一、存储器映射

       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

       2、小端格式
6 E& `- i0 r+ ~! J# k/ |7 z  p
       3、映像（stm32f107,256KB产品）
* Q; l" V+ q  t0 d- x8 g

可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：

0 P) J5 j8 f: l0 g, I

介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
$ r& S7 W: C$ {' x
地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图

, B2 p) i: ?2 q
( X; g/ K5 d7 ~. eoption bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图
( ^0 Z: T; W9 }0 Q4 j
+ C( @. `1 d, v. @

选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。

二、复位

& P+ r! u* |# a; {  bCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。

stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。
7 t$ I' i/ r) F+ C! r# y
2 X* S+ P- v* M2 E! ~前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）
3 V+ G# c( ^9 N- h  Z6 C. Z& F& e/ |
          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
! w* y0 o3 Q* ^9 h/ D/ [
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
; o, _: ]: K0 h4 S
三、flash读写

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   
3. FLASH_Unlock();
   # D& B" b4 d4 I  K7 o
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   # t1 y7 B% q0 k& B; b
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   ( \" X, k! b  y" C" S
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   . S; H; ~4 s& j' n0 s* C) t
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   
10. 
    
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    , b+ y/ ~1 S4 @$ z1 N
13. 
    
14. void flashread()
    
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    $ ?6 A) @% e9 ]+ O2 d
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
      K/ P& @5 c% I3 l4 l
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
      \2 J! g, I! R/ S1 E/ ]5 l
22. 
    ; Z6 F/ I8 o1 }- _5 G5 r
23. 
    % S; t* |$ P7 v; z; [0 W
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

. X5 @+ C" h* S. B- k. R. T+ t
没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

; R. G( ?' D2 r9 q$ y0 n/ Tflash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
  M; `# x  T0 i0 D9 A9 E
/ a( X+ S& K$ `9 q; `2 ^/ j