49.1 初学者重要提示
6 s, ]" u b: }3 F( i/ H 学习本章节前,务必优先学习第47章,需要对FMC的基础知识和HAL库的几个常用API有个认识。
, V4 w9 o( U/ b: f. U* z9 S 学习SDRAM前搞清楚两个问题,一个是SDRAM的基本原理,还有一个就是那几个关键的参数,参数是STM32H7配置SDRAM的关键。这几个参数大概了解是什么意思即可,配置的时候,根据SDRAM的手册配置一下就完成了。1 J& w3 E0 ]1 Y* }) P& p
4 f/ c+ r! D, `8 v7 [( M1 K
49.2 SDRAM硬件设计
2 g0 s% A( P4 A' FSDRAM的硬件设计如下:4 a2 U5 \1 V2 @) `" A5 v, S6 t
2 N/ _: b- _- e/ `
; Q* j8 l& g- z
9 g, v" t9 P0 h% d7 c
通过这个硬件设计我们要了解到以下几点知识:
; V" V5 n4 I+ k9 A, ?0 a+ @7 |; u' ?2 {# L1 z% R% ~
STM32H7采用的32位FMC接口驱动ISSI的SDRAM,型号IS42S32800G-6BLI,最高支持166MHz的时钟,容量32MB。
9 k" |+ z2 \, F6 l+ R 标准的SDRAM一般都是4个BANK,这个芯片也不例外,芯片的总容量:/ i0 S) B! O; @: M- n
/ J/ A; a8 N% g& F" ?0 K
2Mbit x 32bit x 4bank = 268,435,456bits = 256Mbit 。
" J* d+ [) T2 V0 J" |' S4 v* |; x$ q; b6 y; v( F
每个BANK由 4096rows x 512columns x 32bits组成。
4 M7 p2 X( P$ p9 y; b
, ]$ X. s" A. Y* E3 v4 a! J这个比较重要,配置的时候要用到,也就是12行9列。5 I8 N8 F6 x& q4 H
片选采用的SDNE0,那么SDRAM的首地址是0xC000 000,控制32MB的空间。3 L0 W4 U1 e/ z9 e% V6 V% m1 Q
用到引脚所代表的含义:" o7 E% p+ M8 G' @: y! R1 \/ y
1 P* f# b$ d ?% W1 m
% T+ L/ d4 l# N) v5 ]3 P- D4 b1 r5 O8 n
了解这些知识就够了,剩下就是软件配置时的参数设置。- p" G, R M% q0 E B
$ f( I7 m' o2 f3 B' N* W4 x3 K
49.3 SDRAM驱动设计
& N3 B& t+ Q; n# n% u下面将程序设计中的相关问题逐一为大家做个说明。 ]: B7 q4 S2 b: o) ]
% r5 r5 c$ w: r0 y) J- f
49.3.1 第1步,配置SDRAM的几个重要参数
6 c5 u t+ }( B1 \. sSTM32H7把这几个关键的参数做到了一个寄存器里面了,这些参数,手册上面有一些说明,但比较的笼统。9 s6 J, `' y. l* |8 y; O+ z' a
. b, \- i# ^2 f) ~6 ~" X: ~# F
. Y$ v* j, n0 N7 X. Y S
0 }, Y1 h, D6 m1 P3 ^0 j8 b注:更多的参数介绍可以看本章初学者重要提示部分推荐的文档《高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版》。
5 z: @( ^9 E1 @/ G( K0 F) J: x5 e# w
2 x, o- a% |( R/ Q tRCD(TRCD):$ [% i2 x+ C- e
在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔,这个间隔被定义为tRCD,即RAS to CASDelay(RAS至CAS延迟),大家也可以理解为行选通周期,这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间(从一种状态到另一种状态变化的过程)所制定的延迟。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数,广义的tRCD以时钟周期数为单位,比如tRCD=2,就代表延迟周期为两个时钟周期。具体到确切的时间,则要根据时钟频率而定,对于STM32H7驱动SDRAM,采用的200MHz,实际使用要做2分频,即100MHz,那么我们设置tRCD=2,就代表20ns的延迟。
, S* U5 O, e3 y) _' t3 {0 x; L5 J+ \' l
CL(CAS Latency):) O( ?; T/ S/ s- N+ I
在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通过数据I/O通道(DQ)输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL(CAS Latency,CAS潜伏期)。由于CL只在读取时出现,所以CL又被称为读取潜伏期(RL,Read Latency)。CL的单位与tRCD一样,为时钟周期数,具体耗时由时钟频率决定。数据写入的操作也是在tRCD之后进行,但此时没有了CL(记住,CL只出现在读取操作中)。$ g6 [0 X& k$ Y+ R
/ @2 }$ p7 C. z% Y
tWR(TWR):
. Q+ Q% v% v7 w+ H6 ~& m数据并不是即时地写入存储电容,因为选通三极管(就如读取时一样)与电容的充电必须要有一段时间,所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入,都会留出足够的写入/校正时间(tWR,WriteRecovery Time),这个操作也被称作写回(Write Back)。/ N- p- d$ H0 w+ Z4 |& G
3 [, I+ m8 ]& D' }; |5 t4 l" w tRP(TRP):2 E4 Q6 h) i# [. j4 L
在发出预充电命令之后,要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行,这个间隔被称为tRP(Precharge command Period,预充电有效周期)。和tRCD、CL一样,tRP的单位也是时钟周期数,具体值视时钟频率而定。
$ n4 f7 O- I+ e) t$ z( j8 [7 W+ Y& {; j
( C; H* B9 f: ^! G: K1 O49.3.2 第2步,FMC时钟源选择
- t3 j+ Q1 X6 T4 f使用FMC可以选择如下几种时钟源HCLK3,PLL1Q,PLL2R和PER_CK:5 Q3 L; j+ n# d
) p; M) |) t" m7 u6 T8 @! M! E/ m4 C# q) D. ?
0 d% d& m$ i& H( e3 A1 l/ j
我们这里直接使用HCLK3,配置STM32H7的主频为400MHz的时候,HCLK3输出的200MHz,这个速度是FMC支持的最高时钟,正好用于这里:& T# z, t( t. m: l6 }
7 L" `& s) I' [
1 Y7 U8 I, n! `8 p6 S7 Y' @. W9 T' Z7 |; I3 W- c) ], j' l2 ^
FMC驱动SDRAM的话,必须对FMC的时钟做2分频或者3分频,而且仅支持这两种分频方式,也就是说,SDRAM时钟可以选择200MHz/2 = 100MHz,或者200MHz/3 = 66MHz。+ u+ X9 j* G1 y3 y; F
) s3 v6 k- L1 I& W
49.3.3 第3步,SDRAM时序参数配置. n9 X1 w2 @! b! [! _
SDRAM的时序配置主要是下面几个参数,FMC时钟是200MHz,驱动SDRAM做了2分频,也就是100MHz,一个SDRAM时钟周期就是10ns,下面参数的单位都是10ns:- SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;
- Y! k9 a+ E7 ?) K7 F$ N - SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;8 U. u4 f* v- {) \
- SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4;
! H! c; _: l3 z' O# @4 B1 w - SDRAM_Timing.RowCycleDelay = 7;9 g& P& x; J7 c4 B( Q# H9 H8 y
- SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2;
) X2 O, m V* \# d+ x6 P - SDRAM_Timing.RPDelay = 2;
' n0 }& R; U' C5 g! J( I - SDRAM_Timing.RCDDelay = 2;
复制代码 # o+ j! C( v4 {: F8 g9 @2 m
下面就把这几个参数逐一为大家做个说明:
! X& m f& @% Z6 ]$ ], Y4 `6 R$ Y7 D$ a+ G5 b* {3 w
TMRD
) l% f6 X: u( Z1 USDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;( l. T. Z0 ~# f; {
. n4 ]; Y! L+ sTMRD定义加载模式寄存器的命令与激活命令或刷新命令之间的延迟。SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TMRD=2就是12ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TMRD = 1时是10ns,超出了性能范围,TMRD=2时是20ns,所以这里取值2。
2 N/ R, B7 @6 J' {8 p( f6 J' Z) T$ Y7 u5 m! o
/ n1 a% q9 o" ] d' E7 Q
' T7 h6 @+ q/ Z& x$ c
TXSR
& Q( P6 L! \; G+ D6 KSDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;" `$ |. L7 i: X1 |" d ~
7 _$ M2 v' r% _8 z* p; L
TXSR定义从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟。不管那种SDRAM速度等级,此参数都是需要70ns,实际驱动SDRAM是用的100MHz,TXSR = 7时正好是70ns。4 i+ g4 }8 U/ E% e8 b6 v
, ~9 U3 _" s- P
9 o# w* }9 ~: B: R5 C' o0 g0 L1 y
0 s g% x: V5 B: R" P& C8 c
TRAS. k1 G2 x k2 ~5 t
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4;
/ r/ ]" z! u$ S0 @1 F/ N& L% g
TRAS定义最短的自刷新周期。SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TRAS=7就是42ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TRAS = 4时是40ns,保险起见这里可以设置TRAS=5,实际测试40ns也是稳定的。
; E" G2 ~! b! S
: t' B- ]3 _6 p- p; e8 Q3 c* `4 t1 a3 S. n. h
. f: l; e2 C1 i- A4 _. r
TRC
a" o6 |3 ~; P" o/ oSDRAM_Timing.RowCycleDelay = 7;+ W! q5 V; M& F/ ^6 r
% f$ Z2 ~0 a/ d4 r# |1 v7 J
TRC定义刷新命令和激活命令之间的延迟。SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TRC=10就是60ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TRAS = 7时是70ns,设置TRC=6也是可以的,不过保险起见,设置TRAS=7。
+ K4 F& x3 ]' f% E% l4 z
. A1 f* s! U% \2 V
5 @9 w$ f9 T/ W7 M" v: m
: F9 s; C' t) { TWR
+ G5 Y: w/ c& Y$ x! oSDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2;. ]9 W+ E- p+ A4 N8 t
' T" q6 Y* y) j* y, N* y( |TWR定义在写命令和预充电命令之间的延迟。SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数(TWR等效于TDPL),V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TWR/TDPL=2就是12ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TWR/TDPL = 1时是10ns,超出了性能访问。设置TWR/TDPL =2时是20ns,所以这里取值2。
6 Z+ W5 y% O+ P y3 g9 T' a3 ]+ f; j6 P6 M6 E
/ ]% G5 C- H: s6 Y/ w' ]$ ?
