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STM32L1xxx 硬件开发入门

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STMCU小助手 发布时间:2022-7-17 21:21
前言
1 V9 \; U! R9 \. a( `3 o本应用笔记为系统开发者们提供了所需的开发板特性硬件实现概述,如供电电源、时钟管理、复位控制、自举模式设置、调试管理。它显示了如何使用 STM32L1xxx 产品系列,说明了开发 STM32L1xxx 应用所需的最低硬件资源。" J4 V/ e+ u  H  C, J6 l3 u8 D
本文还包括了详细的参考设计原理图,说明了其主元件、接口和模式。! n  j% o2 Z4 x6 O& ]; M8 P

+ s6 G( @* _" M' P- J: P
) B" N& ~! W" e
1词汇表- E3 D5 |# ~: k& q0 J
•中容量器件为 Flash 范围为 32 至 128 K 字节的微控制器。4 u3 a1 F1 {2 l( c; J: E& ]
•中容量 + 器件为 Flash 等于 256 K 字节的微控制器。5 ^: s9 N1 M/ F7 l* u7 C  u2 J) K
•高容量器件为 Flash 等于 384 K 字节的微控制器。' ^) `: o* v8 |. G1 {+ [" q

" {4 `2 c1 n( [

3 S" a! {7 D0 k. E+ F6 U2电源, I$ i# W3 Q5 O9 {( M  z
2.1前言. U! \0 p+ D  z; B, {
数字电源电压 (VCORE)配有嵌入式的线性调压器,具有 1.2 至 1.8 V 的三个不同的可编程范围。
. ^  L: ]/ z, e5 g+ x  c: R为达到全速、全功能,器件需要 2.0 至 3.6 V 的工作电压供电 (VDD),可达到 1.8 V 的数字电源电压VCORE (产品电压范围 1)。
5 ^! S) g5 N# Q6 P: s当 VDD 工作于 1.65 至 3.6 V 时,可选择产品电压范围 2 (VCORE = 1.5 V)和 3 (VCORE =1.2 V)。此,频率分别限定为 16 MHz 和 4 MHz。
' ?: _3 Z/ R, y1 M5 u( ]9 g$ w当不使用 ADC 和欠压复位 (BOR)时,器件可在 1.8 V 下至 1.65 V 的电源电压工作。' G  {( H# w+ K% B. T

# i' P! O# C4 w; Z" {
; E; r; [/ B0 Q( `2 ]) S1 t' G- M
55P`UQ0VRUQHXWPVT{JD.png # c# [* O( T3 R7 U! H: Z
# @/ W& l! Y1 J5 j! B1 A2 B
' O$ B. [2 y! ?9 u
, h- p2 y2 v) o
2.1.1独立 A/D 转换器电源和参考电压
# G  ^& A% L6 |! m为了提高转换精度, ADC 和 DAC 配有独立电源,可以单独滤波并屏蔽 PCB 上的噪声。
0 s& j( i# A! ]2 r. _! ^# `•ADC 电压源从单独的 VDDA 引脚输入。
( M8 \( Y+ E/ l& {( ?$ ]2 ~- |% y$ A•VSSA 引脚提供了独立的电源接地连接。
0 {6 e7 k& t$ m$ Q% \8 X; ^VDDA 和 VREF 需要一个稳定的电压。 VDDA 上的耗电电流可达若干 mA (若需更多信息,请参见产品手册中的 IDD (ADCx)、 IDD (DAC)、 IDD (COMPx)、 IVDDA、 IVREF)。; i- U9 N5 Y) G8 V# `& m( R
当可行时 (取决于封装), VREF- 必须连至 VSSA。
2 Y* n( o  b/ K7 ?2 t
% I8 Q3 E) g  F2 y

