ZET6芯片
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, j  A# t+ H/ U6 [5 q0 s5 t1 D

  ?: [+ c7 E8 C+ ]4 e
5 r' Q$ G3 W& _, R该芯片内部自带了64k字节的SRAM,以及512K的内部FLASH


# d; E' P1 ?2 G+ m
IROM1=0x80000=512K 和IRAM1=0X10000=64k的大小

同时开发板外置了1M字节外部SRAM芯片（IS62WV51216）



1M字节（即512K*16位）其中512K是由19根地址线决定，219=512K; 16位是由16根数据线决定的
9 Y$ {8 |/ l% z9 e  w# H
64k字节内部SRAM程序相关

1. my_mem_init(SRAMIN);        //初始化内部内存池
   
2. #define SRAMIN        0    //定义内部内存池
   . f2 g  u! v; T# V& C7 o9 m6 R
3. //mem1内存参数设定.mem1完全处于内部sram
   
4. #define MEM1_BLOCK_SIZE                        32                                                            //一个内存块大小为32字节
   0 m* _1 u( R$ x
5. #define MEM1_MAX_SIZE                        40*1024                                                  //最大管理内存40K字节，可以自己根据需要调整
   ) H6 d& x3 g, @; N% [
6. #define MEM1_ALLOC_TABLE_SIZE        MEM1_MAX_SIZE/MEM1_BLOCK_SIZE         //内存表的大小
   , M  a5 R' o$ I- _
7. //内存池（32字节对齐）
   4 r" F7 E& ^! m9 G7 d
8. __align(32) u8 mem1base[MEM1_MAX_SIZE];                                        //内部sram内存池，数组的起始地址由编译器自动分配
   
9. //内存管理表
   
10. u16 mem1mapbase[MEM1_ALLOC_TABLE_SIZE];                                //内部sram内存池MAP

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" y$ W9 A1 S- j6 X* v1 e1M字节外部SRAM程序相关
+ [  p, \* I; ]. x7 P0 c( Y

1. my_mem_init(SRAMEX);        //初始化外部内存池
   2 }0 O1 ?: ]$ Z8 F" L% f" O) u4 v- ]
2. #define SRAMEX        1    //定义外部内存池
   
3. //mem2内存参数设定.mem2完全处于外部sram
   , o0 W  t& ~8 Z5 o! u) ]1 W
4. #define MEM2_BLOCK_SIZE                        32                                                            //一个内存块大小为32字节
   
5. #define MEM2_MAX_SIZE                        960*1024                                                  //最大管理内存960K字节，可以根据自己需要调整
   
6. #define MEM2_ALLOC_TABLE_SIZE        MEM2_MAX_SIZE/MEM2_BLOCK_SIZE         //内存表的大小
   
7. //内存池（32字节对齐）
   3 ~1 G7 y6 q9 p, J" V7 M& X4 c, C
8. __align(32) u8 mem2base[MEM2_MAX_SIZE] __attribute__((at(0X68000000)));//外部sram内存池，数组的起始地址为0X68000000
   , k: y* p/ |# w) h
9. //内存管理表
   
10. u16 mem2mapbase[MEM2_ALLOC_TABLE_SIZE] __attribute__((at(0X68000000+MEM2_MAX_SIZE)));//外部sram内存池MAP

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5 G& {4 c* f  g+ G分块式内存管理
$ y4 Q: f5 z+ o  V
7 y4 ^7 Z- i) y; }& p8 o

   分块式内存管理由内存池和内存管理表两部分组成。内存池被等分为 n块，对应的内存管理表，大小也为 n，内存管理表的每一个项对应内存池的一块内存。
5 Z: Z& ^& m8 T. j
   内存管理表的项值代表的意义为：当该项值为 0 的时候，代表对应的内存块未被占用，当该项值非零的时候，代表该项对应的内存块已经被占用，其数值则代表被连续占用的内存块数。比如某项值为 10，那么说明包括本项对应的内存块在内，总共分配了 10 个内存块给外部的某个指针。

9 q3 d& F: Q/ Q6 R* `  h# H5 k   内存分配方向是从顶->底的分配方向。即首先从最末端开始找空内存。当内存管理刚初始化的时候，内存表全部清零，表示没有任何内存块被占用
5 J2 `  d4 J+ U  H$ J
注：
& d# K5 H8 k" l# c% [* j# u
( L' k8 ^: X8 P- g' [/ W当涉及到跑算法，GUI应用等内置的内存不够用时，就用外部的SRAM来扩充内存


程序数据的存储区域
* X: l6 t3 B4 t" @* A3 K" ]9 C下载到flash的有：Code: 代码
                             RO-data:程序定义的常量
                            RW-data:已初始化的非0全局变量，当程序初始化时会拷贝到RAM中去
4 g, e7 s; z( r! G! o$ `* B8 @
0 P. Z! z) w1 d/ J下载到RAM的有：RW-data:已初始化的全局变量
                              ZI-data：未初始化的全局变量，以及初始化为0 的变量

STM32F103ZET6的flash资源详解
  ZET6芯片内部内置了512K字节的flash,用于存放代码和数据常量，是主存储块，起始地址为0x08000000,这是程序执行的起始地址，此时的BOOT0和BOOT1都接GND.被划分为256页，每页2K字节


, d& k0 z" P) j- \- I6 q. m
同时开发板外置了16M字节的外部flash芯片，即为W25Q128



采用spi通信传输，分成256个块（BLOCK）,每块64k字节，每块又分成16个扇区(sector),每扇区4K字节

$ \" I: u. l2 u9 v) V; j3 t1 k相当于stm32外接了一个硬盘，虽调用速度慢，但数据不分丢失，一般用于存放FATFS文件系统，字库，图像，日志等

1. #define FLASH_SECTOR_SIZE         512                          
   7 z. h: }: X0 p- j1 a3 a2 \
2. //对于W25Q128
   
3. //前12M字节给fatfs用，12字节后，用于存放字库，字库占用3.09M,剩余部分，用户自定义使用                    
   
4. u16            FLASH_SECTOR_COUNT=2048*12;        //W25Q1218
   3 M2 t! b3 k9 g, q
5. #define FLASH_BLOCK_SIZE           8             //每个BLOCK分配8个扇区
   " k# \% S+ h! E
6. //字库占用的总扇区数
   * m  y# K1 G1 f; i, b' E; ?
7. #define FONTSECSIZE                 791
   ' V5 M7 w% U, |3 Q% l/ O; W. z
8. //字库存放的起始地址
   
9. #define FONTINFOADDR         1024*1024*12        

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