一、存储器映射
+ P3 I$ ?$ |- N/ k
       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。
7 K7 c6 s8 H9 H' y! i
       2、小端格式
: D- H1 C  a6 x
       3、映像（stm32f107,256KB产品）
/ i4 J: G* I1 B1 |7 E

可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：
) a" \5 l7 F, n; Z1 |

  S: I: j7 j+ w- M+ m3 x" T3 d# t
介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。

地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
" X  a7 L" e+ R1 z
# U3 W/ v* j/ c; P# s- y1 G

) m! V8 K4 P! G/ r  {7 g# h
option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
2 e2 h2 Z3 x, U4 G$ r/ a再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

/ e* l9 i+ N( }4 s+ t; a5 P1 K

% P% l) o  R$ r: W3 t! C+ R选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
9 l/ j; Q/ ^+ |3 J2 k
二、复位

4 S  F! E/ \( w1 F/ QCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
' p1 h6 z% w) v
stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

* E5 @1 c/ B" O- l* V. k          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。

          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
2 g% T/ y. O; n3 S# I: f: e4 v: D& z
三、flash读写
  Q& y& S7 g7 L/ |' Q

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   ; ]7 Q4 m3 j0 L$ \7 b5 z
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   ' x9 ~5 J' J3 u; O
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   2 N# i9 g: a( n
10. 
    
11. FLASH_Lock();
    0 N5 c( a5 A$ D3 L" y+ ]" c
12. }
    
13. 
    ) E/ ^9 [# ~+ A2 C# j. Z7 Y
14. void flashread()
    
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    : r6 `# K1 r8 C( J. l2 j
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    2 A; ?# ^/ D. Q7 j% p
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    * ?1 F, ^, w- \) G' z+ K5 ]- d5 D
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    0 A5 @: n: r0 ^6 z  t1 b; }5 t
23. 
    , q8 }" E0 F' u: N
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

# K# s( ~) O2 _0 ?, H9 V没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
1 K1 K. n, Z) O2 G4 c' H
* I9 {6 B, q& p; J9 i/ t8 r7 I
! p! E2 @! m4 B
5 h3 K6 S0 ~$ I  i5 l, |
) ?2 T8 g" }' c' t; A+ @7 ^