1、什么是推挽结构和推挽电路？


  q$ v3 ]; u+ ~: b2 r; Y; }, T推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
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推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
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2、开漏输出和推挽输出的区别？
9 H! ?8 b. D0 ?  a  g+ T开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内)；
推挽输出:可以输出强高、低电平，连接数字器件。
关于推挽输出和开漏输出，最后用一幅最简单的图形来概括：

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% h, ~. n- ^; c" Y" h! `0 p2 w 该图中左边的便是推挽输出模式，其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止，而上面NPN三极管导通，输出电平VS+；当比较器输出低电平时则恰恰相反，PNP三极管导通，输出和地相连，为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式，需要接上拉。
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3、在STM32中选用怎样选择I/O模式？
浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入，可以做KEY识别，RX1
3 L/ i* \8 q4 n. E$ m( d5 u* d带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入
+ Q6 J, e2 k' z% E" J2 n( P带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入
模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入，或者低功耗下省电
开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND，IO输出1，悬空，需要外接上拉电阻，才能实现输出高电平。当输出为1时，IO口的状态由上拉电阻拉高电平，但由于是开漏输出模式，这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化，实现C51的IO双向功能
推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND， IO输出1 -接VCC，读输入值是未知的
复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能（I2C的SCL、SDA）
复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能（TX1、MOSI、MISO.SCK.SS）
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