, E) v. }3 M$ p$ ?' J5 ] TRP
1 `! \# @0 e- O( E# A* u0 @SDRAM_Timing.RPDelay = 2;' W& Z: q6 s- g
. F0 U; u5 O( Q% |7 S @8 ] |
TRP定义预充电命令与其它命令之间的延迟。SDRAM手册上提供四种速度等级的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TRP =3就是18ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TRP = 2时是20ns,满足要求。
8 _5 S9 N3 E4 {2 Q6 e0 [# g1 {% z* M* U9 f( R
a2 L1 {7 y( e( q3 ^$ H" Z
, x5 z/ ]( u$ N9 J3 n# \0 p& S TRCD7 r+ J/ @+ [( I2 |2 V: A" j. {3 h
SDRAM_Timing.RCDDelay = 2;
0 f- ?+ Z5 C4 D1 b/ B: m; L6 O$ x3 }: S z: ?8 ]
TRCD定义激活命令与读/写命令之间的延迟。SDRAM手册上提供四种速度等级的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TRCD =3就是18ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TRCD = 2时是20ns,满足要求。
t1 G. }- r( W' e0 W3 z
5 d4 X7 a6 j: j
% y2 T* [: V7 H' }7 i8 n: V
. W' B; A$ s# D9 J6 k8 v) ?: o* v49.3.4 第4步,SDRAM基本参数配置! p; b# G: ?; i& m. L
SDRAM的基本参数配置如下:
( p& M2 A2 \- e0 q7 Q1 j l- c: y) H% b
- 1. hsdram.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;( F, Q; V7 R8 A t: _7 Z
- 2. hsdram.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;, W" d5 r( q m& \8 n& [6 @
- 3. hsdram.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12; q- Z/ v6 ~7 Q# M! j
- 4. hsdram.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32; 4 f, R' I, K" O: F
- 5. hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;% B$ U4 w* F3 P% m. t, P
- 6. hsdram.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
* F' K1 [2 T, g4 x) R8 e - 7. hsdram.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
1 L N0 m* f, G6 ?" L b6 p8 z - 8. hsdram.Init.SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD;6 ?. Z1 M7 f# X& k) r& ^
- 9. hsdram.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
# e, e" @' m* h# L: h4 Z- I8 K - 10. hsdram.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0;
复制代码
' n) R4 G# e7 |* p+ | 第1行:硬件设计上用的BANK1。% c+ L, o% u) T: Z( u0 Y
第2-3行:ISSI的SDRAM,型号IS42S32800G-6BLI,12行9列。1 K* @$ E7 m& C% P( c
第4行:SDRAM的带宽是32位。+ ?9 p$ e7 E N& f0 {3 i
第5行:SDRAM有4个BANK。
0 ^* h, M: c8 b9 V8 ]3 W$ K8 u2 |+ ^ 第6行:CAS Latency可以设置Latency1,Latency2和Latency3,实际测试Latency3稳定。, Z2 E+ X7 A: G: B. x
第7行:关闭写保护。; u# } W. C. m- ]- e
第8行:设置FMC做2分频输出给SDRAM,即200MHz做2分频,SDRAM的时钟是100MHz。
6 H4 M( @( f0 _! F' y( P6 j这里的SDCLOCK_PERIOD是个宏定义:3 Z' K) p/ S- B! {. R1 c
/ L( X% r# X x4 T4 ?
#define SDCLOCK_PERIOD FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2
& O! J4 C6 t" L; i$ Z0 K" J/ {( \( h. L
第9行:使能读突发。0 k; ?7 |9 z; O4 O" t
第10行:此位定义CAS延时后延后多少个SDRAM时钟周期读取数据,实际测此位可以设置无需延迟。3 Q; [" a1 V, ?+ V& X- [
; }+ E3 F9 x3 s( Z1 i. p4 P
49.3.5 第5步,SDRAM初始化
& z9 f% l) P7 ~3 R0 [& oSDRAM的初始化如下:8 J, U; B8 @% b% [0 A) s
$ D. W$ K5 {7 T$ ^4 U
- 1. /* I+ p3 G+ ?- m
- 2. ******************************************************************************************************
$ T+ B% U, i. H% c' Q# i+ b - 3. * 函 数 名: SDRAM初始化序列$ B! C9 @# U1 l3 |/ N
- 4. * 功能说明: 完成SDRAM序列初始化5 R% z) d; Z2 } O8 U9 d
- 5. * 形 参: hsdram: SDRAM句柄3 z; H8 V0 o( j
- 6. * Command: 命令结构体指针
" U5 @% t9 j$ z% h - 7. * 返 回 值: None
. f8 l8 g, g2 H# d& y8 h: s( [ - 8. ******************************************************************************************************
t8 T! i- n" f1 X; p# U+ o - 9. */2 N& \, \, |" C
- 10. static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram, * Y5 A* p X: N% Z$ k
- 11. FMC_SDRAM_CommandTypeDef *Command)7 \: N/ `! j3 }$ }- V2 z
- 12. {
0 g# [: \3 u b' m. p! j! Q - 13. __IO uint32_t tmpmrd =0;
& h* C! w5 b9 m, a- y- y" Y' n - 14.
' `5 s; r8 [5 {7 B6 T: M& @, K8 x - 15. /*##-1- 时钟使能命令 ##################################################*/% a3 M6 L, L0 W/ C$ Z
- 16. Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;1 H: c9 V5 \; n- e* K1 T
- 17. Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;;/ Q- |2 j% d0 q
- 18. Command->AutoRefreshNumber = 1;
8 @( _* l% |$ b+ L) t$ o" u! u - 19. Command->ModeRegisterDefinition = 0;
' P$ D( M7 z& s: ^7 q- ` - 20. 5 K. {2 V) P0 B6 e A' u3 [# F7 V
- 21. /* 发送命令 */3 b2 K. j3 y2 { N
- 22. HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);! g( R! h+ X) `$ X) z. `1 @
- 23.
4 w1 I6 u1 y1 t, I$ K3 m2 N - 24. /*##-2- 插入延迟,至少100us ##################################################*/
( @0 x" V% P4 M. Q4 j - 25. HAL_Delay(1);, h3 W9 e+ l8 ]
- 26.
. e# [6 z% ~. y# ? - 27. /*##-3- 整个SDRAM预充电命令,PALL(precharge all) #############################*/
4 j" A& h0 U- d! O( s. Q; S' Y- V5 C - 28. Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;4 k/ ]7 ^8 |( |
- 29. Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;! z c. y; j: E) `
- 30. Command->AutoRefreshNumber = 1;% r8 l; a/ j" f) X9 @" p
- 31. Command->ModeRegisterDefinition = 0;
% f$ X* M' q0 c/ e - 32.
& R( K& ^( J& c4 f6 B$ _! o8 z3 c - 33. /* 发送命令 */
3 F+ d5 X% M& o# n7 l* A3 y - 34. HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
. @2 @- P7 K) ] - 35. 6 B* d9 u4 u6 M g8 k0 ?# f: r
- 36. /*##-4- 自动刷新命令 #######################################################*/; C4 `5 }, G I$ o
- 37. Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
5 [7 P3 ]5 o" Y. O# m9 h: u. f - 38. Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
' |) R* h- c1 T - 39. Command->AutoRefreshNumber = 8;
1 X5 C' m5 K$ P6 G# k - 40. Command->ModeRegisterDefinition = 0;
8 |; T0 x M9 Q# w - 41. ( U# ^; }! I( d7 l
- 42. /* 发送命令 */
0 Q* p, L- E; {; t - 43. HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);
$ @9 @6 P' Q' R. q5 \ - 44. # F4 r) X8 g& G
- 45. /*##-5- 配置SDRAM模式寄存器 ###############################################*/$ {+ X1 r9 s( D4 }) S5 x. d6 z8 F+ M0 P% T
- 46. tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 |3 J, I5 M" a, C7 E7 Y* L. _) b
- 47. SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL |0 K' A$ w/ @' Z0 `3 ~0 ?* [
- 48. SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 |
1 W" F9 n0 A) z$ o0 y - 49. SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |" N% F) z* b3 F! C1 A( s0 J* ~
- 50. SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;8 g5 |) B$ Z3 }9 M- F: |+ s6 P
- 51. 1 N; T! a) Z* R8 y( h) e" A
- 52. Command->CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;8 p2 m$ j1 B5 J! y5 u* S6 r
- 53. Command->CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;. v; ?6 ]3 w; Q1 ^1 \/ V
- 54. Command->AutoRefreshNumber = 1;
, f, s/ {: n& d1 J% F _4 E - 55. Command->ModeRegisterDefinition = tmpmrd;
; R) _- r0 ~/ C8 X+ m+ l - 56.
