问题：
某客户工程师在某型号新产品的设计中，使用了 STM32 器件，型号为：STM32F101xxT6。在其设计中，STM32 有两路供电，其中一路的电压为 3.3V，为 VDD 及 VDDA 供电，而另外一路的电压为 3.0V，为VBAT 供电。两路供电都是由同一个蓄电池的输出电压，分别经过各自的电压转换电路处理而得到的。
& ~; u' v( K6 _9 O其中，3.3V 供电由电源开关控制，而 3.0V 供电则为常通，其电路如图一所示：
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据其工程师反映，电路的 VBAT 节点处的电压在第一次接通蓄电池时并不是 3.0V，而是 700mV 左右。而打开电源开关，提供另一路 3.3V 供电后，该节点的电压跳变到 3.0V。而后，无论有无 3.3V 供电，该节点的电压都能维持在 3.0V 如图二所示。这一现象对产品的各项功能没有影响，但其工程师想了解其中缘由，杜绝隐患。



4 ^; q+ m- q. U) V7 O5 k调研：
( R2 r4 ?# Y) A4 Y- R对图一所示电路的开路电压、短路电流、输出电阻及输出端 RC 常数进行计算：



于是，图一的电路可以用图三的电路来等效：
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: y  P. t/ e8 z/ U* }6 J( J
% Y/ {8 y/ e- z, i& a  N结论：
由图三可见，该电路存在两点问题：
1. 过大的输出电阻（543K），使得该电路没有足够的驱动能力带动负载
2. 过大的输出电容（56uF），使得该电路的输出电压上升缓慢（30.4S），不利于 MCU 产生上电复位，同时，也会造成在 VDD 上电时从 VBAT 送出的冲击电流过大
6 u) L+ S5 D( P4 _2 g8 M( H8 k* Y
" L9 r: X; i+ U7 E& x7 a! N9 f/ e   由于以上两点原因，VBAT 没有成功的完成上电过程，而 STM32 的后备域电路也没有被复位，而是停留在某种紊乱的状态。在这种状态下，VBAT 的输入电流较大，使得 VBAT 节点处的电压无法继续升高。当 VDD 上电时，VDD 会通过芯片内部电路，从 VBAT 引脚送出一个瞬间的冲击电流，这一电流帮助VBAT 节点的电压迅速升高，从而完成 VBAT 的上电过程。于是，芯片的后备域电路被复位，VBAT 的输入电流下降到了正常的工作电流。从而，既便 VDD 被关掉，VBAT 也能维持在正常的工作电压，保证后备域电路能够正常工作。这一过程正是前面所描述的现象。
9 B2 t# \: h# S: R2 y# C6 C   
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  `7 K* V& N& M, ], L8 q9 ~处理：
1. 调整分压电阻的参数，使输出电阻降为 100K
( o4 e" S7 q5 {1 C2. 将 56uF 电容换成 0.1uF 电容

建议：
0 n2 x$ s; _! O: j/ q: ?% b   虽然在 STM32 的数据手册中给出了 VBAT 的工作电流的参数，即：小于 1uA，但是其中并未给出在后备域电路被复位之前，VBAT 的输入电流是多少。根据经验，这时需要电源提供的 20uA 以上的电流，才能保障后备域电路上电复位过程顺利的完成。另外，在 STM32 的参考手册中，讲述了在 VDD 上电的时候，会有瞬时的冲击电流从 VBAT 管脚送出，但没有明确的说明该电流有多大。因此，在设计 VBAT的供电电路时，有关该电路的输出电阻的设计，要从两方面考虑：
" [4 @: B6 j' y   1． 不能太大。如果太大，则不能满足在 VBAT 上电的过程中，VBAT 的输入电流对电源的带负载能力的要求
   2． 不能太小。如果太小，则不能有效的限制 VDD 上电时从 VBAT 管脚送出的冲击电流，从而损伤芯片或后备电池
   一般来说，该参数可选在 50K - 100K 之间。同样，考虑到会有冲击电流从 VBAT 管脚送出，因而输出电容的参数也不宜过大。STM32 的数据手册中给出的推荐值是 0.1uF。