuing,这里将其翻译为读/写发起能力。比如输入通道IN5连接的主控DMA2D,支持的读发起能力是2,写发起能力是1。读发起能力是2该如何理解呢?这里的含义是存在两路读信号同时进行(因为AXI接口有一个FIFO的功能,可供同时进行,更深入的认识有待研究),反映到DMA2D的实际应用中,就是DMA2D同时读取前景色和背景色的缓存区做Alpha融合之类的操作。写操作同理,DMA2D的写发起能力仅支持一路。8 n, F0 Z) k% `/ f 针对主控接口AMIBs,描述如下:5 W2 c+ Z% X# G x# a3 ~ 跟上面表格的含义是一样的,同样重点注意最后一列,这里多了一个总接收能力(Total acceptance),也就是读发起能力和写发起能力同时执行的情况。; A& i. }: v. N- L 3.5.4 AXI线优先级编程5 i C! V- c+ }9 Z& O" s 由于存在多个ASIB从接口访问AMIB主控的问题,这就涉及到谁先谁后等问题。所以A**线矩阵就做了一个基于优先级的仲裁方案。每个ASIB接口支持读通道和写通道分别设置,优先级从0到15。数值越大,优先级越高,默认情况都是优先级0。如果有两个传输同时到达AMIB主控接口,那么优先级高的ASIB接口传输优先处理;如果优先级相同的话,根据LUR方案选择(least recently-used最近最少使用情况)。 $ v V7 N# o* Y; x 大家在实际应用中,可以根据实际情况进行设置,一般情况下使用默认值即可。 ' v+ T' P/ M, Y( i+ ?) w 3.6 STM32H7的总线互联 {& |+ P$ _3 b D R STM32H7的总线矩阵四通八达,但不是任意Bus Master总线主控端和Bus Slave设备端都可以相互通信的:5 U+ P( F) T( f6 t8 Q9 L 黑色加粗字体是64位总线(ITCM,DTCM,Flash A,Flash,AXI SRAM,FMC等),普通字体是32位总线。5 I0 d4 R' ^" J# x- d/ m 9 d9 \. j+ w% N _" K. l; x2 d 访问通路(每个小方块里面的字符)% j' `( i A3 J8 K( \" v' |, Z; D 任何有数字的表示有访问通路。 & J) Z7 o% M5 E: Y( U* _ 短横杠“-”表示不可访问。 : Z$ l9 y: V: f: @- u 有灰色阴影的表示有实用价值的访问通路。. L( A4 s/ n: t6 c8 ~, V% r : M. t- W. ?) f) z) t ~ 表格中具体数值所代表的含义7 @- T: Z9 E, M2 z) \/ f, q 5 Z/ V2 p2 Z7 Q( g, u1 m( v/ o D=direct ( D6 M# u2 Q4 ]- M5 w! M 1=via AXI bus matrix5 F+ s- f3 G0 B: B8 ?- C 2=via AHB bus matrix in D2 - [" k1 R2 M& _# G* X g 3=via AHB bus matrix in D30 T$ ]+ ?4 H0 G* j- f) i 4=via AHB/APB bridge in D1 5=via AHB/APB bridge in D2 6=via AHB/APB bridge in D3 7=via AHBS bus of Cortex-M7 1 F1 L8 f( X8 k3 G2 [ 多个数值组合 = 互连路径以数字的顺序经过多个矩阵或/和桥。' T3 E- n5 o$ A 总线访问类型 普通字体表示32位总线。- H$ e) x9 h5 p 9 @! {4 N7 B6 x; ^9 e5 d 斜体表示32位总线主机端/ 64位总线从机端。 / n. m+ ]9 D8 J7 z3 C 粗体表示64位总线。; z3 w: ~( h, d " i0 u# f, n& g; U, D 当前要对这个图有个了解,后面章节讲解各个外设的时候要用到,比如DTCM和ITCM不支持DMA1,DMA2和BDMA,仅支持MDMA。" {% q- W' a+ M! E 6 ^& W3 o0 {+ J 3.7 STM32H7的FLASH `- Q, l8 \9 e" V 首次学习STM32H7,要掌握以下几点认识即可: 1、双BANK,每个BANK的带宽都是64bits,如下图所示: + j! G6 O8 b! G" R y6 F4 |$ v 2、H7中Flash的延迟和主频关系。 H7中已经没有F1和F4系列中的ART Chrome加速,通过H7中的Cache加速即可。具体延迟数值和主频关系如下:# R6 T7 q/ r. M9 [/ a& u $ M2 j9 x; D+ k 对于上面的表格,大家可以看到,当延迟等待设置为0的时候,即无等待,单周期访问,速度可以做到70MHz。增加1个Flash周期后,访问速度可以做到140MHz。当增加到3个或4个Flash周期后,最高速度可以做到225MHz。 