, b/ H2 v8 P! z+ e& [ - 57. /* 发送命令 */
7 `4 l, E; d3 l1 g" f - 58. HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, SDRAM_TIMEOUT);2 n- e- C9 k1 j1 T3 ]' l& c
- 59. + I5 O- j- f4 ^: M* o
- 60. /*##-6- 设置自刷新率 ####################################################*/1 ]. H; b; t# n) v; f: K9 B
- 61. /*
, M0 g& [% J& B V' T - 62. SDRAM refresh period / Number of rows)*SDRAM时钟速度 – 203 q0 l: L' J8 T& J* _4 Z- @
- 63. = 64ms / 4096 *100MHz - 20: }* Z" X1 I( S
- 64. = 1542.5 取值1543
4 E! h: h# h9 p, k - 65. */
% ~. r4 W- r7 D+ T2 s; k! Q - 66. HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(hsdram, REFRESH_COUNT);
C; P0 {& q/ y2 l5 F$ r% w8 D! C - 67. }
复制代码
4 t2 X; ?( a8 @) ^; J这里把几个关键的地方阐释下:
5 [$ B4 b5 N/ b, Y% Q, r; s 第16 - 22行,发送时钟使能命令。8 t' G6 c; j3 F: ~
第25行,插入延迟,这个延迟是必不可少的,如果要自己移植的话,这个地方要特别注意。4 z+ [3 B+ a4 {, U# ?0 C' e4 w
第28 – 34行,发送整个SDRAM预充电命令。
/ k; P7 J8 ^4 x" i2 L0 p 第37 - 43行,发送自刷新命令。
! h( v$ A1 V/ w, x' n! u; F4 } s 第46 – 58行,配置SDRAM模式寄存器。. v1 _/ ~3 [. G U# Y
第66行,配置SDRAM的刷新率,关于刷新频率的数值是这么得到的。目前公认的标准是SDRAM中电容保存数据的上限是64ms,也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是:64ms /行数量。我们在看内存规格时,经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 RefreshCycles/64ms的标识,这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效,发送间隔也是随总行数而变化,4096行时为15.625μs,8192行时就为7.8125μs。
- [/ Y. H6 A1 N# J8 L* X7 e" o- EV7开发板使用的型号IS42S32800G-6BLI,自刷新规格是4K / 64ms,即4096/64ms。刷新一行需要15.625μs。
& Q) E& E: k2 f% N! y% _$ e a4 l7 {9 f
刷新计数 = (SDRAM refresh period / Number of rows)*SDRAM时钟速度 – 20# F. A. N( s- w- G) H5 M' W
8 w& L) Q& W9 Z& I" Y = (64ms / 4096)* 100MHz – 20
& }- C8 a& r y; d% A9 M" j3 m0 g2 U/ Z
= 1562.5 – 20/ q9 n& J: o) ?; h% d- A0 G3 q
; Z+ S& ]+ A$ b! L6 m2 n
= 1542.5 ,取值1543& a- g- C$ w E7 P
1 ~; m' n! L# U T2 U0 T实际上这个数值稍差点,在使用SDRAM时,基本都没有影响的。
9 I; l3 L/ U! e( L% n X1 o$ W9 C, B/ ]
$ ]% ?8 r! c4 `: O7 T
9 ^3 a! d0 R8 m注:截图里面的Com表示Commercial 商业级,而Ind表示Industrial工业级。V7用的是工业级的。
5 v3 k& w8 k7 g) y1 H% h% P9 w f/ |3 i- a
49.3.6 第6步,SDRAM使用! A0 D$ r& f# R
进行到这一步,已经可以像使用内部SRAM一样使用SDRAM了。除了本章节配套例子采用指针方式操作SDRAM,前面第26章的超方便使用方式和第27章的动态内存分配也非常推荐。) f+ e% |) s% U; `
, g: r* n+ b" `2 w2 t0 B
49.4 SDRAM板级支持包(bsp_fmc_sdram.c). Q% j4 E2 N+ ~. X7 D! L2 t
SDRAM驱动文件bsp_fmc_sdram.c提供了如下三个函数:5 ~% I+ ?. ?: ~2 o7 w, |
bsp_InitExtSDRAM
y8 G) Q8 R% r! p/ l' |5 L bsp_TestExtSDRAM1
1 T p9 _& j9 n" h" l6 ^ bsp_TestExtSDRAM2
, @0 Y% n3 N: E49.4.1 函数bsp_InitExtSDRAM1 R1 P5 X; }! P) Y3 o; Q! @* t
函数原型:
- l, k. K7 ]5 g& K5 n4 dvoid bsp_InitExtSDRAM(void): G8 {8 p2 @: e( I$ n6 l% [
/ Z3 c# _9 S- C; i函数描述:
+ v- B6 s8 R7 Y1 t此函数用于初始化SDRAM,用到的GPIO、时钟和FMC的SDRAM控制器都已经进行了初始化,调用了此函数就可以像使用内部SRAM一样使用SDRAM了。0 p2 s$ V" [( ^) J3 v
5 f& T) P# x) S2 w. M注意事项:
- T$ E6 k, O# W8 Z6 |关于此函数的讲解在本章第3小节。
3 h% F `; a. M p8 o2 C
; g/ @8 X/ |' x1 v- S- G, `2 P4 P" p' [; x5 s
使用举例:+ W' ~$ j( T( t
作为初始化函数,直接在bsp.c文件的bsp_Init函数里面调用即可。0 J, ]9 R, m% t8 E' u; e8 `
; f3 F u, i* ~) s% m
49.4.2 函数bsp_TestExtSDRAM1
, q, T+ Q2 K V$ O- q% h函数原型:1 G3 T5 C! j' V
uint32_t bsp_TestExtSDRAM1(void)
. B2 Q5 {. q7 n5 ~! h2 o/ j
3 t% X6 X4 e. y+ @" r; X函数描述: R% ?2 j0 `- P- t/ P
此函数用于扫描测试外部SDRAM的全部单元,如果有错误会返回错误单元个数。
3 x0 F% V9 R$ D; s
8 o X5 S, G0 {) o函数参数:3 z9 t& `, n3 H) n, U3 U
返回值,返回0表示整个SDRAM测试通过,返回值大于0表示错误的单元个数。4 E5 B: ]2 l" }
( G" p4 I1 r: D) a' \. F6 U" t$ d6 p% L
使用举例:
: b9 h8 R% c$ P; \直接调用即可。$ L1 E% R7 C+ z/ W9 r2 C
. R4 @/ J8 s$ Z0 `6 c; L
49.4.3 函数bsp_TestExtSDRAM2
# ?, K$ M/ [& F4 R% L' ]函数原型:/ y l$ p/ P* X& R, e
uint32_t bsp_TestExtSDRAM2(void). m9 Q/ Q( L" l+ V7 H
( a( ^" N$ d; i2 E4 @& l函数描述:2 t# R6 ~% n& V5 H: S
此函数用于扫描测试外部SDRAM,不扫描前面4M字节的显存,如果有错误会返回错误单元个数。
+ g- H1 f5 Z3 k( s9 i+ |) s% v) ^% Q6 ~& S( o3 t" i
函数参数:
: r6 J1 j" z1 H! ]7 B 返回值,返回0表示整个SDRAM测试通过,返回值大于0表示错误的单元个数。- K" e7 ?- ^' X2 j, ^- G ?
