【春节福利】每日一 “芯” 意，ST 论坛邀你 “马上” 翻好礼！

2026 新春马上到，ST 中文论坛给你不一样的惊喜！Forget 打卡，我们玩点新鲜的 ——“每日翻牌”。活动期间，本帖每天都会刷新一个新的互动话题（技术的、好玩的、走心的）。你只需根据当日话题回帖，即可参与当日抽奖。每天话题不同，每天都有新期待！



% M9 Q; ~  S& r& i' X/ M- @1 T每日心意奖：
当日礼：活动结束从参与话题互动的用户中，随机抽取 15名 送出 STM32开发板或精美礼品一份。
全勤礼：连续参与 14 天不同话题互动的用户，即可参与终极抽奖，赢取IQ耳机+60 元京东 E 卡（共6名）。
( H% C; e9 i& K, J彩蛋礼：如果你的回复被管理员选中为 “最佳回复”，可直接获得荣耀手表一块 （共2名）

每日翻牌规则如下：

1 y( I$ y" Y/ W) g; ?' j* R1 K第一周：预热与自我回顾（2.10 - 2.16）
  B2 Q: w5 E0 M! O8 m•        Day 1 (2.10) 翻出【愿望牌】：你的 2026 技术目标是？
o        示例：【愿望牌】：今年必须吃透 STM32H7 的 MIPI DSI 接口，或者搞定 RT-Thread 系统移植！
•        Day 2 (2.11) 翻出【吐槽牌】：分享一个你遇到过的奇葩 Bug。
+ e- q1 F( _# r% C2 y. y3 h$ g* Xo        示例：排查了三天的死机问题，最后发现是杜邦线接触不良 / 晶振没接地。
•        Day 3 (2.12) 翻出【晒图牌】：晒出你的工作台一角。
o        示例：照片里可以是你的开发板、示波器，或者陪伴你多年的那杯 “程序员之水”。
0 x) [* o" x: l- w3 C% P5 L•        Day 4 (2.13) 翻出【回忆牌】：聊聊你与 ST 的 “第一次”。
o        示例：第一次使用的 ST 芯片是 STM32F103，还是大学时的课程设计？
•        Day 5 (2.14) 翻出【撒狗粮牌】：技术人的浪漫。
o        示例：秀一下给对象写的单片机爱心流水灯，或者收到的最硬核的礼物。
•        Day 6 (2.15) 翻出【干货牌】：分享一个 ST 实用小技巧。
' `, i; y. F3 ?& g, o0 ^* ao        示例：分享一个 STMCubeIDE 的快捷键用法，或者 HAL 库的某个隐藏功能。
9 F7 b. R/ [  Z6 }•        Day 7 (2.16) 翻出【许愿牌】：向 ST 官方许个愿。
/ o0 i# t  g8 u& m8 D" X3 Y7 \o        示例：希望 ST 出一款更便宜的 H7 开发板，或者希望库函数注释更详细一点。

( U. B: e/ \5 L1 [/ U  t
第二周：春节氛围与展望（2.17 - 2.23）
•        Day 8 (2.17) 翻出【年味牌】：开发板也过年。
4 g" s9 X' I& Ro        示例：给你的 Nucleo 开发板戴个小帽子，或者拍一张开发板和年夜饭的合影。
•        Day 9 (2.18) 翻出【电影牌】：推荐一部技术相关的电影 / 剧。
2 P! L$ H, N; L! k5 Z0 M/ Zo        示例：《模仿游戏》、《黑客帝国》，或者最近很火的《三体》，并说说为什么推荐。
/ `" E; z0 R, j5 [' l8 q. p4 g2 z•        Day 10 (2.19) 翻出【解压牌】：你是如何缓解 Debug 压力的？
o        示例：Debug 不出来时，是去跑步、打游戏，还是对着天花板发呆？
/ D4 F1 S& Y- b, W) z' a. r( b; \•        Day 11 (2.20) 翻出【神器牌】：晒出你的必备开发工具。
o        示例：除了电脑和开发板，哪一个工具（如某款镊子、热风枪、调试软件）是你离不开的？
/ Y9 {: X: \& r/ z•        Day 12 (2.21) 翻出【对联牌】：写一副电子工程师的春联。
4 C& H3 @8 U  W  O& Q  Po        示例：上联：电阻电容二极管 下联：代码逻辑单片机 横批：Bug 全无。
. F/ @4 y3 {6 G* a•        Day 13 (2.22) 翻出【预言牌】：预测 2026 年的技术趋势。
o        示例：STM32N6是否会更火？车载芯片的下一个风口是什么？
•        Day 14 (2.23) 翻出【冲刺牌】：晒出你的开工福利是 / 开工状态。
o        示例：晒一下公司发的开工红包，或者回到工位准备 “大干一场” 的照片

