总结
SDRAM原理图如下：



提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、FMC外设地址映射
FMC外设的功能框图



从FMC的角度来看，外部的存储设备被分为几个固定大小的Bank，每个bank 256 MB。整个FMC外设映射地址的划分如图：



Bank1

1. Bank1的地址空间为：0x6000 0000 - 0x6FFF FFFF，支持外接
   
2. Nor Flash、PSRAM、SRAM等设备，还可以外接DM9000等类存储设备。
   
3. 整个Bank1的地址空间被划分为四个子bank，每个子bank的大小为64MB，
   
4. 刚好对应        FMC外设的地址总线（FMC_A[0:25]）有26条（2^26=64MB）。

复制代码

FMC还有两条内部总线ADDR[27:26]，用这两路控制片选信号，如下表：


Bank3
只能外接Nand Flash设备

SDRAM Bank
只能外接SDRAM设备,我们在程序里使用SDRAM中的变量时，寻址起始地址采用0xC0000000。另外需要注意的是这里为什么采用0XC0000000呢？看下图配置参数时cubemx内指定的SDRAM bank1，而bank1 的起始地址就是0xC0000000。如果是采用的bank2那起始地址就要设置为Sdram bank2的起始地址0xD0000000。



二、CubeMX参数设置



三、参数详解
SDRAM基本参数配置：SDRAM（W9825G6KH） 的数据手册中即可看到

① 速度等级：当CL=3时最高速度为166Mhz。因为STM32F743的HCLK配置成了240Mhz，所以需要进行二分频，使SDRAM的时钟频率为120Mhz。



② 行地址宽度和列地址宽度：有A0-A12 总共13条行地址线，有A0-A8总共9条列地址线。
最后配置如下：



SDRAM时序参数配置

SDRAM的时钟频率为120Mhz，一个时钟周期就是8.33 ns，所以下面参数的单位都是8.33ns。

① LoadToActiveDelay：TMRD 定义加载模式寄存器的命令与激活命令或刷新命令之间的延迟，最小值为2个clk。



② ExitSelfRefreshDelay：从退出自刷新到行有效的时间延迟，最小72ns，所以参数设置为9



③ SelfRefreshTime：自刷新周期，最小是42ns，所以设置为6




④ RowCycleDelay（tRC）：刷新命令和激活命令之间的延迟，最小值为60，所以设置为8



⑤ WriteRecoveryTime：写命令和预充电命令之间的延迟，在CL=3的情况下，最小是2个clk,此项设置为4预留一点余量。



⑥ RPDelay（tRP）：预充电命令与其它命令之间的延迟，最小15ns，此项设置为2



⑦ RCDDelay（tRCD）：激活命令与读/写命令之间的延迟，最小15ns，所以设置为2。