使用举例:
_! a6 f* j4 L$ Q$ L4 d9 c直接调用即可。3 @$ s' @+ N# q9 w8 m3 I' b
* u' B' I9 f4 h4 ] R
49.5 SDRAM驱动移植和使用
* S' j# |8 X% [. Y, D( \6 u5 j" HSDRAM的驱动移植比较方便:; L" a5 m) l7 }+ x, P; k& S. Y
6 B& f2 n8 N1 p. c+ W/ a7 c% h
第1步:复制bsp_fmc_sdram.c和bsp_fmc_sram.h到自己的工程目录,并添加到工程里面。
! w) w. @! _* g0 c- m 第2步:这几个驱动文件主要用到HAL库的GPIO和FMC驱动文件,简单省事些可以添加所有HAL库.C源文件进来。
2 o: g8 q) g' Z& @% y 第3步,应用方法看本章节配套例子即可,另外就是根据自己所使用SDRAM的时序参数修改配置。7 A- B: J1 b1 R) D: \: b
* l; u; v1 }+ ?* ^6 P( {: E& ]49.6 实验例程设计框架6 Z0 P { {+ N7 Q3 c" W
通过程序设计框架,让大家先对配套例程有一个全面的认识,然后再理解细节,本次实验例程的设计框架如下:5 f& U5 n& I. p- e
* j' O2 e# I1 v8 Y1 x
. A5 t" G" J; `8 t
1 E7 P# D$ d5 B% l2 B4 ` 第1阶段,上电启动阶段:
$ g3 M# I: L, z% J R& c 这部分在第14章进行了详细说明。
4 Z3 o# W/ t7 u' { - D: C1 V* D) q v+ c2 H
第2阶段,进入main函数:6 l; v5 v& N s
第1步,硬件初始化,主要是MPU,Cache,HAL库,系统时钟,滴答定时器,LED和串口。
$ d9 j& m' e" V2 p, Z6 \& s 第2步,SDRAM的读写性能测试。3 {; x- x8 r) W( B
. Z# m, b& n9 x% s) r49.7 实验例程说明(MDK)
3 r/ g: {, D- O配套例子:
& ]0 ^1 n& B$ GV7-028-外设32位带宽SDRAM性能测试
+ X* v/ z, L+ F+ i3 R
2 M" n* T% [5 @4 Z8 Q$ @% x实验目的:
' ?( m9 k# M" m( ]学习外部32位带宽SDRAM性能测试。- }: C# y. H. e
0 {+ ~' T. ]: ~( \7 j9 H
1 v; o: q, h, A5 H- @6 o实验内容:
% @" H" {; T6 g: T* `1、SDRAM型号IS42S32800G-6BLI, 32位带宽, 容量32MB, 6ns速度(166MHz)。
* j0 S$ K1 V% w/ q; s) Y
2 H7 ~! S M$ v( k W2、开启Cache
( U8 P5 i8 s4 U& V4 { n d* m# }4 d# z" _* ]* c
(1)使用MDK和IAR的各种优化等级测试,优化对其影响很小。
+ X+ r8 F0 r9 R, n6 Y% S2 ~; [' ]' P3 W! X% l$ A8 f5 T1 g! k3 n
(2)写速度376MB/S,读速度182MB/S
1 m# k M9 y( I7 W7 _! f2 t. ?+ a
; C- O) G" c" U: V& F5 t5 i3、关闭Cache
. ~- N/ U T1 F3 G' v4 m6 B8 e. S# I" C. J# t' M4 f+ R+ \
(1)使用MDK和IAR的各种优化等级测试,优化对其影响很小。4 i) a! `% l, H4 v4 H) v
: _9 g# d, ~# G' P ~" E: h(2)写速度307MB/S,读速度116MB/S3 T8 Z1 V1 y! |* {* x
, R1 y5 U: o4 {# d3 x4、IAR开启最高等级优化,读速度是189MB/S,比MDK的182MB/S高点。1 g0 g1 ?, M2 ~
b w6 Q2 s+ @/ B: h' `# e
5、对于MDK,本实验开启了最高等级优化和时间优化。
6 E/ w8 U& H1 \! A; N0 k4 p5 p) O& z. H, j3 P# t k
6、对IAR,本实验开启了最高等级速度优化。1 ], ]" n2 X2 A" G1 r H) }4 k
9 X4 o7 s0 y E" e实验操作:
/ J7 Q' I. {4 a1 R1 j3 P KK1键按下,测试32MB写速度;
! u' n+ K1 [9 Z: @, c8 HK2键按下,测试32MB读速度;
3 X% C& {) x8 h: T' uK3键按下,读取1024字节并打印;7 L' g$ Q- T* O
摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常。" U. ^7 E& w% P% l: v$ E
1 a2 m$ A g' q3 `# l9 |4 Y
9 F# k# ]5 }% f' i5 p* Q上电后串口打印的信息:% e2 o) I8 _/ b8 ^
波特率 115200,数据位 8,奇偶校验位无,停止位 1
: t" ~# L8 d8 V; T$ H. N6 P% C
9 `% d) A# e6 N- B6 Z5 s
2 S: Q- N# G' H; \- a
5 d0 j+ }5 W4 m: g/ K程序设计:+ u! y: @6 k Z; e) u, [
4 R6 x4 g) u6 v. v 系统栈大小分配:
7 B* z& F7 b9 }, V
5 W0 B/ P' m% i$ w/ }5 e% y: n* ?9 i3 n; V/ V$ |
& y; w% }1 J* [. c
RAM空间用的DTCM:/ R' _: `) Z% _. Q$ r7 ?2 @
2 [. U1 H6 l8 V
0 K. I# S! W t8 l
, K3 X) T3 _$ |0 i! O* f% ]
硬件外设初始化. n5 R" g5 A* F5 b
$ B3 C l* F# q/ i7 n8 } W
硬件外设的初始化是在 bsp.c 文件实现:6 ]8 z0 t9 q: x
6 c+ Z& ^ x# F2 g- e: Z( u
- /*
, \# e8 N+ L# p! O - *********************************************************************************************************
; \' l4 J8 p& h- d1 s - * 函 数 名: bsp_Init
' H# e. V" A; D. N - * 功能说明: 初始化所有的硬件设备。该函数配置CPU寄存器和外设的寄存器并初始化一些全局变量。只需要调用一次9 i+ l, p- m1 t9 t% p: {! W
- * 形 参:无7 \+ Y- \; A5 n* D) r% v+ d. M3 {
- * 返 回 值: 无
, Y, c6 y: ^. M - *********************************************************************************************************
6 Z. \; Q! ^% i& t - */: T; `& x, D8 a. p
- void bsp_Init(void)
5 l" b% W; N- i+ c - {" u( M; @" d3 e+ b1 o' B+ E
- /* 配置MPU */
, x' x0 `. |: i$ U Q3 N - MPU_Config();3 g* U4 C" O4 a5 V& Q, n! K9 Y
- 8 ^1 j/ d' f: u- I8 J1 T; l; y
- /* 使能L1 Cache */
9 H' c9 U/ p) ~3 U/ n4 N% H/ ] - CPU_CACHE_Enable();$ t$ R* U% f% w
' u0 q/ h" [/ E4 p3 s9 T! n. ]( t3 ^- /*
$ r s: y0 B/ W& x9 ]0 A1 X9 {1 Y - STM32H7xx HAL 库初始化,此时系统用的还是H7自带的64MHz,HSI时钟:
' Q5 _- |* `0 d- [; G - - 调用函数HAL_InitTick,初始化滴答时钟中断1ms。
( q& |9 E" l# y5 W - - 设置NVIV优先级分组为4。$ M$ i; H+ W; r. n
- */8 a" A6 L9 q ?
