前言
0 O: C8 {  T3 l6 k! k9 @8 Y问题由客户提出，用户发现在 STM32F103 器件上。用户在产品中使能了 IWDG，在使用过程中发现当MCU 被复位后，有时程序跑不下去；跟踪代码发现程序死在轮询 PLL_RDY 处。用户反馈说用的就是ST 库中的范例代码，怀疑 STM32F103 有设计问题
调研
1 k! L& T7 b. ]排查硬件供电无问题，用示波器测量 NRST 发现复位信号正常，用 STM32CubeMX 生成最小系统代码（时钟配置+IWDG）反复验证，未发现此问题，开始怀疑用户代码。
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客户声称开发是基于 ST 提供的 SPL 库中自带的 demo，使用 SPL 中的范例代码加上 IWDG 复位，确实可以复现此问题：通过调试器跟踪代码发现问题发生时 HSE_RDY 位被异常置位（用户平台无外挂高速时钟源）

$ `! x& r" s+ h# |通过分析代码，发现 SPL 库在设置时钟时会直接使能 HSE，在复位若干次后 HSE_RDY 位会被置位，从而导致程序（HSEStatus）按照 HSE 来进行接下来的时钟配置。而 SPL 中的 demo 是跑在STM32F1 评估板上，而评估板自带高速时钟源，故没有此问题。
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# c% w) ~4 A/ n' v( C! u

: A' z, E7 O( v结论
2 ]$ F+ u$ |+ l- R4 {在 MCU 复位后 HSE_ON 默认是无效，反复对其进行使能操作会导致 MCU 内部的噪声积累，造成时钟检测电路误判，并由寄存器反映出来。
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- o+ @6 ~2 p. V3 O7 Y; d- 对 STM32F103 来说，一旦 HSE_RDY 被置位，只要不断电，无论如何复位 HSE_RDY 都不会
$ ~" C0 }" s! s5 U  被清除（即使失能 HSE_ON）
- 对 STM32F030 单片机进行类似操作，也会发现同样问题，不同之处在于在 HSE_RDY 被置位
  后复位 MCU，HSE_RDY 位会被清除，但是一旦 HSE_ON 被置位，HSE_RDY 同样会被置位
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) y" B# v( h% M  |4 H8 z- ?/ W处理
由于用户并不需要对是否有外接高速晶振进行判断，修改用户代码不要使能 HSE，反复测试后问题不复现

建议
$ R- m: V' F& R1 要了解 HSE_RDY 位是用来检测是否有外部时钟存在的必要条件，而非充分条件
2 在使用 STM32 时，一定要按照硬件设计对软件做出修改，切勿图省事而造成问题