一、存储器映射

. d5 K* F2 X" z1 {( V- a$ a4 c       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。
3 }4 b- L7 P9 z1 [& h7 J
2 e9 J' h2 r1 b. U$ R& \+ p       2、小端格式

       3、映像（stm32f107,256KB产品）
. @' Z  e5 |4 \! F$ K6 f
  O) S. F& F2 {. V6 Z" S
可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：

, B) u* E6 @  w' B2 j# S

9 }" @' N+ v" ?' J* R
5 m9 V9 U& s6 @+ Z介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
9 F& R3 S& I$ x# q) N- l
地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
& Q) f3 ^9 ?" a8 }! q& T6 l
2 K4 Z; c* ~  c: f

, x3 G' h4 A* s. u/ qoption bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
* [0 s4 }) Q$ {  u8 _+ K再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

* j7 L6 Y6 u1 u4 q# _

' ^: O" Y. L) |  t  u' k
$ _% P: _4 i4 X3 t选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
0 q' A7 ~) K" R5 \" v
二、复位

& W- W1 t5 ~# w3 XCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
& I8 \* {3 N6 S: n5 L
stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

$ ?( s. @: Z: E! g8 O' Q8 s6 L          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
) l9 s5 b' S6 C2 V2 _$ @0 p! J
: a6 W1 `: i6 P% @7 t& r6 |) e          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）

3 {1 a& \# W8 L. U7 T/ [# D# d三、flash读写

1 E* Z  w* x& p, R! y& ]5 d

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   
3. FLASH_Unlock();
   ! Z( A! T  z. L& T! S
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   7 G0 l0 S* e6 J% X  ?! M
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   & N% o# |$ s/ j2 r- y$ x2 e
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   + w( Y, w, [1 p6 M8 W6 A0 h
10. 
    + d" _. K7 V. [
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    
13. 
    
14. void flashread()
    ! ^  l# O6 q8 r9 z8 Z3 }# W' R
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    # Y- Z$ a! @( o  P3 y6 ~; a
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    ) `6 v8 I% M) k) }& }
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    / u" ]% ]7 q5 h5 |
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    
23. 
    
24. FLASH_Lock();
    3 I2 k) l! r+ `; w6 C
25. }

复制代码

) W4 J2 h3 n& [! {+ E没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。
' j+ u: b6 F& J, V' l3 A& e/ ?6 i5 @
flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
7 N+ |. T* Z) X$ U! ]( x  w

( N+ T' b7 Y: J4 m/ U  I1 m- m/ a