一、存储器映射
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       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

/ f( n8 O# P* Y4 `' L# |8 v       2、小端格式

! P  e% B: x4 ?$ O$ a       3、映像（stm32f107,256KB产品）
) }# ~' L( K8 D7 E: a
& E- s( h; v, H, Q7 y
可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：

- V  ?' V2 Z% C1 L! j7 W/ s& n& m( u
介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
2 ~, t, X4 ~- R0 [" C; \' y' V  T
地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
& ~; V* H; N  U. k) g& l

) j) U  d* Z7 @* D
; B$ S0 R4 O5 u& U; y4 _option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图
5 _% ]7 k/ Z5 [: E! p; G' D" g* ?; q5 A
7 Z  M, S" V5 L( Z1 \* V( c

选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。
) _7 l$ f) n; o/ x& ]
# s9 K! i- M) S, b6 U二、复位

& d$ O% x  ^3 }/ P1 j+ KCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
. `$ j4 V2 U% t% t+ f
4 K8 R. T, l  ?3 Hstm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

6 a  c  @. `" k) G前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）
6 J! g, r# b  V. ^; O( Q3 D! F8 T
0 Z7 m! R4 S8 n; |; O2 ]1 O          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
' m0 m) F1 \+ d: {) v/ O% D
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
( m1 ]) r8 [2 M5 V
$ `+ ]; |5 m% @2 e- j) r" U: F- E6 T. i三、flash读写

$ L- A/ A  N8 b. |$ _

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   
3. FLASH_Unlock();
   & s3 |; m! w( c4 {; |; i- J1 S: K
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   5 f. C  s0 t* e  w4 d
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   ) R. b8 h" h. z* x, R. y" _' ~' {& Q
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   & j+ ~' s8 e1 F/ F
9. 
   
10. 
    4 k& i; C1 F# L4 F
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    
13. 
    , R" T) t: a2 x$ x/ E
14. void flashread()
    
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    3 h  A$ n' e; ?0 _) T" [
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    - r! T2 q( S: O
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    " ~# [/ j- h3 m; C0 k( @
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    - Y$ f% a# [5 s
23. 
    
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

/ V/ _3 z* X" E8 w没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

. b, y9 E2 E% \, K3 S$ }flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失

$ q* G0 V; w6 ?, x  N" O

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