一、Flash基本知识
1. Flash容量
Flash根据容量大小可以分为以下三种：

1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）
2. ST库函数
ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：

2.1 Flash解锁、锁定函数

1. void FLASH_Unlock(void);    //解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁
   
2. void FLASH_Lock(void);      //锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁

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2.2 Flash写操作函数

1. FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);             //32位字写入函数
   
2. FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);         //16位半字写入函数
   
3. FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);    //用户选择字节写入函数

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注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

2.3 Flash擦除函数

1. FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);        //擦除一页
   
2. FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);                                        //擦除所有页

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2.4 获取Flash状态

1. FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

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获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：

1. typedef enum {
   
2.     FLASH_BUSY = 1,       //忙
   
3.     FLASH_ERROR_PG,       //编程错误
   
4.     FLASH_ERROR_WRP,      //写保护错误
   
5.     FLASH_COMPLETE,       //操作完成
   
6.     FLASH_TIMEOUT         //操作超时
   
7. }FLASH_Status;

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2.5 等待操作完成函数

1. FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

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注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。

二、Flash的写入和读取
此次操作Flash使用的MCU是STM32F103C8T6，在数据手册中，可以看到STM32F103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000，而STM32F103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32F103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x0800 FFFF。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。

1.Flash的写入
根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的写入操作代码如下：

1. #define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
   
2. 
   
3. /*
   
4. * Name:            WriteFlashData
   
5. * Function:        向内部Flash写入数据
   
6. * Input:            WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
   
7. *             data[]：      写入的数据首地址
   
8. *             num：         写入数据的个数
   
9. */
   
10. void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint16_t data, uint32_t num)
    
11. {
    
12.         uint16_t sign =        0;        //标志位
    
13.         
    
14.         FLASH_Unlock();     //解锁Flash
    
15.         FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);  // 清除所有标志
    
16.         sign = FLASH_ErasePage(STARTADDR);        //擦除整页
    
17.         if(sign == FLASH_COMPLETE)        //Flash操作完成
    
18.         {
    
19.                 for(uint32_t i=0;i<num;i++)
    
20.                 {
    
21.                         FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, data<i>);        //写入数据
    
22.                 }
    
23.         }
    
24.         FLASH_Lock();        //重新锁定Flash
    
25. }</i>

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2.Flash的读取
根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读取操作代码如下：

1. #define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
   
2. /*
   
3. * Name:            ReadFlashData
   
4. * Function:        从内部Flash读取num字节数据
   
5. * Input:            ReadAddress：数据地址（偏移地址）
   
6. *              dest_Data：  读取到的数据存放位置指针
   
7. *              num：        读取字节个数
   
8. */
   
9. void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num)
   
10. {
    
11.         for(uint32_t i=0;i<num;i++)
    
12.         {
    
13. <i>                dest_Data=*(uint8_t*)(STARTADDR+ReadAddress+i);        //读取数据
    
14.         }
    
15. }
    
16. </i>

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