前言
9 ~7 ^6 x( B4 o6 M" p电机控制单电阻采样机制是在一个 PWM 波形内采集两相电流 ADC 数据，但某些扇区边界条件下只能获得一路电流 ADC 数据， 需要对 PWM 波形进行变形用于构造电流采样区域。

背景介绍
根据电机控制拓扑结构，单电阻采样在一个 PWM 控制周期内可以取得两相电流数据：

9 v; q% Z+ {8 ?4 F/ T7 l# q

5 \6 c: Z: n3 i. r" ]4 l在扇区边沿无法获得两相电流信号。
! @6 ]- G2 U8 f  Y) U
: y( c) e* p& a- I5 Y+ }7 F

/ B; d7 m8 K4 h) ?5 ]波形产生
ST 专利的方法是在波形的中间部分产生变形波形，在变形后的波形上就可以得到两相电流 ADC 数据；
# }3 m1 q6 W2 p+ o3 |2 G  O


" U( e) T* p+ c$ R- _( e当然还有目前比较流行的波形移位方法也可以做到相同效果。 波形如下：



STM32 系列单片机 Timer 有足够的功能，可以产生上面两种波形，机制如下：
; @0 S  e, S  b3 n+ [% A
PWM 波中间变形

$ r0 A; T  u8 s4 [4 C2 H: B0 l
# ]1 }( f9 P0 U7 _" q
1. 设定 CCR4 的 DMA 通道，并且设定此时 Timer1 的 preload 为禁止状态；
- U& A& X% Z, z/ n2 T

1.    TIM_OC1PreloadConfig(TIM1, TIM_OCPreload_Disable);

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. V# o0 U9 ~2 x% N3 z$ x' h; ], h2. 在 CCR4 比较值部分产生 DMA 事件；

1.    DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr = (uint32_t)(&(TIM1->CCR1));
   
2.    DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr = (uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);
   3 `9 b8 ]! I' ?$ v( u
3.    DMA_InitStructure.DMA_DIR = DMA_DIR_PeripheralDST;
   
4.    DMA_InitStructure.DMA_BufferSize = 2u;
   1 a1 q- U- _6 W" o
5.    ….
   
6.    TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_CC4,ENABLE);

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3. 在 1 点上将 CCR1 数据直接修改为周期数据+1；
! m; W/ T, o& ~; o4. 在 2 点上将 CCR1 数据修改为 CCR1’的数据；
: h( m- i+ ~* F( b5 g5. 时间计算上按照上面的图示设定，中间凹陷时间为两边补充波形时间之和。
0 L& m# y6 O& T. |2 l5 Y
8 j! s% p7 f/ d. B5 s; x( h