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STM32L1xxx 硬件开发入门

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STMCU小助手 发布时间:2022-7-17 21:21
前言9 u, m4 Y8 `" o( G& S, F
本应用笔记为系统开发者们提供了所需的开发板特性硬件实现概述,如供电电源、时钟管理、复位控制、自举模式设置、调试管理。它显示了如何使用 STM32L1xxx 产品系列,说明了开发 STM32L1xxx 应用所需的最低硬件资源。/ q, |; I4 e. k+ c* v  D6 i3 v
本文还包括了详细的参考设计原理图,说明了其主元件、接口和模式。. [/ p9 n; A2 A2 w& R- ]2 k; `
) b/ X, J& k$ _' s" s4 h$ w) \5 s0 `

! ]- j4 f  |1 f; M6 P1词汇表* A, s' m, v+ u( k
中容量器件Flash 范围为 32 128 K 字节的微控制器。
* n+ c# u! U3 i" C中容量 + 器件Flash 等于 256 K 字节的微控制器。; N6 K2 I  y$ `; m! |3 e" T! @
高容量器件Flash 等于 384 K 字节的微控制器。' e$ q; v" ^4 T/ {7 F6 h5 k8 h
% f  |3 `7 ^' e
+ v, [$ w9 s2 K* r! z7 @0 \. n
2电源5 j) |* l) H0 X: @9 t5 ^: N/ n! j
2.1前言
! g: z7 x6 N6 B& R数字电源电压 (VCORE)配有嵌入式的线性调压器,具有 1.2 至 1.8 V 的三个不同的可编程范围。
, s! Q, \  v; v2 H  |0 `1 l1 d为达到全速、全功能,器件需要 2.0 至 3.6 V 的工作电压供电 (VDD),可达到 1.8 V 的数字电源电压VCORE (产品电压范围 1)。1 s1 W7 J0 _( w& E% p: G
当 VDD 工作于 1.65 至 3.6 V 时,可选择产品电压范围 2 (VCORE = 1.5 V)和 3 (VCORE =1.2 V)。此,频率分别限定为 16 MHz 4 MHz
" M7 b: }* E5 y6 X. m当不使用 ADC 和欠压复位 (BOR)时,器件可在 1.8 V 下至 1.65 V 的电源电压工作。
; w1 e9 x2 ^. H, l2 i
" o& \3 M% Q9 ~+ d5 @: P5 p

( U  Z3 X) f  S 55P`UQ0VRUQHXWPVT{JD.png ; J1 A+ S& |4 I& f" Q' b. V  q

6 t+ l$ N7 C, D
# N" Z# e$ H; Z& L) C
3 S# r0 J/ G: f2 A% q, r6 l
2.1.1独立 A/D 转换器电源和参考电压; t' D& E! @' [! j0 u0 ^4 `+ |/ ~
为了提高转换精度, ADC 和 DAC 配有独立电源,可以单独滤波并屏蔽 PCB 上的噪声。( i# I8 b. k% c0 b! R
ADC 电压源从单独的 VDDA 引脚输入。
( j# G& v" Z9 d/ W, vVSSA 引脚提供了独立的电源接地连接。3 d1 k2 G! S; D8 \8 e( `
VDDA 和 VREF 需要一个稳定的电压。 VDDA 上的耗电电流可达若干 mA (若需更多信息,请参见产品手册中的 IDD ADCx)、 IDD DAC)、 IDD COMPx)、 IVDDAIVREF)。( y  D3 b" K  E% w7 G
当可行时 (取决于封装), VREF- 必须连至 VSSA。 1 Y( }4 Q$ `0 b0 B# C) G5 g1 B

