STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
0 c4 _! j, v  A, M( m* b2 A0 V
支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
8 r4 {  b- r+ D: L+ k4 G/ R( D8 n+ O增加对数据的校验和（Checksum）检查。
　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   
4. #define TITLE_KEY     1
   7 D* ?0 C- F3 ?$ e' D
5. #define POINT_KEY     2
   ( q, m" a5 \/ N$ I
6. 
     R8 P! [# D& \) g/ x
7. typedef struct {
   ' c# P( g" _) X! B. u/ z% D1 ~
8.     float x;
   4 ~3 Q/ n  B; o1 a
9.     float y;
   - I3 y" s- ^5 K0 p6 y) j
10.     float z;
    
11. } Point;
    0 _2 O4 g% d& f
12. 
    ' A0 k2 `* ?9 Q) J# Y8 K
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    
14. Point point;

复制代码

# ~# |/ L5 c1 W) C' h/ q, U执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：
9 ]1 T& U9 y9 ^7 G% _, s

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   + s8 V, k: |2 z* w% n
3. FLASH_Unlock();
   8 Q+ D$ ^1 \6 [
4. 
   # P' g! Q. d: y3 Y4 g5 n; [
5. EE_Init();
   8 |$ D& W: u* W) ~4 W. T: _
6. 
   + _  B" h) K1 n- T* d3 \- ?
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   0 |; }- J9 u! k1 D: p
9. 
   # x% \4 n: e' X, R3 G. R, u2 P
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    5 |7 z! |+ ]2 ~/ @
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

复制代码

实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

8 ~  E+ M) h+ Q0 e