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【经验分享】STM32的GPIO电路原理

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STMCU小助手 发布时间:2022-3-13 19:30
GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚。GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。6 n0 b! e1 ?0 G% \
STM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA、GPIOB、GPIOC、GPIOD、GPIOE、GPIOF、GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口。通常简略称为PAx、PBx、PCx、PDx、PEx、PFx、PGx,其中x为0-15。6 P0 n( |9 u7 B: g3 v; R- E3 u3 w  O
STM32的大部分引脚除了当GPIO使用之外,还可以复用为外设功能引脚,比如串口。相关文章:学习STM32单片机,绕不开的串口。# {: Y  r4 s6 A0 y2 n) F7 f' m
GPIO基本结构" c' k0 K2 _- T
每个GPIO内部都有这样的一个电路结构,这个结构在本文下面会具体介绍。
- B1 U$ _! M: x4 ?
3 X% M9 R$ U. l, X1 E/ n. p( H EZ0DZ~Q_]{6[QYGYH%~HFQJ.png / w1 z+ ~( v8 M% g2 w' v% |9 G* A8 i

' i) J1 H/ V- n& H. U保护二极管:IO引脚上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。相关文章:如何用二极管实现不同电压的输出?但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
, n) B/ s, C8 t, s! lP-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。6 c9 _0 Z/ c' l3 k
TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟信号转化为0和1的数字信号。但是,当GPIO引脚作为ADC采集电压的输入通道时,用其“模拟输入”功能,此时信号不再经过触发器进行TTL电平转换。ADC外设要采集到的原始的模拟信号。: a& ~' S: Z7 W4 q2 b0 k! z
这里需要注意的是,在查看《STM32中文参考手册V10》中的GPIO的表格时,会看到有“FT”一列,这代表着这个GPIO口时兼容3.3V和5V的。如果没有标注“FT”,就代表着不兼容5V。" x% ^% y6 b0 u! q' ?& O; S# Z

/ i* E/ R/ ^6 E* ^STM32的GPIO工作方式( r' t7 T7 |3 |, N
GPIO支持的输入输出模式:
+ W6 x/ S0 J$ p. ]GPIO_Mode_AIN 模拟输入& q" O: H! a( S
GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入3 k5 [2 G% L6 e7 }
GPIO_Mode_IPD 下拉输入
: u! b  B9 C- m  E% s1 ]GPIO_Mode_IPU 上拉输入
+ ?+ ]5 P. K) M% g2 B! A2 ^GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出8 A/ X+ g  K% ~8 r
GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出
1 ~1 V  o, A; GGPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出
5 e5 s  b2 O& V" c( T0 oGPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出
% y1 l$ n6 }+ e( @" u( D每个I/O口可以自由编程,但I/O口寄存器必须按32位字被访问。
  w' v, W. R; E: J$ {; o下面将具体介绍GPIO的这八种工作方式:5 C/ R2 Q* b7 q9 w. b" O
浮空输入模式
8 y, [$ |  `  h0 {" Z0 I$ [' u/ i/ k6 A+ D7 N3 ?4 |. H7 [
R$W1IJQF1A_LE4VRS9F4{DU.png , O& R7 z) c4 {1 {$ N& D# y

+ }, C- Y1 |: ?) `1 [- {! Q浮空输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。也就是说,I/O的电平状态是不确定的,完全由外部输入决定;如果在该引脚悬空(在无信号输入)的情况下,读取该端口的电平是不确定的。
; X% c$ q/ E% _2 b$ t- k( Y  |* n7 m. H* D5 f1 I
上拉输入模式
( @5 f1 l; M$ ^# a' f: H. R& \1 F5 b
M%{R8ESK9Q~MUF[]9~PY~18.png
4 v+ U7 U) G: f' ~% w% Q; P' w8 n# j8 b
上拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在高电平;并且在I/O端口输入为低电平的时候,输入端的电平也还是低电平。  g' p6 i( f" J# h6 q. L' h

- \3 K9 |4 O: G* ]0 A0 z下拉输入模式
/ |8 M  j7 R5 l5 e! e& ^3 G& \! d. m0 W# g6 H9 v# Y) K
) ~4 ~& D4 c2 o9 w0 J+ N
下拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在低电平;并且在I/O端口输入为高电平的时候,输入端的电平也还是高电平。; K, w2 H, F2 k/ H+ I
6 {+ g$ r9 q6 F* {& K1 i# Q7 b
模拟输入模式" |5 J: [3 `! J- J; k7 f: g
* A! s) q, O: K; f  C, q8 c' z
PM_G`4VXUUGVB~RuPXA5H.png $ q- ^3 y3 K- @5 H; n6 T! ?  w

