
01. FSMC简介 STM32F407 或 STM32F417 系列芯片都带有 FSMC 接口,ALIENTEK 探索者 STM32F4 开发板的主芯片为 STM32F407ZGT6,是带有 FSMC 接口的。 ) \% k1 q. [# w- x. z7 z7 i FSMC,即灵活的静态存储控制器,能够与同步或异步存储器和 16 位 PC 存储器卡连接,STM32F4 的 FSMC 接口支持包括 SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 和 PSRAM 等存储器。 02. FSMC主要特性 FSMC 能够连接同步、异步存储器和 16 位 PC 存储卡。其主要用途如下: ● 将 AHB 数据通信事务转换为适当的外部器件协议 ● 满足外部器件的访问时序要求( q* Z& ]2 T. l: f 所有外部存储器共享地址、数据和控制信号,但有各自的片选信号。FSMC 一次只能访问一个外部器件。 . y P: [: q+ a( k2 U# _) Y, }/ { FSMC 具有以下主要功能:+ q, j+ i; E) d' H ● 连接静态存储器映射的器件:3 y- @% p6 Q0 i& q5 {1 l' c5 Q- Q8 w — 静态随机访问存储器 (SRAM) — 只读存储器 (ROM) — NOR Flash/OneNAND Flash — PSRAM(4 个存储区域)4 J% l* G5 q) q8 n# f) \ ● 两个带有 ECC 硬件的 NAND Flash 存储区域,可检查多达 8 KB 的数据7 t- I# \* E4 `( U ● 16 位 PC 卡兼容设备; `% d% V1 r3 ?) q2 z* q/ M7 p9 q ● 支持对同步器件(NOR Flash 和 PSRAM)的突发模式访问 ● 8 或 16 位宽的数据总线 ● 每个存储区域有独立的片选控制& K8 t9 e; N7 a# h ● 每个存储区域可独立配置 ● 可对时序进行编程,以支持各种器件,尤其是:7 E0 S/ f" K4 e* ?: I — 等待周期可编程(最多 15 个时钟周期)- v% }- t9 E6 I6 `7 L6 V — 总线周转周期可编程(最多 15 个时钟周期)! H+ ?; W9 E7 B — 输出使能和写入使能延迟可编程(最多 15 个时钟周期)8 V! F \) {( P$ p — 独立的读和写时序和协议,以支持各种存储器和时序5 T9 D6 p8 E9 r1 J1 D ● 写使能和字节通道选择输出,可配合 PSRAM 和 SRAM 器件使用9 e9 f9 b6 l, ?2 x; Z- w ● 将 32 位的 AHB 事务转换为针对外部 16 位或 8 位器件进行的连续 16 位或 8 位访问。 ● 用于写入的 FIFO,2 字长(对于 STM32F42x 和 STM32F43x,为 16 字长),每个字为32 位宽,仅用于存储数据,而不存储地址。因此,此 FIFO 仅会缓冲 AHB 批量写事务。从而可对慢速存储器执行写入操作后能快速释放 AHB,以供其它操作使用。每次仅缓冲一个突发事务:如果在有操作正在进行时发生一个新的 AHB 突发事务或者一个单独事务,则 FIFO 将会清空。FSMC 将插入等待周期,直至当前存储器访问已完成)。 ● 外部异步等待控制 定义外部器件类型和其特性的 FSMC 寄存器通常在启动时进行设置,并且在下次上电或复位前保持不变。但也可随时更改这些设置。# L5 Y7 ^4 W, d4 @4 S 03. FSMC框图 FSMC 包含四个主要模块: ● AHB 接口(包括 FSMC 配置寄存器) ● NOR Flash/PSRAM 控制器 ● NAND Flash/PC 卡控制器 ● 外部器件接口 5 i+ p- D s. G. h& K0 } ![]() 04. 外部器件地址映射; O; A* M! A1 I. e# B8 N8 p 从 FSMC 的角度,外部存储器被划分为 4 个固定大小的存储区域,每个存储区域的大小为256 MB: ● 存储区域 1 可连接多达 4 个 NOR Flash 或 PSRAM 存储器器件。此存储区域被划分为 4 个NOR/PSRAM 区域,带 4 个专用片选信号。- U( x" |" ` _8 h. a ● 存储区域 2 和 3 用于连接 NAND Flash 器件(每个存储区域一个器件)0 \* ~ s4 W9 J' ^ ● 存储区域 4 用于连接 PC 卡设备3 C2 H1 q' g% X' c# F6 ^: h- P 对于每个存储区域,所要使用的存储器类型由用户在配置寄存器中定义。- u7 ~1 t, T& V2 k5 R ~ ![]() 4.1 NOR/PSRAM地址映射. m- v* y% ?