- HAL_Init();$ @6 [! H l: ~
- ! c( `0 g3 Q6 U; _* t. t3 `
- /* $ L0 X8 z0 T7 ?, `; W% r
- 配置系统时钟到400MHz
# `# E" Y7 `7 a2 Z& D9 b1 M, ? - - 切换使用HSE。* T& ]% ~- v4 d. ]6 l0 F
- - 此函数会更新全局变量SystemCoreClock,并重新配置HAL_InitTick。
: l3 I9 t. n; g - */
* b" @6 S6 n& f( E8 w; E# G/ c6 e - SystemClock_Config();
* ?! l; c! ^+ [& B# Z
2 r7 V* N$ t* o1 ]) C8 Y: K% O' p4 q- /* - o; `3 H; x2 H' }+ C) V
- Event Recorder:6 p' @8 d5 \+ l9 L
- - 可用于代码执行时间测量,MDK5.25及其以上版本才支持,IAR不支持。' }: S1 e, |4 ^7 Z
- - 默认不开启,如果要使能此选项,务必看V7开发板用户手册第xx章 v$ y! p W0 X1 X
- */ 9 i, ]! S6 r1 a8 u" K
- #if Enable_EventRecorder == 1 ( H) P7 b3 z% u( j6 a
- /* 初始化EventRecorder并开启 */% z4 R, ?, e0 U
- EventRecorderInitialize(EventRecordAll, 1U);) i, l' M! U0 B
- EventRecorderStart();
+ C, d7 V! c6 {! |2 u- M. ]3 G8 t - #endif
: T9 m) ]7 K4 w" c6 U$ x
, h' F c: k2 R7 V+ m2 @( C7 U- bsp_InitKey(); /* 按键初始化,要放在滴答定时器之前,因为按钮检测是通过滴答定时器扫描 */% N% C* U8 u- F. \% m* J# E
- bsp_InitTimer(); /* 初始化滴答定时器 */
3 ~5 s) B, ?8 G! b* v8 L( n - bsp_InitUart(); /* 初始化串口 */' H9 ]' M: u! {- f
- bsp_InitExtIO(); /* 初始化FMC总线74HC574扩展IO. 必须在 bsp_InitLed()前执行 */
# t9 A8 D: I, c8 N6 ^1 f4 T - bsp_InitLed(); /* 初始化LED */
! T$ d: w$ m3 F% I( W; Z% }: A% c - }! ^* k1 D3 c; E! A8 w
复制代码
2 i% P& q3 {! ]6 p6 A+ j
$ R3 [ J" E; [+ D! `; g; c; b0 f MPU配置和Cache配置:: x6 H r2 [3 R/ k- w6 v/ ~
* {' D7 N; o; B( R" e( H; _" I数据Cache和指令Cache都开启。配置了AXI SRAM区(本例子未用到AXI SRAM),FMC的扩展IO区和SDRAM。
( @7 ^9 B$ [* h+ q. \4 V+ g: J7 x5 {3 f0 j' [
- /*% n: @( l# Q, p9 p6 H+ z
- *********************************************************************************************************4 H l1 P3 l- L
- * 函 数 名: MPU_Config: G1 b* X9 l- x/ t% @
- * 功能说明: 配置MPU! o) ?. W* F2 a
- * 形 参: 无
K$ p( c* P( R1 u4 u7 @6 h$ D - * 返 回 值: 无
* k# a, J8 a7 \ _ - *********************************************************************************************************9 V6 G; f) y/ w" H
- */' f6 \" c; a7 w j# I( C
- static void MPU_Config( void )
. o8 j/ g9 R. h; |2 A8 [2 X8 h: x$ s) R - {* B( R7 X9 w M. H
- MPU_Region_InitTypeDef MPU_InitStruct;
1 ^) O& d, x2 d: E( a" j% H* N
& r! m: ^( {/ c: J5 R/ F% K- /* 禁止 MPU */9 m+ P- K$ d# Q/ ~, K+ J
- HAL_MPU_Disable();
h0 z8 \7 A- C1 T l
1 }% Y) b' x i/ {) O2 i4 l0 \) Z% T- /* 配置AXI SRAM的MPU属性为Write back, Read allocate,Write allocate */" T4 d1 o: B/ r( j" d
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;3 [/ c2 |" u6 T. F, l
- MPU_InitStruct.BaseAddress = 0x24000000;6 S. V5 T' i3 m0 G
- MPU_InitStruct.Size = MPU_REGION_SIZE_512KB;
: ]' Q7 R4 f* S' o2 |# w1 G - MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;: h1 @' N3 J P: M2 G7 }$ j5 ]
- MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;# I+ b! h1 H3 ^( ]& {4 V) m% e
- MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_CACHEABLE;
- Z# C( q9 ~4 x1 v+ B - MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;: l7 M. Q( V: M" C( Q7 g
- MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER0;
0 B, |" E ]9 a/ ] - MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL1;
/ H4 k% S3 x/ }! x) s9 O - MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00;% Z: \, w9 q" h6 x, s
- MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;
* Z0 d' m- u' p1 b7 `) j( U
- {8 N. G# `) k0 \+ W- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);
- x. I. f& [$ m5 R" ~- } - 4 \4 u* n6 a ~2 d- B5 Q
- 0 W8 G% f, T0 r8 F% R% ?
- /* 配置FMC扩展IO的MPU属性为Device或者Strongly Ordered */6 `) `. c' t0 p+ ^
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;
+ r1 T' }) M8 C4 [+ G' M, o - MPU_InitStruct.BaseAddress = 0x60000000;5 @" V V7 T5 j1 H8 f! a
- MPU_InitStruct.Size = ARM_MPU_REGION_SIZE_64KB; ! Z+ E/ H, S7 i. g+ r
- MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;
9 Z$ ]+ U4 ?4 N, a7 `" A$ K - MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;* m8 k4 R- m0 K+ _6 r
- MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_NOT_CACHEABLE; $ a! m9 m/ v) b5 R" e, ?
- MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;
; A" i+ f2 `* J7 A4 s - MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER1;5 k" X, L l# U# u
- MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL0;" k/ _: I/ j! c1 ]
- MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00; j- e+ V3 s8 y# w! J" f
- MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;
3 U6 w& v) ]7 m. _ - 1 e. ~" a: h. K) `) A0 f5 T9 S
- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);! m! k. c) b; B
# x; }% g* X. y& O. E! c: c- /* 配置SDRAM的MPU属性为Write back, Read allocate,Write allocate */& V: w% y) n- W: f$ C
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;# F4 ?. l' z% N# {, c* m+ ^* l
- MPU_InitStruct.BaseAddress = 0xC0000000;' O+ O5 x* k, M+ G( I, G
- MPU_InitStruct.Size = MPU_REGION_SIZE_32MB;. N% ]/ F8 _+ B
- MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;
+ Z! V9 G6 s, ^0 w - MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;" S4 m7 ?# Q) Z) I; Z9 `9 a/ u
- MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_CACHEABLE;
( ?) ?) X5 X+ v6 ] - MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;6 m5 ~* k" s7 t6 }
- MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER2;
+ \ k7 g4 b( B, Y+ j - MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL1;$ T0 Y# h# r7 J; l; I8 @ H
- MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00;
, C- S. n5 |! g& z$ c# [ J9 I - MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;
1 \: ~# E- P3 e4 {* w. A3 _& X: w
/ e5 j$ ~) ~1 k( E* U' |9 F1 g/ e- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);# t+ h. T3 i$ t- b
- ' X" s) T+ K. Y! k- V
- /*使能 MPU */
9 H- O' `- Z' f - HAL_MPU_Enable(MPU_PRIVILEGED_DEFAULT);1 [: D/ u, l+ J t; N; S6 [4 e+ N
- }
, \( M! _: P( ]. {
) w9 m4 ]* P. m S- /*9 {- C' r& i7 S- e2 I
- *********************************************************************************************************/ I8 u- ]2 G* {# j3 r! Y( m
- * 函 数 名: CPU_CACHE_Enable
) `' n G+ c$ ] - * 功能说明: 使能L1 Cache. }6 L, E' r% L
- * 形 参: 无# G+ z0 _6 s9 M2 Y& r9 U; H
- * 返 回 值: 无6 @" x( I3 p2 |6 `3 O& A
- *********************************************************************************************************
* ~( j7 P7 ?* l, j9 P4 [ - */
3 Y8 f8 L8 d1 Q) N# A4 z; { - static void CPU_CACHE_Enable(void)
: R" [/ V, R6 v( w( S - {5 _; V" t" b) `9 E/ g) x) X8 U D
- /* 使能 I-Cache */
" A9 Y9 P9 W& P: N4 S - SCB_EnableICache();+ m b f/ E9 {! \: y$ _- N
7 |( V! s$ }; D: _& a- /* 使能 D-Cache */* E4 g) u% W/ e( m% ^. \
- SCB_EnableDCache();
. U' ?' E9 G/ M2 P2 W - }
复制代码
9 h) y/ _- ]: I" \/ z/ q* L 主功能:1 r2 m ^* i. c
4 n2 @9 d9 q$ d6 a9 h( |. D5 U
主程序实现如下操作:2 Z0 E7 u' {: \
! q! A( P$ _3 z* N: z: P
K1键按下,测试32MB写速度;3 T Y8 q, c3 x6 [( u" ~/ o
K2键按下,测试32MB读速度;
. I2 K& U* }# T5 R K3键按下,读取1024字节并打印;
0 x2 ~: P9 w( z' n" s S/ Q 摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常。' Z3 t& Q$ I% l4 g' W5 l+ O9 s
- /*
& U U$ ]# t1 }5 q7 W - *********************************************************************************************************# o( W% @5 Y+ v# a$ y0 c% a7 s
- * 函 数 名: main
0 s( D' S$ k7 v# r2 O' | - * 功能说明: c程序入口# t X1 q4 F1 d, h1 q7 w
- * 形 参: 无
4 F; H7 Q, E' o1 @ - * 返 回 值: 错误代码(无需处理)
# t' s. H* [: @ - *********************************************************************************************************
2 m, B" ~8 T& z) v: A - */( k2 y) w& \) j" e- w
- int main(void)2 O/ Z3 i# u4 d! a- U4 Q
- {/ X. `0 k( m$ _& P& u. l' l
- bsp_Init(); /* 硬件初始化 */
/ v& z8 `4 l% `5 }) H - PrintfLogo(); /* 打印例程名称和版本等信息 */
! u1 g0 O' m7 l6 u7 p
; G; c/ E; J2 ?: F+ z$ Q, T/ h- DemoFmcSRAM(); /* 外部SDRAM读写测试 */( W9 L: R2 P1 W4 I1 f
- }
* A0 j$ E1 N+ \ `9 t, `6 z0 S# G4 p
! M" O& W) ]0 x5 U& v- /*
- m+ X9 H3 j* }* Q$ m1 j - *********************************************************************************************************
/ e, M+ {$ v# f8 T$ H - * 函 数 名: DemoFmcSRAM
0 E* R. M4 a# t- [+ m - * 功能说明: SDRAM读写性能测试
2 H7 O, \: |+ d" Y2 V* I$ O - * 形 参:无
$ R. x, k7 r* ] - * 返 回 值: 无
' r7 D1 Z F5 @9 o - *********************************************************************************************************
* v$ T; e! O# H3 L( L# @& H* L - *// n7 A' z3 [; U( J/ w
- void DemoFmcSRAM(void)
6 M" o( f; v B$ z8 u( A9 x - {( M# b, R5 _" r$ Y
- uint8_t ucKeyCode; /* 按键代码 */
0 o9 `$ w, C$ P# n# r - uint32_t err;! `! V. o4 S5 K9 ]+ ?