- x3 a/ B* C6 r8 j1 @3 y模拟输入模式下,I/O端口的模拟信号(电压信号,而非电平信号)直接模拟输入到片上外设模块,比如ADC模块等等。
! m* \! T, e/ B
, O1 a% _* u, ?8 z+ }4 B0 H0 a开漏输出模式
& _7 d* c8 Y' ~: K+ A9 N/ F# d# F  r% @* f* W1 `
TZ4R33_D[FTY60E(Y_GKMIM.png
- S+ |, b# W5 Q$ a: a# C+ U# P3 p( y/ n
开漏输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就不会由输出的高低电平决定,而是由I/O端口外部的上拉或者下拉决定;当设置输出的值为低电平的时候,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就是低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,I/O端口的电平不一定是输出的电平。  @: X; w, j3 W2 V6 r# G$ s
9 n1 o; Y1 O1 _! M& V
开漏复用输出模式; r( J2 p( s+ s4 M, a5 O$ y; m" x
" B1 T2 }* N  i1 C4 T6 c& f
(6BD63)YNN8Q2P_P9O5H$WC.png 8 i( U0 B' z, U  E/ r+ M8 O

/ ?6 A; Z) R' b* Q! j开漏复用输出模式,与开漏输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
+ G) a+ l7 E9 m2 n  [2 m/ y; V% W& s- s5 x- d
推挽输出模式& w3 E: x# B/ _: w8 S
. G9 L- l" m2 m! @- n; V
RC9]6{QGDFPE`I7CJAOV(%4.png . k. e* D- m; p( q0 j
% T0 T( i$ `- E1 Y: u/ E
推挽输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经P-MOS管和N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意P-MOS管和N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,P-MOS管处于开启状态,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就由P-MOS管决定:高电平;当设置输出的值为低电平的时候,P-MOS管处于关闭状态,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就由N-MOS管决定:低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,此时I/O端口的电平一定是输出的电平。- A5 z/ n, g/ J( ~- `. |

- N! C' W* F5 I. P* l3 N2 r4 V推挽复用输出模式
# o- E2 Q4 Z' y) U
* P. K8 w; O, `  ]' c, Q5 F" X ~5_EDM2@TAK@R@E]T_YBA23.png , {* _) X( G% b3 e1 c/ v

- ~' {) |' R: A* O4 F$ t推挽复用输出模式,与推挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。: s8 H1 |/ b: P$ R, Z
: v6 ~! M' E; K  y7 v" r' e  ?* b
总结与分析
# `( w6 H0 z* X) g) K, j什么是推挽结构和推挽电路?: Z+ x" ?- i: z2 r: K$ O) S
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
" M; B, n2 f+ Z1 k7 t1 I推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。6 h- y7 j5 H6 A* d/ R2 ^" }

( J! }  F' `, j- q2 s1 e开漏输出和推挽输出的区别?
; ?0 m! S+ r! Y开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内);
- w$ s# p7 i% M1 b$ }5 _推挽输出:可以输出强高、低电平,连接数字器件。
" x9 U6 \$ M4 O% k% o关于推挽输出和开漏输出,最后用一幅最简单的图形来概括:$ h1 o! B7 E! t3 a
/ j# K# G  Q- J; z! ~% D

. \" R- Q: a. r' b, A5 _0 \* X. r2 o% [+ b
该图中左边的便是推挽输出模式,其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止,而上面NPN三极管导通,输出电平VS+;当比较器输出低电平时则恰恰相反,PNP三极管导通,输出和地相连,为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式,需要接上拉。
! l0 f8 [3 e/ \7 V3 k  u
7 B, U# O# {" Y在STM32中选用怎样选择I/O模式?
9 a7 P) }0 k) I2 h* }5 i+ x4 a$ K浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入,可以做KEY识别,RX1; n# n, k1 {- Y
带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入7 p% b- j9 [, i: M9 i
带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入
! Y* {5 Q. c3 }  A9 ^" R* e模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入,或者低功耗下省电
+ y& \: K9 Q* ~开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,需要外接上拉电阻,才能实现输出高电平。当输出为1时,IO口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式,这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化,实现C51的IO双向功能& p; t, N, ]6 A! m% O( f
推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND, IO输出1 -接VCC,读输入值是未知的/ f6 ~0 {' x' V) w; T6 i5 l
复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能(I2C的SCL、SDA), Y5 w4 A  z" {# \# b/ \
复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能(TX1、MOSI、MISO.SCK.SS)! m; w2 K# S* F5 M% y0 M2 Y. Z1 B
2 j; _; i  b1 t: ~3 m/ ~3 t* w
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