9 v* D, K- f# T5 [, Y: G3 K4 S
! O' X- k& |% W活动规则：
1.        活动时间：2 月 10 日 - 2 月 23 日，每日话题当日有效。
2.        必须针对当日公布的话题进行回复，跑题回复不计入统计。
3.        欢迎大家在回帖中艾特好友一起来 “翻牌”，拉新成功双方均可获得额外600 积分。
; f$ K7 U: [* [0 z) J3 i  s4.    活动最终解释权归论坛所有。
) f% D1 T+ g' K7 y) J6 \- k
! T9 `( d5 Q" J: Q4 w
. Q$ r% R  ]- a, m; G- E' m
中奖名单：(已全部发出)

( P1 l! e1 I; O! B% m: q+ J7 O当日礼：
: F3 D. Z4 q9 M7 {$ h老牛洋车、北方、CM_STM32、A0dy、qintian0303、wenyangzeng、Xa__ 、lospring、patch1582、行色匆匆、HyunYong、lxl666、VegardCheng、网络孤客

/ j3 \) f. G6 X' V1 U& O全勤礼：
5 p6 @2 ^: Z/ _7 x/ l- P北方、linghz、lospring、A0dy、CM_STM32、qintian0303

5 g* k- o, k. o7 q7 C- n2 H彩蛋礼：（最佳回复）
北方
! E/ G( q  _8 u& I$ O; iwenyangzeng

/ t) b" n# E3 ]4 J0 l2 y

. f" j2 r, i/ c6 v' U6 E

6 |1 n5 b, o7 e$ U* T8 {0 M0 E# N
( z8 r) g# l! _" E
9 G7 Q% |1 Z: d1 Q: K3 Z" L3 c

Day 12 (2.21) 翻出【对联牌】： 上联 ：示波器显微观世 下联 ：逻辑仪析万物机 横批：明察秋毫

我曾遇到过一个iiC通信Bug，现象是传感器模块在实验室测试时一切正常，但量产装机后约5%设备出现间歇性数据丢包。经排查，问题根源竟是PCB上SCL/SDA走线在连接器处形成了约2cm的环形环路，环路与外壳形成寄生电容，在特定湿度下产生pF级耦合电容，导致SCL上升沿被削顶。更奇葩的是，该Bug只在环境湿度＞60%时触发，潮湿空气降低绝缘电阻，使寄生电容与iiC上拉电阻形成低通滤波，将SCL的1MHz信号3dB点压至800kHz。此时主控仍按1MHz时序采样，传感器因时钟畸变无法正确解析地址，引发NACK。而且还有一个问题，不放进壳子就会出现严重的干扰，也会导致传感器因时钟畸变无法正确解析地址，和ID。这就是我当年遇到的问题。

Day 6 (2.15)【干货牌】
! v1 W' J  _9 M- C: X1 u
《EEPROM emulation in STM32F0xx microcontrolles》一个BUG的修正
8 i5 ]% K- f' ]) JSTM32中文官网有一篇《EEPROM emulation in STM32F0xx microcontrolles》应用笔记。它为每一个要保存的数据预先设置一个16位虚拟地址，紧跟一个16位变量数据。当写入一个新数据时，只需重新写一次该数据的虚拟地址，接着写入新的数据即可。旧的数据作废，直到本页写满。读数据时搜索最后一次写入的地址，就能读出最新的数据。无需整页Flash都删除再写入，大大提高了Flash的读写寿命。
有一个“STSW_STM32117_STM32F0xx微控制器中的EEPROM仿真”固件包可供评估。
# m: b: x! d9 z8 ?/ ]这个固件包演示了在仿真EEPROM的页里对VarData[0]、VarData[1]、VarData[2]写入数据，然后读出。
0 K- D/ H# f5 @0 E/ l- A% v+ y" r
0 [5 o* A2 ~& D) E8 b5 T) U 在NUCLEO开发板上运行演示代码进行评估验证，仿真EEPROM的数据写入读出都正确，放心移植到目标板了。
5 l, G, b# w- \- U; D) v
, X  r7 j3 N# C% a1 z+ B4 x 不料，目标板调试过程中发现，只要断电，再上电后读出的数据就不是断电前写入的数据了。排除硬件故障的可能性后，接下来是判断是写出错还是读出错。这片STM32F051C6T6的Flash长度为32KB,我照抄演示文件中的代码，将第8和第9扇区设置用来仿真EEPROM，它的每页长为0x400,地址从0x08002000到0x080027FF。使用STM32 ST-LINK Utility工具读该扇区，Flash已经正确写入。判断故障在读操作。
6 K8 ?, p; o2 X) Z  p4 t5 y6 w. Z/ x先查阅STM32F0xx的eeprom.h，其中有：
( [" u- J" n8 Y+ ^1 J6 N
7 S& `  F" ?+ C

1. #define PAGE_SIZE             ((uint32_t)0x0400)
   4 S& _! N. `' c9 {6 i
2. #define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x08002000)

复制代码

6 W& d4 k8 k. T$ \; A! X0 o

8 J+ r: A; D" t& b* M/ {# l
这里定义：

1. #defineEEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x08002000)