1 p+ w7 U- x! n! [! W- PrintfHelp(); /* 打印操作提示 */1 W, F1 P( c4 w0 T. K
! S3 J0 G$ q: k, R' e) ]; L: Q, Q7 q- bsp_StartAutoTimer(0, 100); /* 启动1个100ms的自动重装的定时器 */! u+ o5 f* `2 t6 S
( `; |& K$ H. M/ f9 B# N- /* 进入主程序循环体 */' W* C* C% b) v' s ~9 L
- while (1)2 S% o; }# U4 d
- {* t# ^! T( S0 ` u- s8 T
- bsp_Idle(); /* 这个函数在bsp.c文件。用户可以修改这个函数实现CPU休眠和喂狗 */! q% p9 E f; j% }
, f8 ^" O1 L9 A0 c3 f- /* 判断定时器超时时间 */
" ]* a _" c" b" V4 n) J4 x - if (bsp_CheckTimer(0)) - W# u, O% ]1 O1 a$ Z
- {8 T$ s/ g' I" P
- /* 每隔100ms 进来一次 */ ' l4 ? Y, D% y+ B
- bsp_LedToggle(2);
$ b% T* g5 Q+ _ - }# v, k7 D i( T3 c# |" N, A1 k
- $ {9 n, V @% ^2 |3 O0 ~! n" H
- /* 按键滤波和检测由后台systick中断服务程序实现,我们只需要调用bsp_GetKey读取键值即可。 */( |4 c* u# z0 e9 f: ^* V6 N
- ucKeyCode = bsp_GetKey(); /* 读取键值, 无键按下时返回 KEY_NONE = 0 */
# V1 Q9 g9 Z; ~% Q* G5 V - if (ucKeyCode != KEY_NONE)2 O) l7 X8 y# z! o# u/ m. R
- {" x2 l3 P+ Q- r! E
- switch (ucKeyCode)
, ]' X8 o1 N- @2 A0 O. w - {
6 q5 K9 G7 m" r. i7 k - case KEY_DOWN_K1: /* K1键按下,测试32MB写速度 *// W0 Y: D$ k ^; h4 ^* [
- WriteSpeedTest();3 H% G/ I" n8 @
- break;3 p( E+ Q8 d' I
- , n& J& U- y T5 ?" _ y" P# G4 Q' I7 h
- case KEY_DOWN_K2: /* K2键按下,测试32MB读速度*/- e. Z' y+ [$ i5 W
- ReadSpeedTest();
: B/ d7 N" {+ `) I - break;
! K r- o7 _, Z4 h& ? - j3 `7 y) J, a* S8 G+ M. Y- i
- case KEY_DOWN_K3: /* K3键按下,读取1024字节并打印 */) F7 H U% ~( }$ @2 R
- ReadWriteTest();* A1 G: c% z- e) i: j0 X
- break;' C) [1 E3 w/ X) v5 b; Y
- # x% [$ L! S3 K1 ~
- case JOY_DOWN_OK: /* 摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常*/
r, e) l% t z+ s" a) Y - err = bsp_TestExtSDRAM1();
. k6 b1 ?- w$ G* R% |+ a - if (err == 0)
; B: h D ^: b6 |; g - {4 W2 C+ b7 H0 \; j5 y4 q0 _0 j9 Q
- printf("外部SDRAM测试通过\r\n");
/ n9 l v# S( x' k9 g8 Y- D - }
4 _* t( `! B3 h - else
0 \3 ?) P- d# q. p1 t0 Q - {# d8 ^9 i1 }7 c2 g9 E
- printf("外部SDRAM出错,错误单元个数:%d\r\n", err);; o; a7 R2 o- }( a
- }
p5 d+ W6 n- h g m - break;1 J1 G: d3 V- A, i6 @/ ~
3 ?, N4 C8 i1 W: [- default:, S) w- U3 P5 T: q# W2 G) T2 y
- /* 其它的键值不处理 */. P! ]5 s5 R! j& X6 F
- break;& y1 @ e% x) a
- }$ `% w3 N! d+ Q1 u# y" {
- }
2 r6 A+ y$ W: Y$ J - }
2 V9 i7 X( D) \4 E - }
复制代码 3 `" s2 I G9 W) {! T. c
49.8 实验例程说明(IAR) Q- p' a3 j" j: w2 I$ f1 w7 Q
配套例子:1 r8 {8 I# {, `/ Z/ g8 U
V7-028-外设32位带宽SDRAM性能测试
8 ^# b6 m2 S7 n! B' n- ^
5 q( ?1 `3 f0 o9 g& K实验目的:6 u/ `2 Q. C7 A9 D
学习外部32位带宽SDRAM性能测试。$ g. K" B' O8 q: X' D) K* I( O
2 K# L6 a4 a' M7 _' o
8 g d0 E) A. k) g$ z* ~实验内容:9 R# U& i. p2 F2 b7 c F
1、SDRAM型号IS42S32800G-6BLI, 32位带宽, 容量32MB, 6ns速度(166MHz)。
+ }. Q& r. s) w1 e# e) w3 W. R' O+ ^' _6 O0 h; g
2、开启Cache
) Z1 g! q7 @; [) D. F4 w% ~
/ V& f4 l! k) s( w4 e8 N(1)使用MDK和IAR的各种优化等级测试,优化对其影响很小。' q& a# S1 P" L: O* M
3 Y4 I2 f6 R. z* D
(2)写速度376MB/S,读速度182MB/S6 A5 c; B, e: h7 l4 {- j6 |: e- y% ?
6 h' l2 e H3 ~ ]* @# |3、关闭Cache4 v) \ u6 h2 v' m k V# N0 I6 q5 S
# J8 o2 S9 _, Z |* k
(1)使用MDK和IAR的各种优化等级测试,优化对其影响很小。
8 {! S2 C! A4 g, G
8 U% L1 ?' C9 n0 X, [(2)写速度307MB/S,读速度116MB/S$ b" ?( \# T' p, m* G
: U( ? I: W i5 H! H: i4、IAR开启最高等级优化,读速度是189MB/S,比MDK的182MB/S高点。1 `* T% s$ y6 `: C V
; |! J3 C/ N+ g( D( Z( E
5、对于MDK,本实验开启了最高等级优化和时间优化。8 Q! _; `: P+ V( l& }1 b$ j
4 K, m/ A& N/ n+ L: |) s7 l
6、对IAR,本实验开启了最高等级速度优化。
4 F3 d4 V+ t* Q8 k- G# d# r/ |
# A5 J/ o/ N& E2 u实验操作:6 n) t% x6 [% M" d W7 w
K1键按下,测试32MB写速度;4 u* P2 M. F' Z5 E" \3 U
K2键按下,测试32MB读速度;
, F* V/ t8 G7 zK3键按下,读取1024字节并打印;
: \2 ~3 ]5 `3 j* l" _7 Z3 q: o摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常。
+ ?- m T, u7 n; D( k( l+ J# x S
3 y& t0 u4 ]8 A. N
上电后串口打印的信息:; R) @9 Z' A1 p H9 y' O
: R+ Z* t' _2 p' x9 Z波特率 115200,数据位 8,奇偶校验位无,停止位 1% W1 L) e: w( w$ P, g, u
9 j: X( j$ ^+ I
7 R& L- q$ `/ H3 \( S
* V- t! ?& F4 k
程序设计:
' {7 d; ^& o$ ]1 j8 ^' x) X& y$ y a: O4 v
系统栈大小分配:
* n/ Q9 u5 i: M& k. J' [6 Z3 e \) J" B
7 O( Z% h" m: i0 q+ d4 c
9 s4 Z/ c! o7 W% n, E$ m B/ Z RAM空间用的DTCM:
( \0 b F" a9 m' _1 {' \3 f. t- L+ }6 q% T" S( @, w7 E3 w
2 E, Q9 T+ P6 P
' V4 v' s2 k: E 硬件外设初始化
* c1 C$ z. u! V+ c
8 a. b2 r' `' \6 S硬件外设的初始化是在 bsp.c 文件实现: v! A8 L$ d. q7 y1 u6 D3 ` r
( A) R; B2 y* d- /*
7 l3 J, Q, B) [2 D2 f: ^: I - *********************************************************************************************************+ @' H3 [' X4 I6 R H
- * 函 数 名: bsp_Init
! r8 \( q2 c' R- s, W9 t6 N - * 功能说明: 初始化所有的硬件设备。该函数配置CPU寄存器和外设的寄存器并初始化一些全局变量。只需要调用一次
+ ~# A) H# [# i$ }& J9 D0 Q - * 形 参:无
) t& a( E! t* `; F9 ~* L, f - * 返 回 值: 无
d3 x7 N( w2 f. x# l& w3 f0 w - *********************************************************************************************************( V* E! M r* `2 s/ b" f/ }
- */& ^( j- }! q! O! r0 Q( U- r1 ?: S
- void bsp_Init(void)
( c$ v/ q6 N) T- ?, w# K* y4 S7 X4 i - {$ a" D" d8 f% q) s M# Z7 Y8 @! }9 x
- /* 配置MPU *// s7 K6 z$ P- L/ u0 a% e
- MPU_Config();$ F5 O! E, F: j! o1 I9 {
$ x3 T& A7 b% I- j; ?& N- /* 使能L1 Cache */
- m" P/ W& V1 y9 n9 ^ - CPU_CACHE_Enable(); P% |0 ? D( r1 L0 H8 B1 k
- ; Y, [4 q1 a9 U' r, s3 j
- /*
1 f3 _# o k, B' `$ X9 g - STM32H7xx HAL 库初始化,此时系统用的还是H7自带的64MHz,HSI时钟:, w' f. s, A/ ~. Q V5 l
- - 调用函数HAL_InitTick,初始化滴答时钟中断1ms。% ` t% @1 R) r* a
- - 设置NVIV优先级分组为4。
. X: t; R+ k1 p" ~ - */; t. Q Z7 _2 m' V
- HAL_Init();
3 P+ H2 ^& y9 N, R* N6 K - 3 M$ G6 \' v2 N e9 W
- /* % [' T# o7 `4 h9 ]# |9 k
- 配置系统时钟到400MHz, ]/ M: F3 ]+ d/ d2 D1 k3 H
- - 切换使用HSE。
. [1 J9 r2 f, i2 y4 R1 _7 |) v - - 此函数会更新全局变量SystemCoreClock,并重新配置HAL_InitTick。$ M* Z8 s/ _, V" p- N0 b
