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wenyangzeng 发表于 2018-12-13 11:59 代码应该避开意外掉电时去执行写flash的操作
ldptest 发表于 2018-12-17 09:55 这个如何避免?
wenyangzeng 发表于 2018-12-17 10:00 1、避免频繁对Flash写大量数据,2、双重数据备份
五哥1 发表于 2018-12-17 12:40 好吧,我来说下,凭良心说,每个大公司的产品应当是完美无缺,但是事实上每一批都和其他批次有小的差异,所 ...
watershade 发表于 2018-12-17 20:47 所以你委婉的告诉了这位朋友。他用了假的STM32?
dataozi 发表于 2018-12-17 11:08 看一下程序区的代码量,如果用到了内部FLASH存储,查看一下是不是占用了程序的代码。 ...
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好了言归正传,因为不了解你的项目。下面的只是讲一些思路。
1、你的程序中是否有擦除Flash的程序。或者说你的程序中是否有IAP和模拟EEPROM的程序?我认为MCU缺陷导致擦除Flash的情况可能性不大。
如果里面有对Flash的擦除操作。那么问题很大一部分就出现在这里。基本上变砖的机理是:我擦除了旧的。新的写入故障。然后程序又是从故障那里执行的。
2、想必你应该是用工具把Flash 读回比较了吧?确定是0X08000000的第一个片区错误了吗。这个扇区存储了中断向量表。我认为不可能删除的。请提供一下删除的位置。
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以前从没出现过Flash内容丢失问题,那么你的Flash内容丢失大概是多大机率?
原理图、程序工程请附上。一般是不按套路出牌导致的。
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这个如何避免?
1、避免频繁对Flash写大量数据,2、双重数据备份
这只能降低风险,而不能避免。
看来还是要从硬件上去解决。
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所以你委婉的告诉了这位朋友。他用了假的STM32?
可能性很大,GD32F103RC的性能和可靠性你知道的。
这上下电的时候没有对FLASH进行擦除和写操作
我说的是程序区丢失,不是自定义的数据区
没有