一、存储器映射

8 u0 b( i/ F; t+ t/ Q       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。
7 x+ c" K* V5 H+ A
$ e+ k/ o# W" o, q: l& |       2、小端格式

. Y! J  j) C3 Z- G: S       3、映像（stm32f107,256KB产品）

: W+ o$ P% D- ]) B6 [; n
; r6 m3 J- j% y" F4 t 可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：

介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
! H* w! T, e( W# l0 c+ _" D9 c+ }
地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
8 M4 ^$ I3 s) @6 p

' l. T' u$ I0 U
0 y. }& \9 H& q) Roption bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
% p2 q( B& x/ M7 |; y4 U' {
二、复位

9 X* q, @- n6 P* gCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。

stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。
2 N9 X  K( `" U0 E# L8 o* o) n* U
前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
! ?3 y# l1 @4 F- d" y
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）

三、flash读写

/ r; Q0 _& I; z! t' F, x

1. void flashwrite(u16 data)
   8 c+ x  n; a: t- p4 N- Z$ y
2. {
   7 Q2 ~' q6 U0 Y
3. FLASH_Unlock();
   / K4 d# l3 e+ n" {
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   , H0 V# f  j  C7 X+ F% Q  R$ e: T8 I
9. 
   
10. 
    
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    
13. 
    
14. void flashread()
    & U6 v$ L- t/ Q& a* |8 m
15. {
    + U6 T- a$ k9 o* @6 [6 u! _* t/ s
16. FLASH_Unlock();
    
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    % J! J- }) j3 q" v7 V( v
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    
23. 
    1 f+ s6 j; `8 X- t- ?. w( i
24. FLASH_Lock();
    7 a5 W2 `" c& C* R, A
25. }

复制代码

1 u0 S9 |6 {, ]. R! X没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
5 K9 f$ n  o% S- a5 e  C/ z7 e% I  b8 G

+ W: [1 l4 u/ v2 k$ [; u1 ?3 \, H1 I
- k: x" E: ?+ ^" y# ~
8 z4 P( }; f2 d# E