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【经验分享】用于量产烧录的拼接 Bin 文件操作

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STMCU小助手 发布时间:2022-3-3 23:09
前言1 U0 h- Q  C7 M2 `, [- m
一般芯片开发过程中,存在 Bin 文件的拼接过程,比如在做 IAP 程序+用户程序过程中,最终烧写 bin 文件或 hex 文件需要将两个或者三个单独编译通过的程序拼接在一起作为最终烧录文件,本文就如何操作做详细说明。% M. b+ g$ z2 z! U" |% A. h

8 Y! `/ \& x' v3 r/ ?% T* I示例案例+ h/ r: b3 X7 ]- R1 P0 f- K; U3 x
使用芯片为 STM32F030R8T6,IAP_Boot.bin 是程序 IAP 程序编译后生成的 bin 文件,地址在 0x0800 0000 ~ 0x0800 1FFF;, a8 t0 C  F4 J/ u% w) F3 M4 N
APP.bin 是客户运行程序,地址在 0x0800 2000 ~ 0x0800 FFFF;而整个 Flash 空间将会是 0x0800 0000 ~ 0x0800 FFFF;
. f, t2 Z  h9 G$ Y& s, f: i, @' ]: S  a) h: H6 i/ e

, @9 [/ J; a8 ~. r2 U! @具体操作
9 a6 L; V9 U7 R. p! o9 X下载任意一款支持 STM32F030 芯片烧录的烧写器 PC 软件,比如 raisonance,segger,hilosystems 等等,可根据自身所使
4 m9 y( _, _0 R+ B用的量产烧写器型号进行选择,这边举例如果客户使用了 Xeltek 烧写器,其他厂商的操作大体相同。2 a  W4 V% b! O' m3 h/ D% B# _
/ ~3 b+ L6 q2 B% ^  _
安装后打开,选择芯片型号。
* X/ d7 \' t! p/ `; ^4 O3 ~9 w; ^( w7 S7 ]
% `, N5 R' S. Z1 }$ `1 ?
0$UN[RWCTZHWM[T82XCQJHM.png
& V  o: M; b0 ]. N' P$ M" m
0 N4 ^! l  q1 s8 L6 g$ j; h8 O: N: E打开 IAP_Boot.bin 文件

& e4 h5 U4 D& l) c& \2 X) b
! p) y2 K' V0 P0 t6 A7 W8 `0 A$ }
& T7 i+ h. V* P- h- X
{@SO(ULLMY{0YVW5LYZ1F.png ! U/ x. ~4 l9 P) c! X0 A* G' D* x) @

8 Y1 _2 m: _. ?1 r: x. P然后再打开 APP.bin 文件,操作注意选择地址以及不可覆盖选项
8 {2 Y2 W/ p& p! K* d+ z& F+ [  \/ Y: o% m+ D- j9 i" |
/ L: V, e# c1 i7 ?2 S
OXY)6T(ZQ]1]31_)R]$Z9`1.png * C% w8 I( z6 T& n, q  U% m# h# }
# x9 W3 h- V; ~* Q4 H: ^$ y

( H# C" a- N4 P. ^+ D. ~& a$ u% T察看拼接是否成功2 W9 `, h/ N* }9 X+ o2 h1 }/ L
会在 Buffer 中看到地址 0x0000 0000 存入的是 IAP_Boot.bin 的内容,在地址 0x0000 2000 地址上存入的是 APP.bin 文件中内容,此时即拼接成功。6 u2 Q1 K, m( V  r# K+ p: l; _
7 P/ I# V  i! e3 s1 }
%H~ZPPS`]%SGB10YO27K`4F.png
6 }  e4 \9 M5 q8 ~9 f9 t% ], c. s
: ^6 H# H2 D7 [7 k. r6 y4 |/ h$ N, I保存拼接后的文件3 g: f" `5 f- |6 R) }: x# X
注意选择数据大小,生成最终量产烧写文件 Com.bin
2 D5 I7 x2 y; T3 p% Q0 l$ n( j! k: {" r; j$ b3 L6 I

1 @& m2 ^  H) Q# C A[60_M})PO3C4O7TOBOG3.png % s" b6 r7 r5 b) {% f5 {

% }9 _) t' q# E4 D  {1 `" }: |! q! `& z7 v( G1 f4 {$ s
总结
9 L4 x  `) ^, d3 A通过上面的操作,即可生成对应的拼接文件,同样如果是几个文件的拼接也可以相同进行操作,拼接后的 bin 文件可以通过量产烧写器进行自动下载操作。
9 C" ~* s: A% I* H6 O8 {/ d% m2 s, _" f2 T7 O( g2 ^/ T
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