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【经验分享】STM8L152 IDD(RUN) 测量

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STMCU小助手 发布时间:2022-2-16 20:39
问题:在 STM8L152 数据手册中,参数 IDD(RUN)的典型值是 1.97mA。

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调研:
使用 STM8L-discovey 板进行测试,得到的结果和客户的测试结果类似,偏高。进一步测试,改变测试代码后,得到的结果和数据手册中的数据符合。
初始的测试代码框架:
  1. /* Initial configuration */
  2. {…… }
  3. /* IOs configuration */
  4. {…… }
  5. /* Infinite loop for IDD test*/
  6. While(1);
复制代码


改进的测试代码:
  1. /* Initial configuration */
  2. {…… }
  3. /* IOs configuration */
  4. {…… }
  5. /* Infinite loop for IDD test*/
  6. While(1)
  7. {
  8. -asm(“nop”);
  9. -asm(“nop”);
  10. -asm(“nop”);
  11. }
复制代码


结论:
当 while 循环中没有任何指令时,CPU 每次仅取 1 条指令(尽管预取缓冲是 32 位,可以存 4 条指令)。这样,CPU 需要经常访问存储器取指而造成电流增大;
当 while 循环中增加 3 个 NOP 指令时,CPU 取指频率降低,从而降低了功耗。

建议:
对于功耗测试,软件配置和硬件配置都很重要。一般而言,低功耗模式下的数值意义比较大,因为外设或者 CPU 是关闭的。测试时主要是避免可能的漏电流(如 IO 口不确定状态可能不停翻转带来的漏电流)。但是在普通工作模式下,一者条件比较多,二者测试代码本身也有可能影响测试结果。这个因素在实际测试中要加以考虑。

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