( J+ v4 w6 @ HADDR[27:26] 位用于从 表 185 中所示的四个存储区域之中选择其中一个存储区域。9 Q4 g6 ^: G5 {+ g ! u. x# ~( W8 u' G2 ^ ![]() HADDR[25:0] 包含外部存储器地址。由于 HADDR 为字节地址,而存储器按字寻址,所以根据存储器数据宽度不同,实际向存储器发送的地址也将有所不同,如下表所示。5 x) W; l* P3 ^, G& J, x ![]() 4.2 NOR Flash/PSRAM控制器. F* P' O1 l7 j9 K- q) z& M FSMC 会生成适当的信号时序,以驱动以下类型的存储器: ● 异步 SRAM 和 ROM0 X9 n W2 ?/ @/ {, u1 [ — 8 位( P) a0 e2 F6 [2 c3 M* A — 16 位 — 32 位 ● PSRAM(Cellular RAM)' k8 N; N% A/ X0 M3 `, E/ | — 异步模式 — 突发模式- R) f& m: z8 k: G3 b3 a$ F( N — 复用或非复用 ● NOR Flash — 异步模式或突发模式7 z5 \3 E/ X# z5 T5 z) F3 f# }! | — 复用或非复用( s- t( E( d! o& U5 D FSMC 会为每个存储区域输出唯一的片选信号 NE[4:1]。所有其它信号(地址、数据和控制)均为共享信号。 5 T5 J8 g, ?6 R, T6 d 对于同步访问,FSMC 只有在读/写事务期间才会向所选的外部器件发出时钟 (CLK)。HCLK时钟频率是该时钟的整数倍。每个存储区域的大小固定,均为 64 MB。 M! @6 Y7 ]& _. Y8 h Y% f- f; Y7 ` 每个存储区域都通过专用的寄存器进行配置(请参见 第 32.5.6 节 )。. h3 O6 K) N6 _ }- e+ Z % p! F. d/ `: O- u X0 S 存储器的可编程参数包括访问时序(请参见 表 189)和对等待管理的支持(用于在突发模式下访问 NOR Flash 和 PSRAM)。7 D- l- v3 \, N5 |* J1 D 7 T; B7 Z% ^6 h' U 05. 寄存器描述/ i1 [( p: O: X2 t* M 5.1 SRAM/NOR-Flash 片选控制寄存器 1…4 (FSMC_BCR1…4) ~8 t3 d) @, J6 A, M1 ~ @ SRAM/NOR-Flash chip-select control registers 1…4 偏移地址:0xA000 0000 + 8 * (x — 1),x = 1…4 复位值:0x0000 30DX: P @7 ^0 }; A6 w 该寄存器包含每个存储区域的控制信息,用于 SRAM、ROM 和异步或突发 NOR Flash。 , k# T- s( C( L ![]() 5.2 SRAM/NOR-Flash 片选时序寄存器 1…4 (FSMC_BTR1…4) SRAM/NOR-Flash chip-select timing registers 1…48 v: c, e9 e2 u. [ 偏移地址:0xA000 0000 + 0x04 + 8 * (x — 1),x = 1…4$ ]# I5 x' H% s; g 复位值:0x0FFF FFFF 该寄存器包含每个存储区域的控制信息,用于 SRAM、ROM 和 NOR Flash。如果FSMC_BCRx 寄存器中的 EXTMOD 位置 1,该寄存器将和另外一个寄存器配合来配置写入和读取的时序参数。也就是说有 2 个寄存器可用:一个用于配置读取访问(此寄存器),另一个用于配置写入访问(FSMC_BWTRx 寄存器)。& B# d9 p! F( l$ d) A Y ![]() 5.3 SRAM/NOR-Flash 写入时序寄存器 1…4 (FSMC_BWTR1…4)" v5 e3 o% Y* {2 T' E3 ? {; W SRAM/NOR-Flash write timing registers 1…4 偏移地址:0xA000 0000 + 0x104 + 8 * (x — 1),x = 1…4 复位值:0x0FFF FFFF 该寄存器包含每个存储区域的控制信息,用于 SRAM、ROM 和 NOR Flash。当 FSMC_BCRx; F( `+ Y: D$ A! t( ]5 h/ F 寄存器中的 EXTMOD 位置 1 时,该寄存器将处于有效状态,可以进行写入访问。0 {8 a. q6 X" p- A: e ![]() ( {. d; z! b( @8 @% } , V0 a4 P- @& ~9 Z ' M/ K& H0 a$ b; o+ Z* e |
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