3、Flash编程操作(写)最好以256bits为单位进行,应用中也可以小于256bits,但是容易造成ECC校验出问题,所以不推荐。Flash读操作支持64bits,32bits,16bits和8bits。 4、Flash支持ECC校验,每256bits配10bit的ECC位,可以检测到1个bit并纠正或者检测2个bit。随着芯片的制造工艺水平越高,带电粒子能产生的位翻转就越多,此时的ECC是必须要有的,一般可以纠正1-2个bit。安全等级高的Flash类存储器和RAM类都是必须要带ECC的。$ {8 i# G4 U% J* T . }# f% F3 m8 o6 N. L8 m, O3 d $ t2 c- S; p, c 3.8 STM32H7的RAM }: ?9 A. J% \% {: ^- J (注,学习本小节,优先回顾本章节3.5.1小节的框图,另外H7的RAM区也是支持硬件ECC的)1 ?1 ?4 {- W$ k& a) h$ \ STM32H7的RAM区分为好几个部分,下面分别进行说明:+ J7 ?2 T- H& z TCM区 TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM用于运行指令,也就是程序代码,DTCM用于数据存取,特点是跟内核速度一样,而片上RAM的速度基本都达不到这个速度,所以有降频处理。 ' a g& A) N7 }) [. ?2 D8 A 速度:400MHz。 DTCM地址:0x2000 0000,大小128KB。 ITCM地址:0x0000 0000,大小64KB。 AXI SRAM区 位于D1域,数据带宽是64bit,挂在A**线上。除了D3域中的BDMB主控不能访问,其它都可以访问此RAM区。 % {; c# W+ j' q, I" [1 g. w 速度:200MHz。 地址:0x2400 0000,大小512KB。. P3 C6 d C! }# R8 f( y' Y% M 3 l: P9 y7 d+ P9 u 用途:用途不限,可以用于用户应用数据存储或者LCD显存。 $ E# x/ r# U4 M5 u1 Q SRAM1,SRAM2和SRAM3区 ' \! {& ?8 n) ^ 位于D2域,数据带宽是32bit,挂在AHB总线上。除了D3域中的BDMB主控不能访问这三块SRAM,其它都可以访问这几个RAM区。 / _% h6 O9 |" K! H Y/ [: d0 b 速度:200MHz。, X) H: v$ R) H1 c. P" ? V - n7 T& N1 P% ` SRAM1:地址0x3000 0000,大小128KB,用途不限,可用于D2域中的DMA缓冲,也可以当D1域断电后用于运行程序代码。4 V* d8 a3 n6 |* a1 Z( e6 } # y# t3 X% d2 |1 c; }3 a/ G/ n SRAM2:地址0x3002 0000,大小128KB,用途不限,可用于D2域中的DMA缓冲,也可以用于用户数据存取。" |$ C1 F( b! T/ g6 Y- z- `0 f/ j0 t ! j; y) o' T1 [2 K7 {' @( n SRAM3:地址0x3004 0000,大小32KB,用途不限,主要用于以太网和USB的缓冲。- d" T) p$ Y2 o2 X4 Q SRAM4区 位于D3域,数据带宽是32bit,挂在AHB总线上,大部分主控都能访这块SRAM区。0 |( M7 X; q5 \' { 5 q/ b: y; P1 {; @/ n2 Y) F9 U1 O 速度:200MHz。4 K# c4 |" _5 \ O * C! m2 U; l0 u6 f/ U$ Z% k/ \# K' T$ [$ I 地址:0x3800 0000,大小64KB。 用途:用途不限,可以用于D3域中的DMA缓冲,也可以当D1和D2域进入DStandby待机方式后,继续保存用户数据。 ' N9 p T& @" A7 n H8 q0 ^5 R* A Backup SRAM区 备份RAM区,位于D3域,数据带宽是32bit,挂在AHB总线上,大部分主控都能访问这块SRAM区。% P" \5 N/ B/ Z C+ n ( s! z! ?0 H6 y* Z" H 速度:200MHz。0 T8 r2 D, V9 y- D / d2 X4 r0 |' I' S' n H 地址:0x3880 0000,大小4KB。 用途:用途不限,主要用于系统进入低功耗模式后,继续保存数据(Vbat引脚外接电池)。 u2 H; F( l- N! E ' m2 t# k! W8 N' p 3.9 总结 本章节就为大家讲解这么多,让大家对STM32H7有个整体的认识,后面章节将逐个进行学习。) H- x" d6 t' y : b0 Q8 H2 y0 l' F% d7 q/ S / ]' W( C* q$ O8 v7 r |
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