5 C! f8 T" g3 D3 G# _在 BGA 64 引脚和所有超过 100 引脚的封装上
# W" f) _4 k! O, m! `5 N为确保低电压输入和输出上的更好精度,用户可将 VREF+ 连接至一个独立的,低于 VDD 的外部参考电压源。对于模拟输入 (ADC)或输出 (DAC)信号, VREF+ 为最高电压,以满量程值表示。
9 Z* I) U  C6 ]* ?6 {6 y•对于 ADC
# X8 z% |! S9 d; K6 d% O, L! L& j–对于全速 (ADCCLK = 16 MHz, 1 Msps), 2.4 V ≤ VREF+ = VDDA" S% U' ~" G) \9 i& H  B% D$ w
–对于中速 (ADCCLK = 8 MHz, 500 Ksps), 1.8 V ≤ VREF+ = VDDA7 X: u; U8 p* I
–对于中速 (ADCCLK = 8 MHz, 500 Ksps), 2.4 V ≤ VREF+ ≠ VDDA
  d) u* O6 G: g–对于低速 (ADCCLK = 4 MHz, 250 Ksps), 1.8 V ≤ VREF+ < VDDA( _0 m  E: l& ^$ T2 F
–当选择产品电压范围 3 时 (VCORE = 1.2 V), ADC 为低速 (ADCCLK = 4 MHz,250 Ksps)
' C% q7 S2 f8 Z1 s4 I( A( i•对于 DAC
: U& y1 @0 {0 c& c- _– 1.8 V≤ VREF+ < VDDA: Q: F9 S1 ?. @9 l/ B) [9 {4 j
  F5 N/ A9 a/ T0 G0 Q. r
/ |* x9 \! L; V# L
在 64 引脚及以下的封装上 (除了 BGA 封装)
. o  @3 P) {8 `) f: R) |VREF+ 和 VREF- 引脚不可用。它们内部连至 ADC 电压供电 (VDDA)和地 (VSSA)。
% C6 ?9 w  t3 I$ X( {$ G9 H& O6 Y8 `; q( N/ V9 x, }! Z+ A& E% U8 S
$ z$ C% D1 a9 G8 q
2.1.2独立 LCD 供电
  W5 a2 s( \3 N5 V( b. @" dVLCD 引脚用于控制玻璃 LCD 的对比度。可用两种方法使用这一引脚:
/ @  J) N" s: L: M3 q- _; k! D•它可从外部电路接收所需的最大电压,由微控制器通过 segment 和 common 线供给玻璃LCD。; U/ {3 T( h; d, q+ m0 x0 s9 _
•还可用它连接外部电容,微控制器将该电容用于内部的升压转换器。此升压转换器由软件控制,以向玻璃 LCD 的 segment 和 common 线提供所需的电压。请参考专门的产品数据手册以获得该电容值。
! Z( V6 Q6 W+ U$ Q向 segment 和 common 线提供的电压定义了玻璃 LCD 像素的对比度。当在帧间配置了死区时,可降低此对比度。: s, k. j' N9 ^- S' R
" Q' L7 ^1 G  k& C' I9 r/ H
6 A( n% {7 T4 m' l; w
2.1.3调压器3 w1 b6 F3 U% x! ~' m$ s" J9 L
此内部调压器在复位后始终处于使能状态。可配置其为内核提供三个不同的电压范围。选择一个低 Vcore 范围可降低耗电,但会降低最大可接受内核速度。以降序排列的耗电范围如下:
6 R) W& A( K+ m& w1 O•范围 1,仅对高于 2.0 V 的 VDD 可用,具有最大速度2 k' `: K! d4 O1 R" }: X# {
•范围 2 具有高至 16 MHz 的 CPU 频率, n. M3 n! |1 k
•范围 3 具有高至 4 MHz 的 CPU 频率
. m, p4 G# H  {. W! v9 Y/ e根据应用模式的不同,调压器可采用三种不同的模式工作。
, u1 L2 D: ~( C( I3 O3 r. a•在运行模式中,调压器为 Vcore 域 (内核、存储器和数字外设)提供全功率。
. H) H; U) a$ S( \3 n5 ~! _- w: L•在停止模式、低功耗运行与低功耗等待模式中,调压器为 Vcore 域提供低功耗,以保留寄存器和 SRAM 的内容。# U& ?, v+ e. b. r& z, b# u
•在待机模式中,调压器掉电。除了连至备用电路的部分,寄存器和 SRAM 的内容丢失。
& s5 @, M8 k7 N
- N; e1 S: H+ H4 }# f) J( U2.2电源方案2 t. \( |6 K" q; s, d% l
电路由稳定的供电电源 VDD 供电。
& ?1 j# f0 v5 ]# w0 N8 H( [! H•VDD 引脚必须连至带有外部去耦电容的 VDD ;封装的单个钽电容或陶瓷电容 (最低4.7 µF,典型 10 µF) + 每个 VDD 引脚一个 100 nF 陶瓷电容)。, ^! F& j. {" x4 s5 z
•VDDA 引脚必须连至两个外部去耦电容 (100 nF 陶瓷电容 + 1 µF 钽电容或陶瓷电容)。; u% F! \' \2 _: U
•VREF+ 引脚可连至 VDDA 外部供电电源。若在 VREF+ 上施加了一个单独的外部参考电压,则必须将一个 100 nF 和一个 1 µF 电容连至此引脚。若需补偿 Vref 上的峰值耗电,当采样速度高时,可将 1 µF 电容增加至最大 10 µF。当使用 ADC 或 DAC 时, VREF+ 必须保持在 1.8 V 和 VDDA 之间。当 ADC 和 DAC 未激活时, VREF+ 可接地;这可让用户能够关闭外部电压参考。
2 k3 r/ q; ^9 z•可采用更多措施过滤模拟噪声:VDDA 可通过铁氧体磁环连至 VDD。1 L+ K+ G* p# O, @  l" C
' c) G+ ?" |, v* Z
7 B& e0 r) P, z6 v: Q( F
(_62YDX8~{T}BDQ{V9)U~WM.png
: h/ }# Z* }  p- N( C8 q1 I& t ~5M09_6Q`$YO`K2@HTS_PDX.png $ ^; ^: w" _8 f  w# {5 E

2 l  H( Q3 ^9 d  s2 L
' x- B, Z5 o* S% T4 O

8 L$ H  G9 d9 S$ L" f9 K完整版请查看:附件
5 {& ?. P4 v- S% ]
/ i( r- s& `7 _! |5 X8 q' {2 C6 O
T~A~M6P[~2]E{]7(Z[GC915.png

CD00273528_ZHV7.pdf

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