stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解

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STMCU小助手发布时间：2023-1-3 19:49

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文章简介:	stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解

STM32F4Discovery开发包使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。

1 l" [, ^$ k7 C6 P

【STM32F4 内部Flash的一些信息】

# `; x' O0 j6 W

STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。

) M( `# Q; Y% R9 g+ i- y

写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦除，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。

0 F' R5 _6 l& o8 Z0 ^, \) b

在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory：

* {$ m, V5 i% x8 o4 ^( w, M, K' g

参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：

3 @: H8 c! _) ]% J7 K

/* Base address of the Flash sectors */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */

4 u, U5 a2 O$ k) Q3 _

在库里边，FLASH的Sector编号定义如下，这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号：

6 X0 q# ^. X0 j

#define FLASH_Sector_0 ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0 */

#define FLASH_Sector_1 ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1 */

#define FLASH_Sector_2 ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2 */

#define FLASH_Sector_3 ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3 */

#define FLASH_Sector_4 ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4 */

#define FLASH_Sector_5 ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5 */

#define FLASH_Sector_6 ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6 */

#define FLASH_Sector_7 ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7 */

#define FLASH_Sector_8 ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8 */

#define FLASH_Sector_9 ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9 */

#define FLASH_Sector_10 ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10 */

#define FLASH_Sector_11 ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11 */

* E2 e! x9 r f3 F$ G& C. A

Demo中有将地址转换成Sector的代码：

, z, f1 F# W% n- s

uint32_t GetSector(uint32_t Address)

{

uint32_t sector = 0;

if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))

{

sector = FLASH_Sector_0;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))

{

sector = FLASH_Sector_1;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))

{

sector = FLASH_Sector_2;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))

{

sector = FLASH_Sector_3;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))

{

sector = FLASH_Sector_4;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))

{

sector = FLASH_Sector_5;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))

{

sector = FLASH_Sector_6;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))

{

sector = FLASH_Sector_7;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))

{

sector = FLASH_Sector_8;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))

{

sector = FLASH_Sector_9;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))

{

sector = FLASH_Sector_10;

}

else/*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/

{

sector = FLASH_Sector_11;

}

( P& A) c1 N# ~" g, M$ i) x. h/ E

return sector;

}

Z2 }( Z6 _9 k& Z$ X

" g7 N/ q3 t+ W4 x/ `: r) a: x2 Y

有了这些定义之后，我们就可以开始正式操作FLASH了

4 R4 w8 t+ H6 B: s

首先，要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义，解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x45670123之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.

) U7 ~; ^8 {) M& P; `: U1 F

使用库函数不用这么麻烦，函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。

9 V" V3 @! v$ d7 W! v% ~

解锁FLASH之后，使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程，擦除两块FLASH。

: K! V7 {7 }, V2 ~6 ]

下边是操作FLASH的代码，首先擦除两块FLASH，然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验：

& a9 }' k1 Z8 s# r* i& p6 G3 L$ H( m0 b5 i

要写入的数据定义：

8 L. w; n8 B8 v- s9 D$ ] ?

#define DATA_32 ((uint32_t)0x12345678)

/ e1 H/ w7 ~% Q# y" r" v

开始FLASH操作：

8 e/ w1 X7 J, Q: G& H

FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。

5 O" ]" @) t3 @. {

//下面这个清flash的状态标志很重要，如果没有清可能会导致擦除flash失败或者不能擦除，我就遇到了这个问题，希望后面的兄弟一定要记得。

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |

FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

8 p5 i2 ]- U( D' y6 u' u0 e

/* Get the number of the start and end sectors */

StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR); //获取FLASH的Sector编号

EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);

//擦除FLASH

for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。

{

/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will

be done by word */

if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)

{

while (1)

{

}

/*擦除完毕*/

/*开始写入*/

Address = FLASH_USER_START_ADDR;

while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)

{

if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //将DATA_32写入相应的地址。

{

Address = Address + 4;

}

else

{

/* Error occurred while writing data in Flash memory.

User can add here some code to deal with this error */

while (1)

{

}

FLASH_Lock(); //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。

//读出数据检查写入值是否正确

Address = FLASH_USER_START_ADDR;

MemoryProgramStatus = 0x0;

while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)

{

data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。

! f+ [8 ]3 D( P+ G' e8 }3 `

if (data32 != DATA_32)

{

MemoryProgramStatus++;

}

* E, G: {. e y

Address = Address + 4;

}

/ w# e" x3 M. l1 u5 ]% X

下边是使用STLink Utility读出的数据，检查一下，确实写进去数据了：

; y/ c& n: N# J. P# f

8 E" I3 W9 o$ C( F

( U z3 D1 F: c4 L( |6 L

参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作，好像不大需要详细理解这些寄存器了。

转载自：bobbat

赞收藏评论1 发布时间：2023-1-3 19:49

1个回答

伊森亨特回答时间：2023-10-10 13:29:18

字节对齐有没有需要注意的地方

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