stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解

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STMCU小助手发布时间：2023-1-3 19:49

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文章简介:	stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解

STM32F4Discovery开发包使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。

5 i% T/ Z; @ v

【STM32F4 内部Flash的一些信息】

w- h* E! x% M6 T o

STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。

写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦除，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。

% o3 m q2 i- z) [0 [" _

在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory：

) q6 s' t8 w1 o. P; K9 @' p

参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：

5 ]! {4 A5 F% x# [/ U( m3 K

/* Base address of the Flash sectors */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */

#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */

7 s, |1 u( K6 f

在库里边，FLASH的Sector编号定义如下，这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号：

) g% h# ]# k# k

#define FLASH_Sector_0 ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0 */

#define FLASH_Sector_1 ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1 */

#define FLASH_Sector_2 ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2 */

#define FLASH_Sector_3 ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3 */

#define FLASH_Sector_4 ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4 */

#define FLASH_Sector_5 ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5 */

#define FLASH_Sector_6 ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6 */

#define FLASH_Sector_7 ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7 */

#define FLASH_Sector_8 ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8 */

#define FLASH_Sector_9 ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9 */

#define FLASH_Sector_10 ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10 */

#define FLASH_Sector_11 ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11 */

8 S- u) Q% o) D4 g, K- y; C7 z: }. ?

Demo中有将地址转换成Sector的代码：

/ i* n k$ H4 p6 a

uint32_t GetSector(uint32_t Address)

{

uint32_t sector = 0;

if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))

{

sector = FLASH_Sector_0;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))

{

sector = FLASH_Sector_1;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))

{

sector = FLASH_Sector_2;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))

{

sector = FLASH_Sector_3;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))

{

sector = FLASH_Sector_4;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))

{

sector = FLASH_Sector_5;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))

{

sector = FLASH_Sector_6;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))

{

sector = FLASH_Sector_7;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))

{

sector = FLASH_Sector_8;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))

{

sector = FLASH_Sector_9;

}

else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))

{

sector = FLASH_Sector_10;

}

else/*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/

{

sector = FLASH_Sector_11;

}

( q: F+ K5 @0 J9 r3 p3 G

return sector;

}

3 U/ C0 g. V' g% E% O, Z

; k0 Z$ z3 V* h& H: x- D1 i

有了这些定义之后，我们就可以开始正式操作FLASH了

% k- [( X- J& ^- P' ?

首先，要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义，解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x45670123之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.

. X( D& R% p( i# _% m5 u1 w

使用库函数不用这么麻烦，函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。

- X5 ~8 L. l+ M( ?' Z5 F0 f3 B

解锁FLASH之后，使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程，擦除两块FLASH。

- p3 F3 E8 _8 N& I* ?4 U

下边是操作FLASH的代码，首先擦除两块FLASH，然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验：

" n/ x9 A9 z, m [) U

要写入的数据定义：

8 c' w6 j2 e$ a8 e, B+ L* U2 v$ P

#define DATA_32 ((uint32_t)0x12345678)

, k1 M! q! p# ^4 O; T7 h

开始FLASH操作：

5 c6 P" ~: l/ w- ?

FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。

. g! j8 c: J5 P( z- F; c! U

//下面这个清flash的状态标志很重要，如果没有清可能会导致擦除flash失败或者不能擦除，我就遇到了这个问题，希望后面的兄弟一定要记得。

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |

FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

* r# s) _) x4 u' V- Y! [

/* Get the number of the start and end sectors */

StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR); //获取FLASH的Sector编号

EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);

//擦除FLASH

for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。

{

/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will

be done by word */

if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)

{

while (1)

{

}

/*擦除完毕*/

/*开始写入*/

Address = FLASH_USER_START_ADDR;

while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)

{

if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //将DATA_32写入相应的地址。

{

Address = Address + 4;

}

else

{

/* Error occurred while writing data in Flash memory.

User can add here some code to deal with this error */

while (1)

{

}

FLASH_Lock(); //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。

//读出数据检查写入值是否正确

Address = FLASH_USER_START_ADDR;

MemoryProgramStatus = 0x0;

while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)

{

data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。

9 F& H. X, D( ^9 h

if (data32 != DATA_32)

{

MemoryProgramStatus++;

}

I& M+ Z/ d& g: K, z( J$ o$ H9 C6 l

Address = Address + 4;

}

+ A* x) T+ A! R1 [- d

下边是使用STLink Utility读出的数据，检查一下，确实写进去数据了：

6 ^ y- a$ N2 _

0 M9 S* B) V/ a8 ^! z

3 m( G& M. v* B' |

参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作，好像不大需要详细理解这些寄存器了。

转载自：bobbat

赞收藏评论1 发布时间：2023-1-3 19:49

1个回答

伊森亨特回答时间：2023-10-10 13:29:18

字节对齐有没有需要注意的地方

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