一、存储器映射
% p4 ^8 _" l' u: ^  ^
; B) c$ g1 J8 I       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。
* x( a# h9 Y  Q: A; K) O
       2、小端格式
% u6 @. P$ u5 Y$ K9 c4 V' t
  `9 |: v' F# I# P       3、映像（stm32f107,256KB产品）

) V+ p; |. u0 ]  D
* |2 J) }8 w( u; y' |8 |" ~9 j 可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：
: A5 O4 \9 x$ B; C$ ?

介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。

; r& X$ A3 W. L7 H. y/ V  W. ^地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
. r) I$ }1 b1 h
1 w  V! E1 K: M3 E

option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
0 l! c- t8 y/ W0 C' ^% }再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。

; E1 b5 ^% Z' M& z二、复位
) I# Z) W5 U7 h3 _# G* Z' n
" y. d& s. P* N/ J- [6 G, c/ [1 KCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
+ K9 F; l. W- q1 F* K
stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）
1 a( S. v/ ~, ]( ]/ W& Q' k
2 u# P; I7 G( G3 t6 C* K          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
6 R& H" m7 s$ R; ^5 k$ d2 ^, g5 T
. k% {% w& s- P* Y5 c          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）

+ i- n$ N" p, y7 r2 H三、flash读写
" [: E: Y) J9 D* Y4 V! A

1. void flashwrite(u16 data)
   3 V/ y6 U8 i4 N5 V5 j+ ^$ V
2. {
   % S$ `; I5 W3 q0 s# d$ |& @" u
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   * J$ c! M1 N8 A; w  |
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   % [2 y8 J7 d5 m& m# Q
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   7 _; O, f2 D( ~7 u4 Q0 |1 w
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   ( l  }) n% b, w+ b7 e
10. 
    
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    ( S# I& @6 w8 w' {6 p
13. 
    9 {" w8 |1 r0 h/ [& D: g
14. void flashread()
    
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    " u% z. n/ W- J8 Y8 Z# g
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    * |: J7 B6 r4 L' l* q1 {
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    " B0 D( @. a6 ^2 V" t
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    ! _9 w6 ~( Y" `) h, [
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    4 u- r, l1 Z  |
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    & G" U+ @( q$ w) H, I
22. 
    
23. 
    
24. FLASH_Lock();
    / C% m9 E8 F; S2 f
25. }

复制代码

1 q7 ?: V. s5 z, A6 m5 L" p没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。
8 T% x5 @0 C9 ]
2 K; X; Z0 K2 G1 Pflash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
* j4 _. O/ p* S6 W



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