- */1 R' \9 s6 Q1 a: w2 f* W4 }
- SystemClock_Config();/ h0 v0 ^5 l3 `: z, ^$ {
- 3 {. _- e' {( E1 @; r% [
- /*
% L) G! Y$ E( ]9 j - Event Recorder:) Q" l: o# O9 |$ _4 W
- - 可用于代码执行时间测量,MDK5.25及其以上版本才支持,IAR不支持。
2 |( H: m, N# j" s0 _' c1 c0 A - - 默认不开启,如果要使能此选项,务必看V7开发板用户手册第xx章. T6 f n/ \7 M/ J+ S$ K# \( s: m
- */
1 y& {# X) O5 f! @) q& F3 O - #if Enable_EventRecorder == 1 , \# e, } U8 v: X7 z
- /* 初始化EventRecorder并开启 */
+ ~3 C/ o) n2 d0 U; f - EventRecorderInitialize(EventRecordAll, 1U);
" f3 @/ z" w2 F0 D/ C - EventRecorderStart();
P" `+ E: f$ ^/ t& i& V% @: A9 J - #endif8 t' ^/ u& i+ \7 ?8 i! o3 O- u1 A" H- y* d
- 3 x% p) s. W4 w9 C* `2 r2 ?2 m
- bsp_InitKey(); /* 按键初始化,要放在滴答定时器之前,因为按钮检测是通过滴答定时器扫描 */
. B& `3 ?# e' j, @/ M9 } - bsp_InitTimer(); /* 初始化滴答定时器 */( S+ `1 `% ]' R* [% H0 B" S ]
- bsp_InitUart(); /* 初始化串口 */
9 j' |8 S) G' v/ M - bsp_InitExtIO(); /* 初始化FMC总线74HC574扩展IO. 必须在 bsp_InitLed()前执行 */ $ S% g5 m1 I# N5 g- P
- bsp_InitLed(); /* 初始化LED */
0 l! T/ Y5 t& }, t/ | - }
$ Z1 n3 j# \+ X+ N4 N! i: K9 q
+ n5 u4 M) t% ]: {7 v
复制代码
" h& N$ i4 q4 {5 I" a( R4 M MPU配置和Cache配置:
# T8 G& D9 k, H% o9 x3 w6 V6 D7 C7 t& S$ O7 V: M1 M# h+ k. ~
数据Cache和指令Cache都开启。配置了AXI SRAM区(本例子未用到AXI SRAM),FMC的扩展IO区和SDRAM。6 }- V F% G* G+ }
! t) [( a @! o# G7 m; Q
- /*1 {6 f8 M U6 ~6 C1 S. X1 W
- *********************************************************************************************************
* f# _! |% t/ Y - * 函 数 名: MPU_Config
+ d9 M* s# B; U* K' ^6 B8 y# n - * 功能说明: 配置MPU
( x+ Q( W8 H; l7 j& y - * 形 参: 无. A9 j( k1 j/ V$ C2 d. R) x
- * 返 回 值: 无
/ U; p. _6 W, u. Y N& N f/ ~ w - *********************************************************************************************************: n( R, j m' b
- */" q5 c+ l9 q% k0 u' ^$ w' l& G
- static void MPU_Config( void )
) f8 K5 O( t6 Q! G- \% t - {+ q4 A( c \/ n0 \
- MPU_Region_InitTypeDef MPU_InitStruct;" y/ L$ I3 o2 u- |& j) E
- ' u! u5 r, Q9 j/ d q1 p7 g I/ m3 k
- /* 禁止 MPU */, w0 G: @; F' o6 Y
- HAL_MPU_Disable();- V# H& s3 Z" U' y1 T
4 g! R2 P1 c8 l- /* 配置AXI SRAM的MPU属性为Write back, Read allocate,Write allocate */6 w* q& @: j7 s
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;
: W& Z1 E% K. S- y$ v7 {8 N! c2 v - MPU_InitStruct.BaseAddress = 0x24000000;
. g+ J. Z; d8 g; a) s - MPU_InitStruct.Size = MPU_REGION_SIZE_512KB;
6 M: Q' t5 F4 |5 Y - MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;+ P. a5 y% }0 R& B2 ]1 l9 N J) p
- MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;0 ]0 D( D$ q R
- MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_CACHEABLE;
4 n5 Q8 v' S) n( _; X/ ^: s1 n - MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;7 @# ~: R& B0 A" N' ~8 P
- MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER0;" y A' [3 T" z3 G- d
- MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL1;
. m0 g: G8 U' s - MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00;) t. v8 K+ F+ W& f+ ~
- MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;
8 F& {( f) c0 ]& F5 |
l8 O, S6 }. Y/ H% r5 W- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);, X- R! }2 S; N
* w( o* L1 t2 n4 U* c! C
. X! u6 J+ ~# f/ Z. q; D- /* 配置FMC扩展IO的MPU属性为Device或者Strongly Ordered */2 A D1 T& n8 X! I5 J8 Y1 A
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;) P/ {" R' s) |9 T, N9 e
- MPU_InitStruct.BaseAddress = 0x60000000;0 b8 L3 f! f( |+ H x0 S
- MPU_InitStruct.Size = ARM_MPU_REGION_SIZE_64KB; 0 o% `5 f9 O) Y e8 q5 ~( q4 ]2 B
- MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;
! z* o6 q1 W k1 D+ |, ?% A% N B - MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;
1 t; S) V$ e' O0 U3 N1 {! m - MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_NOT_CACHEABLE;
8 d/ i: k" K3 E! k8 b, g# W - MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;% O1 k: I! S8 k5 c
- MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER1;% I0 i7 O r* l
- MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL0;
6 F) _( ]* O3 q# M) d, _: \ - MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00;& ?3 |+ s% V8 S" M
- MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;: F# J& i b* r- @1 _ Q
- ( L, w1 Y0 T% h" j
- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);
9 d6 P. f" @7 f) [, _/ W - 6 @! n0 Y+ I9 }( o* Z) H8 ]7 R
- /* 配置SDRAM的MPU属性为Write back, Read allocate,Write allocate */# q2 t k3 r) B( }# z z: T2 P- E
- MPU_InitStruct.Enable = MPU_REGION_ENABLE;
# R# l. X* u" }4 A9 d. j8 q' Y - MPU_InitStruct.BaseAddress = 0xC0000000;$ g% `* H8 D3 E$ r- F
- MPU_InitStruct.Size = MPU_REGION_SIZE_32MB;
/ Y0 U9 l2 `' w4 b% T - MPU_InitStruct.AccessPermission = MPU_REGION_FULL_ACCESS;9 k+ J! Z6 ]) F& J) y/ g1 M
- MPU_InitStruct.IsBufferable = MPU_ACCESS_BUFFERABLE;
, \. G7 B$ {7 F0 L, d, c7 a - MPU_InitStruct.IsCacheable = MPU_ACCESS_CACHEABLE;
0 w5 X( o M- S n4 |2 i - MPU_InitStruct.IsShareable = MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;
# N/ p r9 m, b& h! i9 v - MPU_InitStruct.Number = MPU_REGION_NUMBER2;
# ~" ]5 \: a' U9 J - MPU_InitStruct.TypeExtField = MPU_TEX_LEVEL1;- j3 `/ {+ U3 T# e
- MPU_InitStruct.SubRegionDisable = 0x00;
# @ L F A; d' O3 y( ~ - MPU_InitStruct.DisableExec = MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;
3 v% ^+ X: ~" T5 s2 N" h
