你的浏览器版本过低,可能导致网站不能正常访问!
为了你能正常使用网站功能,请使用这些浏览器。

PFC 应用中功率器件 IGBT 结温评估方法

[复制链接]
STMCU小助手 发布时间:2022-12-2 15:39
目的和作用+ z  E) P" P7 X8 U3 h( n
这篇文章用实际例子讲述,在家电 PFC 的运用中如何评估 IGBT 的结温 (例如:空调), v, S7 U" ]$ T
描述) l. S* W. P8 X* C0 s: h
IGBT 作为 PFC 开关器件在家电中运用很广,例如:空调产品.对于家电产品来说,PFC 中 IGBT 结温的评估是整个系统设计过程中非常重要的阶段.接下来会基于STGWT40HP60FB(IGBT)和 STTH30AC06C(快恢复二极管)的运用为例来详细介绍如何运用计算的方式评估 IGBT 的结温.
' c8 ~8 G& b/ a! }* N
. a7 P: O5 n- Y$ B) z
& M5 [7 [; m+ i  b& \! k4 v3 ]
`[`}BIDYMEW025ADFMXZV3V.png   w2 E3 P) d& _6 D# X1 x) i# y
( d; j2 l/ y- C/ G
Step1: 在每一个条件下确认 IGBT 的波形以获得最大 IGBT 电气参数: Vcemax, Vgemax, Icemax' D. L- Q! c0 I6 R

6 O# p. ^3 j, i
- e: Z) X, E3 j
[LPY~9E2]CUM$$QX(U.png * a: v# o1 y, q: f8 Q) r5 N& G

) L7 z0 O& o$ s9 ^( v2 f

+ R; b! t6 g) `3 F: {' K# y& f IZ@0TQ$$}V)YEX1MEF%{N{J.png 7 w: x" B, u7 f" N- |% j
/ N1 F; o( n1 h+ K# f  l  f
Note1 -- 环境温度由终端客户决定。( f& F* x- C* C1 G: N1 b
Note2—用点温线或热成像仪测试 IGBT 的温度时参照如下图所示位置获取 Tc 温度。
# M) e3 k+ G5 w- e0 D2 _
5 f8 b6 P( J  ?9 h
PP493(PC))4GDAGO2W7ZL_V.png - ~2 o- }( Q; \& b0 H
$ y- U- w6 Q" l+ g( p5 b; J
Step2:在最恶劣的条件下估算 IGBT 的结温.
% [% _7 j4 q2 K* r
" w0 g3 y& X, g

5 ~, n0 Q* k0 Y4 C8 p" u. d( b( A
# `, |( ?& q# s* X' T
有两种方式获得 Ploss 数值:
$ d& Y- A% A( e >2-1: 运用示波器的数学积分功能:
) `  }* C; K6 b  ]1 d IGBT 的平均功率损耗可以运用示波器的积分功能获得,所以选择的样本数量越多计算的就越准确。- t! C& v/ j; n" C& |
6 N1 m5 i# {7 Q" p+ r
>2-2: 理论计算:9 R4 C! H' J1 V4 l" ?( s% `

- r4 _, y& ~' B; J4 c) H. y- H  T
$ r, i4 F) ?; ]/ P* }+ V& H/ t+ J4 n
PHS8K9N1_JRW32OP](L)Z{S.png
, V5 j5 [: z4 T% C( F
: X. _" q1 ~( ?4 ? 导通损耗计算:- J  c2 z9 d0 a4 U! p
8_RJT22I(6YS8}[_13`MHNX.png 5 }+ T( T, H: k
Coes 及寄生电容储存能量损耗
9 k( O- C& B  J- ?
2 Z# Z, M: R4 U0 g: F% ]% M
7 F# T0 r6 W" Q8 R4 X  ~9 D
Z@%Z9CSW7SM2N~X7ZENWS6G.png   U0 h6 z# h; R) c+ s8 ?  U; f& |/ Q

! N& R6 o  A$ I4 P/ Y$ ^/ c" { IGBT 开启或关断过程中电压、电流交越损耗:(Note). N5 J  p- j  D( h9 r: _- [3 H
0 M7 f9 J" X6 p5 t. z

. @2 ]+ v" @8 U1 V3 A YQV[EHKT00JIX{~RS$K0H8G.png
1 O" _$ Q/ l6 r+ L( Y# ~, E7 r7 _5 W/ `/ r6 ^9 C: Y9 y. c
Note:对于计算开关损耗,为了获得真实的动态值最好用示波器测量波形的 Eon 和 Eoff。  _0 O# D" j+ z3 i1 N! z- X: k$ V
不管怎样,上面的计算方式都是一个很好的近似法。8 \6 m4 U, W4 z( ^
* S2 J4 ?( e5 [$ }
@Y6C9C)DDJ$`]VK_U0]59VP.png
: w4 c& Q! O" ]8 e" M4 V  L
8 G4 D7 r. k$ M( @2 |% S 总损耗:
8 f% \% z- j- h4 j# u8 M% q
" o- S8 v7 I( o* D+ y" V
41`_`XH02(WBV@BBTTP_2$Y.png # m& l/ k5 [6 y3 b) ]
0 O+ F- |0 w, l2 L$ Q
完整版请查看:附件+ m: A' R- Q7 K; `
~DPI32AE$Y`LA@Q`8D@~WDV.png
YTDF%SJY(CAWV%M8R~{D_1A.png
`DD{S56UO705K0GQB8F(DWH.png
赞 收藏 评论0 发布时间:2022-12-2 15:39

举报

0个回答

所属标签

相似技术帖

官网相关资源

关于
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新与技术
意法半导体官网
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
官方最新发布
人形机器人运动控制、感知与智能配电
半导体创新技术与应用方向
EE架构与软件定义汽车
12V/48V 汽车智能配电(SPD)
区域控制单元(ZCU)与分区架构
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版