STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
9 R( l+ C- @4 `. v' c( Q
3 U- X- c& P. U& t, E  f2 `　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
, {0 }1 |% E  _2 \' F
支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
4 }! \+ S% Y, v3 @9 v0 |6 N+ z- X增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  Y4 B" y) b9 |$ b. x* b# t/ w　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：
) ^, k* N1 l/ w" h' x7 L

1. #include "eeprom.h"
   
2. 
   
3. #define TITLE_SIZE    80
   7 H$ J# c4 H& t. E& ]1 q
4. #define TITLE_KEY     1
   % r6 R5 v, l$ q7 n( k* N
5. #define POINT_KEY     2
   - W( s! s) X) W- B' K) L
6. 
   ' f# V5 T. N% j! g3 f$ H& @" h
7. typedef struct {
   
8.     float x;
   + j  X; z$ e! T0 H, s
9.     float y;
     Z. [# u" g: x8 A& _/ w  @/ @
10.     float z;
    
11. } Point;
    
12. 
    1 ~. E# i) i  F4 ?3 C
13. char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
    
14. Point point;

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执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t result = 0;
   
2. 
   1 Z9 v, |: j1 l+ ], v' z2 p2 u
3. FLASH_Unlock();
   
4. 
   
5. EE_Init();
   % H8 q2 z) d# h$ U/ n
6. 
   
7. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
   6 U2 y- }8 R' ]& A& h! j) ^4 w5 P
8. result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
   4 \- c+ e- L$ `  m1 k2 e% S
9. 
   6 e, N9 a, Z3 ~6 }) F: z) T. [2 y, V
10. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
    
11. result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

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! @9 `: Q5 s# d实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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