一、存储器映射

( O% Y7 k: _4 {       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

3 z/ i; C% e/ D" v$ }- B       2、小端格式

       3、映像（stm32f107,256KB产品）
& Z) N  c  B5 `, M) S; j! ~

3 l# e0 n: F/ J" }" E$ m! K 可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：
; e. N4 z5 _& }. u% H) j; I' `

" k' s5 i# Y- B  v' J
介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
! e4 U4 D0 I3 O, L
. x) s! z9 x" [* A地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图

option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
2 d4 m# S% J  t! x. ^' G再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图
, a' H9 W( s. Z9 H
% m/ c8 j) b+ L, @

5 L$ k1 c' X! ]. |; ?, e5 `
选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
5 e, z: F" o; x4 ~
, r  V5 M. e$ j# G6 Z& q二、复位

  V9 ~% T1 B8 e/ aCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。

stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。
+ l- N4 g6 H" g3 D& _+ p
前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）
6 g' C  L$ I! i9 U
          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
. A' @: U" I5 ]. I0 F
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
$ j6 Z: h4 Z2 S$ c7 G
三、flash读写

1. void flashwrite(u16 data)
   4 u. ^9 R! D8 x! l+ T  l% [6 A
2. {
   " P. u% `+ q. P; _5 t0 q* M
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   ' H6 n& r! J" c4 L
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   % H2 e+ I4 |* f; x  H& P
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   
10. 
    
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    & X! W: o# ^" Q
13. 
    ; ]( q: _; l6 c* ^
14. void flashread()
    , N2 {' p' A- h- B7 H. f8 H& u& K
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    ( E8 \9 u' \1 n& J! I. H. ~* r
22. 
    : o% Q9 X- _- |# c
23. 
    * y( c1 ^& o+ D3 ^' B# @
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失


) l' w* g. y/ c7 T5 O2 c- {