复制代码

再查阅STM32F0xx的 eeprom.c：

1. uint16_t EE_ReadVariable(uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data)
   
2. {  uint16_t ValidPage = PAGE0;
   
3. uint16_t AddressValue = 0x7777, ReadStatus = 1;
   6 F$ u8 q1 Z! z; ~, n" x
4. uint32_t Address = 0x08001000, PageStartAddress = 0x08001000;
   
5. }

复制代码

/ F- y* i/ w2 m  Y( d. h这里地址的分配是这样安排的：
' V2 X. _- [7 g; ~  E7 p3 duint32_t Address= 0x08001000, PageStartAddress = 0x08001000;
  x: I! M% m' n5 V3 g: z3 ]. r这个EEPROM emulation in STM32F0xx是从EEPROM emulation in STM32F10xx移植过来的。于是查阅F1系列相关的文件，
STM32F10xx 的eeprom.h是这样的:
2 o0 O; n  D/ t6 k$ m1 N1 D# r

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x08010000)

复制代码

( ~# Q- S% L7 O& S8 r

- M* j4 ~8 Z7 @' K/ V
STM32F10xx的 eeprom.c是这样的:
2 p* {* Y; f7 X( M/ ]: v1 G! P9 r

1. uint16_t EE_ReadVariable(uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data)
   % B) }# p5 l* N7 _3 \7 P" T
2. {  uint16_t ValidPage = PAGE0;
   
3. uint16_t AddressValue = 0x5555, ReadStatus = 1;
   
4. uint32_t Address =0x08010000, PageStartAddress =0x08010000;
   
5. }

复制代码

) S+ v$ ?1 z, a$ T$ k
! m1 F  f/ A6 ?+ |" G/ X' SST工程师在移植F1仿真EEPROM到F0仿真EEPROM时，忘记把F0的eeprom.h和eeprom.c文件里关于仿真Flash页的地址修改一致：
在F051写入的首地址是0x08002000，而读出的首地址则在0x08001000。从而导致读数据的地址不是写入数据的地址——读出错。
; @0 r1 Q1 Z( g修改eeprom.c代码：

1. uint32_t Address= 0x08002000, PageStartAddress = 0x08002000;

复制代码

/ Z( A% d! r3 Z' f
1 e0 L0 ?% o( a7 O

故障排除。
那为何在用nucleo进行评估验证时却读写正常呢？下载有BUG的原代码进行跟踪调试可知：由于读地址与写地址不符，进入读函数后当判断地址不符，就执行return了。根本就没有读数据。而恰好在演示代码中写完Flash后数组变量没有清空，在读出错return后，数组变量里保留着写操作留下的残余，让你误以为读写正常。

【愿望牌】：今年必须搞定 RT-Thread 系统移植！

研发动态电压频率调节精度±0.05V的自适应电源管理系统

【愿望牌】：今年前半年将STM32G474这块芯片弄明白，目前需要做个东西，选了这款芯片，上半年把这个任务完成，下半年学一学simulink建模，刚好我看stm32有simulink支持包，到时候可以试试纯simulink开发。

【愿望牌】：今年的目标是stm32g474和simulink建模，刚好我发现simulink中有stm32的支持包，我想最好能够使用simulink建模的方式开发stm32，一箭双雕，即学了stm32页学会了simulink建模

【愿望牌】：我的 2026 技术目标是

TouchGFX官方例程大都是在ST板卡硬件基础上建立的，它的TFT显示屏与我们实际使用的显示模块并不相同，我的2026技术目标之一是在一般的TFT液晶显示模块能成功运行TouchGFX代码，用到实际项目中。

【愿望牌】：今年必须吃透H7S78-DK的图形设计链接外围控制 和 334的boost-buck电路！

【愿望牌】：今年必须吃透 STM32H7 的 FMC 接口，外挂NAND FLASH，上半年就得干完（还是公司的项目😕 ）。加油，努力干，冲就完了。

【愿望牌】：去年利用STM32F103C8T6核心板驱动MAX30102血氧心率传感器来制作家庭血氧检测仪的项目，从春天开始制作，打了几次PCB板，到盛夏炎热暂停，原准备入秋后继续，岂料去年秋季超热，暑热散去没几天迅即转冷，项目继续停摆。但愿能在今年酷热之前完成这个项目，不要扩充我的烂尾项目队伍😄 。

【愿望牌】：今年必须搞定MicroPython移植到STM32！

; L( c5 a3 x" v; d6 M【愿望牌】2026年必须吃透 STM32Cube.AI！
$ Q* ~1 K7 s  v: o3 V( c% ~学习以及掌握部署不同的AI模型方法，以及学习MCU低功耗的优化方法！

【愿望牌】：今年必须完成超表面设计，发表论文！

【愿望牌】：今年能把USB-CDC-host搞搞明白！

【愿望牌】：今年必须把PD快充协议琢磨透，熟悉AI大模型的训练、推理、算法因子等技术应用。