一、存储器映射

       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

! E+ [' }3 \! B% j8 i2 `& H/ w+ F9 x: f       2、小端格式

       3、映像（stm32f107,256KB产品）


; B5 ]7 G9 y% a6 \ 可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：
. m2 n; L; y7 y! k& z& W; j

' S- X# r# r5 ?' z# S; ~
介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。

地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图

/ A* ]# P0 F. h1 p5 j) ~6 m

option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

1 Y3 u1 ~  r# o
1 W9 D3 Q5 ]9 Q+ i& D8 x选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
" S# _2 A% a8 a
二、复位

CM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
4 w$ k) A' j2 Q5 |5 _; P
stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
1 Q# G% `' d- n/ O, ]/ e
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）

4 Q! N) x7 S5 a$ x+ J+ j三、flash读写
2 ]6 l+ c1 x6 W; T( j9 _6 T+ Y
( \, ]9 C: K% ?: m0 ]/ ~

1. void flashwrite(u16 data)
   % ?" t( ^5 v! n; j- D" o
2. {
   ' x/ u$ g4 O) g' I8 q# e
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   ! Z; y) X  }- z  W8 c8 q) ?- c
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   2 {* l( E0 _; L9 f3 Q* V
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   . J8 Q) o! X) L
9. 
   
10. 
    $ o9 m3 g6 F1 ]. d
11. FLASH_Lock();
    " Y) l2 Q/ H' n1 }" E) l
12. }
    5 S% b( g9 A4 m/ T# F, R+ h4 B
13. 
    ! T: [7 z8 [1 ~7 c; r3 _
14. void flashread()
    
15. {
    - t& b- O: f8 a+ _" K
16. FLASH_Unlock();
    
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    ' q! h* z0 ]1 i
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    7 S  O$ V4 {) D- R) J, t  N5 l
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    
23. 
    
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

) n8 i4 B7 ]$ P* e7 @7 ?没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

/ ?4 r# b, ?. W+ |flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
' [8 M. R6 `' F. l% D/ {



( w$ n3 E/ ]. z9 H$ Q