! t" ~) @3 m2 ]5 d$ g3 Q' F: DGD32F103是GD早期的产品，GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化，所以4者是兼容的。虽然内核不同，但是通用外设几乎很少涉及到内核部分，在时间急迫的情况下可以使用ST的库开发。
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一、相同点

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1）外围引脚PIN TO PIN兼容，每个引脚上的复用功能也完全相同。

2）芯片内部寄存器、外部IP寄存器地址和逻辑地址完全相同，但是有些寄存器默认值不同，有些外设模块的设计时序上和STM32有差异，这点差异主要体现在软件上修改，详情见下文。

3）编译工具：完全相同，例如KEIL 、IAR。

4）型号命名方式完全相同，所以替代只需找尾缀相同的型号即可，例如：STM32F103C8T6 与 GD32E103C8T6。

5）仿真工具：JLINK GDLINK

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二、外围硬件区别

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三、硬件替换需要注意的地方

从以上介绍可以看出，GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。

1）BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。

2）RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。

3）有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：

• 线尽可能短一些
• 降低SWD通讯速率
• SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉
  
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4 k) X. }9 U: f4）使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。

四、使用ST标准库开发需要修改的地方

1）GD对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，在进行外设配置，否则可能导致外设无法配置成功；ST的可以先配置在开时钟。

2）修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。
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原因：GD与ST的启动时间存在差异，为了让GD MCU更准确复位。

修改：

将宏定义：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改为：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)修改为：
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)
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9 X9 v* w# v2 @, u9 _# v
* d( o  A4 ]; m3 j! p

3）GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2个等待周期，因此，一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。

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原因：GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。

修改：如果使用for或while循环做精确定时的，定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短，因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。

4）在代码中设置读保护，如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置，可跳过此步骤。

在写完KEY序列后，需要读该位确认key已生效，修改如下：

% J0 f) u8 `" }, |9 I

* {9 W+ ?9 H! B6 Z6 |! M8 e总共需要修改如下四个函数：

1. FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
   
2. FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
   $ S. P# N' V$ \8 m
3. uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
   4 z: r( v& x( O, i$ h
4. FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);

复制代码

5）GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异，修改如下：

6）需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略这项。

与ST不同，GD的flash存在分区的概念，前256K，CPU执行指令零等待，称code区，此范围外称为dataZ区。

两者在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别，code区代码取值零等待，data区执行代码有较大延迟，代码执行效率比code区慢一个数量级，因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码。

为解决这个问题，可以使用分散加载的方法，比如把初始化代码，图片代码等放到data区。

总结：至此，经过以上修改，在不使用USB和网络能复杂协议的代码，就可以使用ST的代码操作了。

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