, v$ e5 g5 [: S# p( ]
- o0 C, p7 i3 ]9 ?
BGA 64 引脚和所有超过 100 引脚的封装上
3 z) U6 E; ]4 a: ~2 X+ x2 c- [& j为确保低电压输入和输出上的更好精度,用户可将 VREF+ 连接至一个独立的,低于 VDD 的外部参考电压源。对于模拟输入 (ADC)或输出 (DAC)信号, VREF+ 为最高电压,以满量程值表示。
8 L3 G  t/ q) U5 g7 e5 w7 @对于 ADC
9 y  I* j/ a, y' S) I/ K2 H' P对于全速 (ADCCLK = 16 MHz1 Msps), 2.4 V VREF+ = VDDA
8 {) R( @& n' U& {4 x2 a; e% d对于中速 (ADCCLK = 8 MHz500 Ksps), 1.8 V VREF+ = VDDA+ s& ?" q: v8 c% Z! x8 G$ w5 _
对于中速 (ADCCLK = 8 MHz500 Ksps), 2.4 V VREF+ VDDA
' k6 n! ^1 n7 Z6 W/ [4 h' d& H# b对于低速 (ADCCLK = 4 MHz250 Ksps), 1.8 V VREF+ < VDDA
$ |9 v4 C, C1 v  u% t4 A当选择产品电压范围 3 时 (VCORE = 1.2 V), ADC 为低速 (ADCCLK = 4 MHz250 Ksps2 Y" K  I2 ?! g  R
对于 DAC/ e$ O0 @# A  N9 y
– 1.8 V≤ VREF+ < VDDA
; r! E1 e' s: s# m& V# E4 V6 n: s/ T& T- S& t# @2 |0 e
4 {, G8 e( ]* x3 T
64 引脚及以下的封装上 (除了 BGA 封装): H. m; d$ h& ?# C! A$ f8 d5 {
VREF+ 和 VREF- 引脚不可用。它们内部连至 ADC 电压供电 (VDDA)和地 (VSSA)。
2 `, m+ y# d3 L1 g5 Y4 w  a8 D: i- ?6 f$ z7 T+ d. O' [, P9 \# U
8 c. g- M! \( H* E
2.1.2独立 LCD 供电8 I: |9 w' @! d
VLCD 引脚用于控制玻璃 LCD 的对比度。可用两种方法使用这一引脚:7 [3 m/ U! k& w5 O7 E4 m, w4 ~+ [
它可从外部电路接收所需的最大电压,由微控制器通过 segment common 线供给玻璃LCD( I+ Z5 q* g. U/ {+ x# r3 Y
还可用它连接外部电容,微控制器将该电容用于内部的升压转换器。此升压转换器由软件控制,以向玻璃 LCD segment common 线提供所需的电压。请参考专门的产品数据手册以获得该电容值。: B) H7 h* B, H6 z; U7 S1 ]
向 segment 和 common 线提供的电压定义了玻璃 LCD 像素的对比度。当在帧间配置了死区时,可降低此对比度。& t6 y3 s4 |+ d' d: G6 n) z* O, U- a; D
$ d7 Q/ O& _- M! W) p
- ~: Z: Y1 v, V" i9 H
2.1.3调压器
; ]! S5 P/ o# q6 z, j; w此内部调压器在复位后始终处于使能状态。可配置其为内核提供三个不同的电压范围。选择一个低 Vcore 范围可降低耗电,但会降低最大可接受内核速度。以降序排列的耗电范围如下:' H  `8 i$ X% ]; x/ o1 C& I
范围 1,仅对高于 2.0 V VDD 可用,具有最大速度
) G( [: J/ W  |, ~9 N范围 2 具有高至 16 MHz CPU 频率
: n. u4 K# a. t范围 3 具有高至 4 MHz CPU 频率
! _0 _$ M7 u7 u; a5 o3 e根据应用模式的不同,调压器可采用三种不同的模式工作。
- o9 u& z* K: Z% k: F0 l7 S在运行模式中,调压器为 Vcore 域 (内核、存储器和数字外设)提供全功率。
8 W  Z+ n$ D% f7 d, B: Y0 N在停止模式、低功耗运行与低功耗等待模式中,调压器为 Vcore 域提供低功耗,以保留寄存器和 SRAM 的内容。& L% d1 i6 U6 A" W$ y0 M* [% s
在待机模式中,调压器掉电。除了连至备用电路的部分,寄存器和 SRAM 的内容丢失。
9 D- T! N8 V; ]: [0 m
$ m1 l/ |' G% K/ A) c$ ~, p% O2.2电源方案
2 N/ P, M2 R- B! m电路由稳定的供电电源 VDD 供电。5 M6 \. y: B  V, T5 |* X/ p0 Q2 J
VDD 引脚必须连至带有外部去耦电容的 VDD ;封装的单个钽电容或陶瓷电容 (最低4.7 µF,典型 10 µF + 每个 VDD 引脚一个 100 nF 陶瓷电容)。
$ C$ a' B7 w  u7 j& C3 b5 OVDDA 引脚必须连至两个外部去耦电容 (100 nF 陶瓷电容 + 1 µF 钽电容或陶瓷电容)。
. V8 P6 t6 X( w& D8 U1 PVREF+ 引脚可连至 VDDA 外部供电电源。若在 VREF+ 上施加了一个单独的外部参考电压,则必须将一个 100 nF 和一个 1 µF 电容连至此引脚。若需补偿 Vref 上的峰值耗电,当采样速度高时,可将 1 µF 电容增加至最大 10 µF。当使用 ADC DAC 时, VREF+ 须保持在 1.8 V VDDA 之间。当 ADC DAC 未激活时, VREF+ 可接地;这可让用户能够关闭外部电压参考。" C. u: v8 A2 [3 c! n" w
可采用更多措施过滤模拟噪声:VDDA 可通过铁氧体磁环连至 VDD" O+ z9 g4 p+ r8 P0 A- o" N

. m: T) |5 u# _, g( g+ `
" h7 n+ ^$ H: {. t+ w
(_62YDX8~{T}BDQ{V9)U~WM.png
, [, f3 r, Y1 ^) D$ Y$ I2 E ~5M09_6Q`$YO`K2@HTS_PDX.png
8 k% E% H  ^/ y- u* T7 G
6 C. t' v& k8 d$ E, S6 h
: A3 w8 _7 N7 V9 ]5 R; z. ]$ g# z3 n
5 B, \3 W, @0 s) O7 G" h% m
完整版请查看:附件! f/ _# {5 G: M0 t) @
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T~A~M6P[~2]E{]7(Z[GC915.png

CD00273528_ZHV7.pdf

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