. y7 C# J! t& a& z( F3 N9 o2 U- HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_InitStruct);; ^4 ^" A& g1 S: ?0 O7 S
# r# f7 X" n' s8 q( K- /*使能 MPU */9 O% T9 r- I3 s5 n, i' P2 k3 d
- HAL_MPU_Enable(MPU_PRIVILEGED_DEFAULT);
7 D# |2 h, |* g6 B5 H2 Z - }
+ g4 b9 T. F8 y7 q4 A - ) ~# u) N1 S. u
- /*
/ |9 x0 [' e7 x s$ p - *********************************************************************************************************
+ F3 Y7 h; f$ Q8 } - * 函 数 名: CPU_CACHE_Enable8 d; ?# i: v; ]( L# P
- * 功能说明: 使能L1 Cache/ m4 }* L( V% I9 ^+ B! u# B7 x! l
- * 形 参: 无$ J: g# G$ {: Y$ ~% D
- * 返 回 值: 无
5 Q9 T& @2 Y/ t. @( i* W/ } - *********************************************************************************************************
( g2 }$ e; k# v$ Q, C K - */$ f/ S: {/ t+ @, _1 k0 `% Z
- static void CPU_CACHE_Enable(void)! E9 m* m4 q, C) I! }
- {1 ]( E6 R8 ` F
- /* 使能 I-Cache */: ~2 u$ o, I: b, S
- SCB_EnableICache();+ j/ W6 W: ~% `/ g9 w
1 p# ], z4 e: q; O4 d' y- /* 使能 D-Cache */
4 W1 i" B$ ^ T) |: a! ]. j k; K - SCB_EnableDCache();' @' \) U, J# t
- }
复制代码 ' x: n$ u; g$ N+ X1 C. F
主功能:
8 {5 s- j% l2 S0 G U
4 |9 }/ s8 g2 K: Z主程序实现如下操作:# E n, k" S. k9 r5 B7 k
K1键按下,测试32MB写速度;3 I9 p" }9 t# l) X- _' D( y
K2键按下,测试32MB读速度;
. E- w* ~: G7 D- K) { K3键按下,读取1024字节并打印;
3 c% e1 X! Y3 ]3 D3 g0 D 摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常。* ?$ v& E3 J' B( `
- /*
\1 l5 d+ W+ D. ^$ b - *********************************************************************************************************
0 K- x) [: c/ a" r7 f4 e - * 函 数 名: main
4 S5 m/ F- p" ]! f - * 功能说明: c程序入口' m" F9 `1 I% e7 g& E8 K( C# r! w
- * 形 参: 无
- u1 d& a5 [1 x+ Z - * 返 回 值: 错误代码(无需处理)
: A# [' p. R6 r8 k4 c/ P - *********************************************************************************************************
! P: ?9 Y" D; `1 F7 Q - */
' g. Y; S n: J9 T9 P - int main(void)4 d1 r& U7 B. G6 C. {! E
- {( b6 m' l W3 J$ }, G& Q: [
- bsp_Init(); /* 硬件初始化 */4 x8 \% ?7 R* r' I3 w) \( {
- PrintfLogo(); /* 打印例程名称和版本等信息 */
. R0 L! _6 `6 V7 Y2 O6 P1 |& l - / g, _- \' \2 i6 c. _7 ?
- DemoFmcSRAM(); /* 外部SDRAM读写测试 */% Z/ a1 r; h4 ?6 I: S/ H+ a
- }
* V. z2 T' |& e& u/ q
+ p0 M0 m+ @- Q( s- /*) Q1 p9 @( X0 K
- *********************************************************************************************************
" q$ |0 `) v$ W& U. d4 A0 E) L7 e - * 函 数 名: DemoFmcSRAM+ [2 a! m# b$ J% h1 ]
- * 功能说明: SDRAM读写性能测试
9 o* c- W* U3 l( Q - * 形 参:无
0 k+ i% a$ a( E. q9 m8 J4 B - * 返 回 值: 无
+ C4 A) V( q: D9 T. w8 R - *********************************************************************************************************7 F7 a8 `; Z( b% f( U/ t+ v' F1 F, ^
- */
1 w! K2 E% |' u - void DemoFmcSRAM(void)4 s) e7 W( J& E) r: p$ T6 A* E7 T
- {* G5 B2 Y! V: G( T6 \) g% y) B$ ? l
- uint8_t ucKeyCode; /* 按键代码 */
0 @; `* ~. i0 W2 d$ N - uint32_t err;5 z3 q9 t' O: Z) n# r9 M
# {4 O5 `# u# x x$ b& `- PrintfHelp(); /* 打印操作提示 */- l2 V( p, L6 G
- 4 m1 S6 S5 J% Q, r3 V- ^& i& O
- bsp_StartAutoTimer(0, 100); /* 启动1个100ms的自动重装的定时器 */$ c# Q9 ]7 x3 ^9 u6 K5 @8 I1 L
- 8 B6 i+ r+ Q/ R& ^ [
- /* 进入主程序循环体 */
( m7 u4 @7 x( \; L' M# [4 S4 s - while (1)3 J% I* Y" e9 E
- {
4 d2 M- e* ^/ j- a5 t - bsp_Idle(); /* 这个函数在bsp.c文件。用户可以修改这个函数实现CPU休眠和喂狗 */
1 n4 W0 `0 i8 B% e7 M" Y: h/ {+ j0 m
( l7 h8 d' d" t. X# |9 c- /* 判断定时器超时时间 */
# ]' F0 [% v9 I - if (bsp_CheckTimer(0)) , A3 h! K) Y* `' B7 g% W
- {% `7 E2 k2 L) s! R7 l
- /* 每隔100ms 进来一次 */ & B5 X" ?- l" N
- bsp_LedToggle(2);
1 h/ N5 u$ r M3 I' Z - }
% v3 U3 |, V2 {/ G7 j; }' t T k6 d - 0 v! e6 `; e, w" {/ |' k, V
- /* 按键滤波和检测由后台systick中断服务程序实现,我们只需要调用bsp_GetKey读取键值即可。 */7 q- g+ l2 a q9 `% K
- ucKeyCode = bsp_GetKey(); /* 读取键值, 无键按下时返回 KEY_NONE = 0 */# g$ p2 k; G$ _# O& J
- if (ucKeyCode != KEY_NONE)
; ?% @* Y+ ?4 J2 g, i, F - {5 J @" a, W; ^0 k
- switch (ucKeyCode)' _0 l; E; W2 k9 a
- {5 x' \& |" f; N8 l9 \% O- E9 f
- case KEY_DOWN_K1: /* K1键按下,测试32MB写速度 */
7 X/ ]' {* U1 g6 @' [8 o - WriteSpeedTest();5 A/ |# T2 v* W& l$ O+ z) u7 u# X; C
- break;, ^5 e5 Y6 B. w2 {' N" D; L/ j
- 5 v0 Q8 D. y* W
- case KEY_DOWN_K2: /* K2键按下,测试32MB读速度*/" J) a: T+ T3 i4 [
- ReadSpeedTest();
) p* i0 c3 Y4 ~& g$ j - break;* M8 F$ p; V( S9 T6 e
- 8 u" U, \/ i2 K [9 s2 J
- case KEY_DOWN_K3: /* K3键按下,读取1024字节并打印 */
+ y7 o& B2 k M5 g - ReadWriteTest();
% B+ h8 }& m6 A) f. i - break;
$ V3 _/ l3 x, Q4 Q: J# w r - 1 N0 c, ^) W' X
- case JOY_DOWN_OK: /* 摇杆OK键按下,测试SDRAM所有单元是否有异常*/
, ?/ B9 ?/ T2 L/ e, d5 W - err = bsp_TestExtSDRAM1();6 f* Y$ c1 i+ E# L- o- a1 g# Y. K
- if (err == 0)+ ~* T0 ~! K" n' n8 g
- {
0 k7 H( U* l+ I - printf("外部SDRAM测试通过\r\n");% d/ S, z, x* f/ a$ Y
- }
5 q0 S! S% C+ v$ N) } - else
) D; Z4 k2 F' I; N* z/ D& {6 D$ b - {
1 e$ g1 P' B$ Y+ r- _9 r+ e - printf("外部SDRAM出错,错误单元个数:%d\r\n", err);
0 o! G4 y% z) Q - }1 N6 O% f% A$ B3 x( H
- break;
1 t$ u0 H4 A8 a' A7 r; z* y) W - & p2 J6 y& |) e: B
- default:
# ~, |3 o( J; C+ w - /* 其它的键值不处理 */
! s* w1 Z; D' P- e6 h - break;
0 W4 K+ r% H; G5 b3 p3 e. k - }$ L Z8 q0 u7 I: `( I
- }# p$ B+ l7 E" I X& O J
- }8 j5 a [: q) A
- }
% f5 `; v7 }' t8 J) I! y
复制代码 1 ~- E9 C4 }1 x* o3 ^0 Z" q) r# P
) t' d2 p' w$ `$ ]$ D
49.9 总结) w D4 Q' o' d
本章节就为大家讲解这么多,不同厂家的SDRAM驱动基本都是一样的,仅仅是时序参数有些区别,配置时根据SDRAM手册上的参数设置即可。; T4 N# ?5 Z' f5 b
; t; h6 e; t7 ]
( M- c% u/ [4 k$ v' e: D+ w) B' R" |7 R) m) U
. g- V+ u5 Q' ^" {9 l# c
" L2 X% Y% ?4 K
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