一、存储器映射
) `  D8 h1 W) c) z5 u+ {1 z
5 X: |5 A" B& n8 j) G( Z1 k, h       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

       2、小端格式

       3、映像（stm32f107,256KB产品）
2 \6 O5 o( Z1 j
; T, o" i' O/ I
4 T. s/ f+ r7 c' D" O 可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：
4 ^( j8 |0 K  N& }

6 e3 {, V; a0 g+ _介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
( O2 Q7 o( q, b
, a2 h/ h9 W9 k$ k, Y地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图
9 w; u% s8 @) Y7 m

option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。

二、复位
9 r2 d) I, S) I) T
4 t6 u/ c& h0 s$ k' Z2 v0 O; z; CCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
% K/ w( e  l8 X  A' C+ _
stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。
6 h8 D; A0 O  A7 i) \0 p% X
4 }4 I6 F  ]) o5 u( q前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

) E2 `3 l) z4 {6 B  G          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。

          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
9 n2 E$ m) e9 ?# S+ n: P
# V$ w+ X- N. ~) `$ E4 L三、flash读写

* Q- P% y7 H( T8 a5 g2 o+ _  a; w

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   - X. a1 }" }1 G1 {
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   4 Q& [) ~* T+ ~# u4 F: V
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   6 {; S6 H3 s# {1 I1 ^' _  b! I" L
9. 
   
10. 
    : H! y( S+ [8 o  x' T, c  ?& |5 S
11. FLASH_Lock();
    
12. }
      E  O0 J) B, a! E/ }
13. 
    & Y9 J. P8 F" r# F; v& \1 ?# C$ s
14. void flashread()
    7 R/ ]/ A) y# P0 t2 ]. k
15. {
    
16. FLASH_Unlock();
    6 a& x9 j9 x' H8 s9 L
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    
23. 
    
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

9 ^9 f! x1 @7 e* z8 Y6 Y9 ?" b
没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。
6 K" m$ j& j9 w+ S
  b3 O" j2 X: t/ oflash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失